全文获取类型
收费全文 | 226篇 |
免费 | 10篇 |
国内免费 | 15篇 |
专业分类
电工技术 | 2篇 |
综合类 | 3篇 |
金属工艺 | 1篇 |
机械仪表 | 2篇 |
矿业工程 | 1篇 |
无线电 | 161篇 |
一般工业技术 | 64篇 |
自动化技术 | 17篇 |
出版年
2023年 | 11篇 |
2022年 | 2篇 |
2021年 | 3篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 8篇 |
2018年 | 6篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 10篇 |
2015年 | 13篇 |
2014年 | 21篇 |
2013年 | 21篇 |
2012年 | 29篇 |
2011年 | 26篇 |
2010年 | 20篇 |
2009年 | 20篇 |
2008年 | 16篇 |
2007年 | 18篇 |
2006年 | 13篇 |
2005年 | 5篇 |
2004年 | 1篇 |
1994年 | 2篇 |
1989年 | 2篇 |
排序方式: 共有251条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
改进自适应加权的局部立体匹配算法 总被引:1,自引:0,他引:1
针对Yoon经典自适应加权法在深度不连续处误匹配率较高、边缘细节不突出以及匹配窗口大小凭经验设计不通用等缺陷,提出了一种改进自适应加权的局部立体匹配算法.在经典自适应加权局部立体匹配算法的基础上用高斯分布权值替换了几何空间权值,增加了边缘权值突出深度不连续处的边缘细节,采用赢家通吃原则(Winner Take All,WTA)获取单像素点视差,在目标视图中逐点求取视差,最终获得稠密视差图.实验结果表明,该算法相比于经典自适应加权法,在非遮挡区域错误匹配百分比上下降6%,在深度不连续处的误匹配率降低了5%,边缘细节毛刺明显减少. 相似文献
4.
为了减少投射电容式触摸屏互电容的检测数量,提出了一种自适应检测算法,并对该算法进行分析和验证。将整个投射电容式触摸屏抽象成一个网格,互电容为网格横纵的交错点。分析网格横纵2个方向变阈值的自适应扫描,并将其与逐行扫描法进行对比。设计出以FPGA为控制核心、外加检测电路的自适应检测系统对该算法进行验证。实验结果表明,对电极间距为1mm,驱动区为71×54的投射电容式触摸屏,在识别点数分别为3、2、1时,与采用传统的逐行扫描法相比,采用自适应检测法需要的检测次数分别相应地减少为1/5.0、1/6.5、1/10.4,有效地缩短了触摸信息的检测时间,对投射电容式触摸屏在大尺寸方向的发展与应用有积极意义。 相似文献
5.
6.
采用阳极氧化法以HF水溶液为电解液制备二氧化钛(TiO2)纳米管阵列,用场致发射扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对纳米管阵列的表面形貌、断面结构及元素组成进行表征,并使用场发射测试系统测试其场发射性能,研究了HF水溶液的pH值对TiO2纳米管阵列形貌(管径及管长)的影响。结果表明:调节电解液的pH值可改变TiO2纳米管阵列的形貌,从而提高其场发射性能。当电解液pH值为2.0时TiO2纳米管阵列的场发射开启场强降为2.52 V/μm,且具有较好的电流稳定性。 相似文献
7.
基于深度学习的图像超分辨率重建算法不能很好地处理现实生活中有多种复杂噪声干扰的低分辨率图片,提出一种双向的生成对抗网络,引入下采样网络及重建网络联合学习的方法.下采样网络模拟生成现实生活中有复杂噪声及受运动干扰的低分辨率图片,重建网络将模拟生成的低分辨率图片恢复为细节清晰的高分辨率图片.实验结果表明,该算法能够重建出视觉效果良好的超分辨率图像,在Set5、DIV2 K等通用测试集上,其客观评价指标(PSNR、SSIM)对比于SRGAN方法分别提高了约0.9 dB,0.25. 相似文献
8.
提出改进的K-means聚类分割和LVQ神经网络分类的方法,用于有机发光二极管显示面板喷墨打印制程中缺陷像素的识别。首先采用改进的K-means聚类算法对预处理后的打印像素进行分割,然后采用连通域水平矩形确定每一个打印像素的坐标及几何特征,再通过灰度共生矩阵提取其纹理特征,最后通过LVQ神经网络对所述特征进行分类,完成缺陷像素的标记及分类统计。结果表明,本文算法的识别率明显优于其他常用分类识别算法,平均缺陷检测率为100%,分类准确率达到98.9%,单像素检测时间为8.3 ms。 相似文献
9.
为了适应LTPS TFT LCD显示屏超高分辨率极细布线的趋势,降低LTPS TFT层间绝缘层过孔刻蚀带来的良率损失,提高产品品质,本文研究了LTPS TFT层间绝缘层过孔刻蚀的工艺优化。实验以干法刻蚀为主刻蚀,湿法刻蚀为辅刻蚀的方式,既结合干法刻蚀对侧壁剖面角及刻蚀线宽的精确控制能力,又利用了湿法刻蚀高刻蚀选择比的优良特性,改善了层间绝缘层刻蚀形貌,减少干法刻蚀对器件有源层的损伤,避免有源层被氧化,防止刻蚀副产物污染开孔表面。实验结果表明,干法辅助湿法刻蚀能基本解决刻蚀过程中过刻、残留的问题,使得层间绝缘层过孔不良良率损失减少73%以上,且TFT源漏电极接触电阻减小约90%,器件开态电流提升约15%。干法辅助湿法刻蚀是一种优化刻蚀工艺,提升产品性能的新方法。 相似文献
10.