勾形磁场下直径300mm CZ Si 熔体中氧浓度分布的数值模拟

采用低雷诺数K-ε紊流模型,考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素,对晶体直径为300mm,磁场强度变化范围在0～0.12T条件下,熔体硅内流场及氧的浓度分布、磁场分布等作了数值模拟.计算中采用有限体积法,运用SIMPLE(semi-implicit method for pressure linked equations)算法耦合压力和速度场,动量方程、能量方程中对流项的离散采用QUICK(quadratic upwind interpolation of convective kinematics)格式,紊动能和耗散项方程中对流项的离散采用迎风格式.数值模拟结果表明,在勾形磁场作用下,熔体硅内的流场、氧的浓度分布与无磁场作用相比有较大不同,随着磁场强度的增加,生长界面处氧的浓度降低,并且磁场确实能有效地抑制熔体内的紊流,有利于晶体生长.     

TSB溶液的回流热处理与晶体生长

首先对反式二苯乙烯(TSB)的环己酮溶液进行回流热处理,考察不同回流加热时间对TSB溶液饱和点的影响,以高效液相色谱(HPLC)及气质联用技术(GC-MS)检测与分析回流加热过程中溶液的成分,随后采用降温法在该溶液中进行晶体生长,并观测了所生长TSB晶体的完整性。结果表明:环己酮是适合生长TSB晶体的溶剂,对溶液进行适当的回流热处理虽然会产生少量杂质,但在一定程度上能够加快溶剂合反应平衡并提高溶液稳定性,同时,晶体的完整性和闪烁性能也有所改善。     

勾形磁场下直径300mm CZ Si熔体中氧浓度分布的数值模拟

采用低雷诺数Ｋ-ε紊流模型，考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素，对晶体直径为300mm，磁场强度变化范围在0～0.12T条件下，熔体硅内流场及氧的浓度分布、磁场分布等作了数值模拟．计算中采用有限体积法，运用SIMPLE(semiimplicit method for pressure linked equations)算法耦合压力和速度场，动量方程、能量方程中对流项的离散采用QUICK(quadratic upwind interpolation of convective kinematics)格式，紊动能和耗散项方程中对流项的离散采用迎风格式．数值模拟结果表明，在勾形磁场作用下，熔体硅内的流场、氧的浓度分布与无磁场作用相比有较大不同，随着磁场强度的增加，生长界面处氧的浓度降低，并且磁场确实能有效地抑制熔体内的紊流，有利于晶体生长．     

KTNNP晶体的倍频效应研究

采用激光粉末倍频法,对掺入相同浓度Ｎｂ＾５＋离子（１％）和不同浓度Ｎｄ＾３＋离子的ＫＴＰ－Ｋ６体系中生长的ＫＴＮＮＰ晶体进行了倍频效应测试。结果发现,ＫＴＮＰ晶体的倍频效应较ＫＴＰ晶体增强了４％～５％。     

双掺KTP型系列晶体生长及其光谱特性

采用高温溶液缓慢降温旋转籽晶法生长出一系列双掺ＫＴＰ型晶体,研究了晶体生长习性,测定了所有晶体的晶胞参数、粉末倍频效应和晶体中掺质离子的浓度．测试了晶体的Ｒａｍａｎ光谱、激发光谱、发射光谱和 ３５０～８００ ｎｍ之间的光透过曲线．研究了双掺 ＫＴＰ型系列晶体的荧光性质．探索了新型激光自信频晶体存在的可能性．     

KDP/DKDP晶体生长研究近况

本文综述了近年来KDP和DKDP晶体生长的研究状况.为了生长大尺寸高质量的KDP和DKDP晶体,在传统溶液降温法的基础之上,研究者发明了循环流动法,连续过滤法,SR生长方法,蠕动泵加入法,光育法等一些列的新的生长方法.与此同时,籽晶形态的改进在一定程度上也实现了高效生长高质量晶体的目的.在KDP和DKDP晶体生长稳定性的影响因素研究方面,如原料的纯度,生长温度的控制,籽晶的质量和引入方式,溶液的水动力条件,溶液的氘化程度以及溶液的过饱和度等则为进一步实现生长大尺寸高质量的晶体奠定了科学的基础.另外,利用添加剂、掺质和后处理等手段进一步提高了晶体的质量.     

一氧化碳还原硫酸镁制备氧化镁的工艺研究

应用热力学原理计算并分析了一氧化碳还原无水硫酸镁制备氧化镁反应的可能性;研究了反应温度、加热时间和样品粒径对无水硫酸镁分解率的影响; 并且通过正交设计与实验,给出了制备氧化镁的优化工艺条件：反应温度为973.15 K、加热时间为30 min、样品粒径为106 μm。采用此工艺,硫酸镁的分解率达到99.3%。得到的氧化镁晶型单一,呈多孔形貌,符合HG/T 2573-2006《工业轻质氧化镁》标准规定的I类优等品质量指标。     

尾矿酸浸液除硅以及制备高纯铁红的研究

金川公司尾矿酸浸液中除含有较高含量的铁之外,还含有一定量的杂质硅。以氧化钙为中和剂,聚丙烯酰胺为絮凝剂,通过正交设计与实验,得出了从该酸浸液中除硅的较佳工艺条件;随后,以氧化镁为中和剂,空气和双氧水为氧化剂,将除硅后滤液在85 ℃搅拌加热,制得针铁矿沉淀;最后将沉淀在800 ℃煅烧2 h并经过5%稀硝酸洗涤得到了高纯铁红,其主成分质量分数为99.2％,符合HG/T 2574-2009工业氧化铁国家标准。     

双掺质对KTP晶体晶胞参数及倍频效应的影响

采用X－射线单晶衍射仪、ICP和激光粉末倍频法,对Nb^5 :Nd^3 :KTP,Nb^5 :Tm^3 ,KTP,Nb^5 :Yb^3 :KTP等三种不同双掺质的KTP晶体的晶胞参数、掺质含量及分配系数和粉末倍频效应进行了测试,并与纯KTP晶体作了比较,讨论了不同双掺质对KTP晶体晶胞参数及倍频效应的影响。     

一种快速简便测定单轴晶体x(y)轴及半波电压的方法

KDP,DKDP等单轴晶体在激光技术中通常被作为激光器的Q开关使用,在实际应用中,晶体的x(y)轴及其半波电压的标定为激光器的调试带来很大方便,我们介绍一种快速简便测定单轴晶体x(y)轴及其半波电压的方法。