252Cf源驱动噪声分析法测量α初步研究

在一球形浓缩铀临界装置上,采用²⁵²Cf源驱动噪声分析方法对其次缓发临界状态下的α进行测量,在频域内分析数据得到α。对比频域内的两种数据处理方式（功率谱实虚部相除方法和功率谱取模直接拟合方法）,用互功率谱密度函数实虚部相除方法得到在-0.1$情况下,脉冲堆的α为0.58μs^-1,与Rossi-α方法的结果相吻合。     

252Cf 随机脉冲源法测量深次临界瞬发中子衰减常数

运用²⁵²Cf 随机脉冲源法时幅变换(TAC)方式测量系统,实验获得高浓缩铀椭球壳核系统的瞬发中子衰减常数α。采用单指数和双指数最小二乘法拟合，α值均为100μs^-1。用蒙特卡罗方法模拟实验过程，α计算值为110μs^-1。结果表明，该系统对深次临界α的测量是有效的。     

252Cf快电离室在核物理参数测量研究中的应用

介绍了252Cf快电离室的基本原理和技术水平,描述了它在飞行时间测量、探测器效率标定、瞬发中子衰减常数测量以及252Cf源驱动噪声分析技术等核物理参数测量研究中的应用.     

高效率快裂变室设计方案

介绍了一支用于瞬发中子衰减常数测量的高效率快裂变室的设计方案.裂变室采用21层平板型电极结构设计,镀层235U质量350mg,对快中子的探测效率达到1‰.采用极板窄间距设计和5路信号输出方式实现裂变室的快时间响应,其通过142型电荷灵敏前置放大器输出的信号上升时间约16ns.     

^252Cf快响应电离室裂变中子、γ飞行时间谱测量

介绍了252Cf快响应电离室裂变中子、γ飞行时间谱的测量系统的组成及工作原理,并给出了测量结果.这个系统测得的中子、γ飞行时间谱,其γ峰的半高宽达到0.9 ns,可应用于探测系统的定时精度测量、n-γ分辨效果的检验等.     

电离室的多路输出方法

介绍了一种用于多层平板型电离室(或裂变室)的多路输出方法,该方法有利于提高电离室的时间响应,缓解因易裂变材料过多而产生的α粒子信号堆积问题,能够使电离室容纳更多的核材料,提高探测效率。     

柱形金属铀次临界系统瞬发中子衰减常数测量

次临界核系统的瞬发中子衰减常数α与反应性有着重要联系。采用²⁵²Cf随机脉冲源法测量了一柱形金属次临界系统的瞬发中子衰减常数。为对源中子的影响进行分析,借助蒙特卡罗模拟方法建立模型进行了模拟,对源直穿中子和核系统瞬发中子时间分布特性进行了比较,分析了源中子对瞬发中子衰减曲线的影响。模拟结果表明,对该柱形金属铀系统,源中子注入100 ns后源直穿中子对核系统瞬发中子的影响可忽略。根据分析结果选取了合理起始道,对实验数据进行单指数最小二乘拟合,得到该次临界系统的α为15.5μs^-1。     

单次脉冲中子源方法测量瞬发中子衰减常数

瞬发中子衰减常数α是核系统的重要标志性特征参数,该值的准确测量对于核临界安全具有重要意义。本工作采用单次脉冲中子源的方法测量了某次临界核系统的瞬发中子衰减常数,获得了几种不同次临界状态下的瞬发中子衰减常数,测量结果与²⁵²Cf随机脉冲源法测量结果一致。     

10^6量级^252Cf自发裂变中子源用屏蔽操作柜设计

描述了106量级252Cf自发裂变中子源用屏蔽操作柜的研制情况.介绍了该屏蔽操作柜的设计原则、设计考虑、屏蔽计算和屏蔽材料的选择.并用小强度源实际测量屏蔽操作柜性能.研制的屏蔽操作柜材料从外到内为不锈钢外壳(2mm)、聚乙烯(150mm)、不锈钢内壁(20mm).在操作者操作位置处中子屏蔽达到9倍,γ屏蔽达到近3倍.结果表明该屏蔽操作柜能满足操作人员实际操作需要和所受剂量限值要求.     

低浓度CTAC减阻流体流动性能试验研究

通过对CTAC溶液的减阻性能的测量，得到了CTAC溶液的减阻性能随伴随盐浓度变化的特性。研究结果表明，即使对同种减阻方式，减阻也存在极限和优选。同时，应用激光相位多普勒测速仪进行减阻流体的湍流特性试验研究，得到了50种工况下流体的速度脉动曲线。研究还发现，减阻流体的横向和轴向速度脉动及雷诺应力明显小于牛顿流体；减阻流体的轴向和横向速度脉动之间的关联被明显抑制。