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1.
采用高温高压方法制备了热电材料Ag0.8Pb18SbTe20,测试发现样品具有微米级晶粒和单相的NaCl结构。高压合成的Ag0.8Pb18SbTe20样品为N型半导体,电阻率和Seebeck系数的绝对值随温度的升高而增大。同其它方法制备的AgPb18SbTe20体系材料相比,高温高压方法制备的样品具有较低的电阻率。较低的电阻率导致了较大的功率因子(S2σmax≈17.2μW/cm-1K-2,T≈585K)。 相似文献
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枪弹初速激光测试系统方案设计 总被引:1,自引:0,他引:1
叙述了利用激光光幕测试枪弹初速的基本原理,并对激光光幕的形成,睡的实现,利用微机进行高精度测速,机械装置的实现等提出了一套可行的方案。在机械装置具有足够高精度的前提条件下,该测试系统能够实现间初速的测试。 相似文献
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5.
用国产六面顶压机在5.0GPa、1200℃~1700℃条件下实现了以稀土氧化物为助剂的AIN陶瓷体的高压烧结。对制备的AIN高压烧结体进行了高压热处理。用SEM对AIN高压烧结体的微观结构进行了表征。研究表明:高压制备陶瓷体材料能够有效降低烧结温度和缩短烧结时间,烧结温度最低温度达到1200℃,可比传统烧结方法降低400℃以上。在5.0GPa/1400℃/50min条件下制备的AIN高压烧结体出现穿晶断裂模式。高压热处理使得晶粒明显长大,形成了等轴晶粒组织。 相似文献
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