SnO2:Sb薄膜的制备和光致发光性质

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜.制备样品为多晶薄膜,具有纯氧化锡的四方金红石结构和(110)择优取向,Sb离子以替位式掺杂的形式存在于SnO2晶格中.室温条件下对样品进行光致发光测量,在392nm附近观测到强的紫外-紫光发射,发射强度随制备功率的增加而增强,且样品退火后发射强度也明显增强.紫外-紫光发射的起源被归于由Sb形成的施主能级和受主能级之间的电子跃迁.     

新型血沉参量测量仪

本文介绍新型血沉等参量测量仪的研制原理。该装置由凹面光栅反射镜,CCD线列传感器,信息处理器等部分组成,它能够对512种血液的光谱(或更多)进行测量和处理,并从中获得有用的信息,给医生诊断提供依据。     

退火处理对氧化锌透明导电膜的结构及电学特性的影响

采用真空蒸发技术，以醋酸锌和氯化铝作为蒸发物质，在加热的玻璃衬底上制备出氧化锌和铝掺杂的氧化锌透明导电薄膜．研究了氢气、空气和真空退火处理对制备薄膜的结构及电学性能的影响     

薄膜厚度对ZnO∶Ga透明导电膜性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大。薄膜的最低电阻率为 3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上。     

阳极氧化铝的原子层淀积封孔研究

制备了多孔阳极氧化铝,利用原子层淀积技术对其封孔,借助场发射扫描电镜(SEM)分析了样品的表面及剖面形貌,对样品进行染色处理,利用酸性点滴试验测试样品抗腐蚀性能。结果表明:阳极氧化处理形成大孔径约为16 nm的多孔膜,多孔膜在循环50次的原子层淀积下能实现表面封孔而内部有空结构;经封孔后的样品抗染色及抗腐蚀能力增强。     

磁控溅射有机衬底ZnO:SnO2透明导电膜的结构和光电特性

采用磁控溅射技术在有机衬底上低温制备出具有低电阻率和良好附着性的ZnO∶SnO透明导电膜.研究了制备ZnO∶SnO薄膜的结构、成分和光电性质.制备薄膜为非晶结构,有机衬底ZnO∶SnO透明导电膜的最低电阻率约10-2Ω*cm,可见光平均透过率＞82%.薄膜中的氧偏离理想化学配比,氧空位是薄膜中载流子的主要来源.     

锑掺杂对二氧化锡薄膜结构及发光性质的影响

采用射频磁控溅射方法在石英玻璃衬底上制备了SnO2:Sb薄膜.所制备的薄膜为四方金红石结构的多晶薄膜.PL谱表明,样品在396、450、500nm附近存在室温光致发射峰,发光峰的起因分别与SnO2薄膜中的氧空位缺陷及掺杂所致的施主一受主对之间的跃迁以及电子由其激发态向基态能级跃迁等因素有关.     

退火处理对氧化锌透明导电薄膜的结构及电学性能的影响

采用真空蒸发技术，以醋酸锌和氯化铝作为蒸发物质，在加热的玻璃衬底上制备出氧化锌和铝掺杂的氧化锌透明导电薄膜。研究了氢气、空气和真空退火处理对制备薄膜的结构及电学性能的影响。     

我国浮法玻璃熔窑余热发电发展研究

浮法玻璃熔窑余热发电的发展过程 1.我国余热发电的发展过程 我国的余热发电技术始于上世纪20年代。1919年日本首次将余热发电技术引入水泥工业,之后,我国大连水泥厂在1922-1923年间扩建第二条干法中空窑时,同时配套建设了高温余热发电机组,称为＂水泥干法中空余热发电窑＂;1926年启新水泥厂也建成中空窑余热发电站。     

SnO2∶Sb薄膜的制备和光致发光性质

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2∶Sb薄膜．制备样品为多晶薄膜，具有纯氧化锡的四方金红石结构和(110)择优取向，Sb离子以替位式掺杂的形式存在于SnO2晶格中．室温条件下对样品进行光致发光测量，在392nm附近观测到强的紫外-紫光发射，发射强度随制备功率的增加而增强，且样品退火后发射强度也明显增强．紫外-紫光发射的起源被归于由Sb形成的施主能级和受主能级之间的电子跃迁．