硅与砷化镓背场太阳能电池对比研究

对硅与砷化镓背场太阳能电池的结构，制备工艺等进行了比较。提出了可以制成基片厚度大于衬底材料少子扩散长度的背场太阳电池。     

大圆片镀镍电极硅太阳电池的研究

低成本大圆片镀镍电极硅太阳电池,由直径75mm、电阻率0.5—2Ω·cm p型(100)复拉单晶硅片制成,其工艺流程如下: 实验中,用稀氢氧化钠溶液对硅单晶(100)面作各向异性腐蚀,得到的绒面大大降低了太阳电池表面的反射损失,同时还为制作化学镀镍电极准备了一个“粗糙”的表面。     

阳极氧化法测量硅太阳能电池结深及杂质浓度分布

报道了用四探针法及阳极氧化法测试云南半导体器件帮生产的φ（１００）绒面硅太阳能电池扩散层薄层电阻（Ｒｓ）及结深（Ｘ１）的情况，从中可检测适合于硅太阳能电池ｐ－ｎ结需要的Ｒｓ和ｘ１对提高太阳能电池产品质量有较重要的指导作用。     

对Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池结构的一点新看法

用液相外延技术制备p-Ga_(1-x)Al_x/p-GaAs/n-GaAs结构的太阳电池,并获得AM1效率20.2%,AM0效率16%～17%.现已用研制出的GaAs电池单片,组装成组件,安装在我国1994年2月8日发射的实践4号卫星上作挂片实验.作者对此结构太阳电池提出一点新看法,同时提出北场GaAs太阳电池构想.