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半导体照明被世界公认为节能绿色的照明光源。阐述了国内外半导体照明发展计划,通过对我国半导体照明产业状况进行分析,结合我国特点,提出半导体照明标准化发展建议。 相似文献
4.
采用ICPCVD-SiNx薄膜对GaN/A1GaN基紫外探测器进行钝化,从薄膜绝缘特性、钝化效果两方面,对ICPCVD-SiNx、磁控溅射-SiOx、PECVD-SiOx和PECVD-SiNx四种钝化膜进行对比.制作了钝化膜/GaN MIS器件,通过测试MIS器件漏电流密度和薄膜击穿电场的大小表征薄膜绝缘性能,结果表明ICPCVD-SiNx对应的MIS器件的漏电特性最好,外加偏压为100 V时,其漏电流密度保持在1×10-7 A/cm2以下,薄膜击穿电场大于3.3 MV/cm.采用不同钝化方法制作了p-i-n型AlGaN基紫外探测器,通过计算钝化前后器件暗电流的变化,表征不同钝化方法的钝化效果.结果表明ICPCVD-SiNx钝化的器件,其暗电流比其他钝化方法的器件小近两个数量级,在-5V偏压下暗电流密度为7.52 A/cm2. 相似文献
5.
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不同基体材料TD法盐浴渗钒层的组织及硬度 总被引:3,自引:1,他引:2
通过对45、T10、T12、W6Mo5Cr4V2、GCr15、Cr12MoV钢六种不同的基体进行盐浴渗钒,并对渗钒层的组织、厚度、成分和硬度进行测试比较。结果表明,基体化学成分对覆层的厚度、成分和硬度均有影响。基体中的固溶碳含量能促进覆层的生长,增加覆层厚度,提高覆层中的C/V浓度比,改善覆层硬度。而且,对覆层的能谱分析结果表明在碳素钢基体上的覆层中只含有C、V、Fe三种元素,而在合金钢基体上的覆层中还探测到了少量的来自基体的合金元素,这些合金元素向覆层中的扩散可以显著提高覆层的显微硬度。 相似文献
7.
基于稀硫酸介质中,痕量碘离子对高碘酸钾氧化甲基绿的催化作用,建立了动力学光度法测定痕量碘离子的新方法,方法检出限0.14μg/ml,线性范围0~0.5μg/ml,包括其它卤素在内的大多数阴离子,阳离子不干扰测定,用于食盐中碘的测定,结果满意。 相似文献
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