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1.
2.
本文论述了电子系统中电磁干扰的来源、传播途径以及可以采取的防护措施,主要对防护措施中的电磁干扰缝隙屏蔽设计进行了讨论。 相似文献
3.
4.
Nd: KGd (WO4)2激光晶体生长 总被引:10,自引:5,他引:5
以K2W2O7为助熔剂,采用熔盐顶部籽晶(TSSG)法生长出尺寸为23mm×20mm×19mm的NdKGd(WO4)2激光晶体.比较了K2WO4和K2W2O7两种助熔剂的性能及对晶体生长的影响,认为K2W2O7熔点较低可以有效地降低晶体生长温度,有利于控制晶体生长和生长环境进行了KGd(WO4)2-KNd(WO4)2系统二元相图的研究,认为两者互溶性好,有利于晶体生长,并且Nd3+易于以化学剂量比取代Gd3+采用XRD、偏光显微镜及TG-DTA对晶体性能进行了研究,实验表明所生长的晶体为高温相的β-NdKGW.用光学显微镜对晶体表面裂纹、生长条纹、生长丘、生长台阶和包裹物等缺陷进行了观察,认为它们形成的原因是由于晶体生长工艺不稳定,温度梯度过大,拉速和降温速率过快. 相似文献
5.
李建利 《中国新技术新产品》2011,(17):1-2
随着钢铁冶金市场原料资源竞争激烈,国内和传统意义上的炼铁原料供应远远不能满足钢铁发展的需要。原料价格的飞涨,必须考虑降低生产成本的问题。烧结原料的物理、化学性质和烧结工艺参数直接影响烧结矿的产量与质量,黑龙江建龙的钒钛矿粉与普通的烧结矿粉比,最主要的优点是使用了含钒钛磁铁矿。钒钛磁铁矿的成球性能比较差,混合料的透气性不好,导致垂直燃烧速度慢,黏结相不充分,烧结矿的强度差和500℃时低温还原粉化严重,使烧结返矿率增加,产量和烧结利用系数大大降低。 相似文献
6.
7.
Nd:Gd3Ga5O12多晶原料合成及单晶生长研究 总被引:7,自引:2,他引:5
通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析,发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物,而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3。为避免原料中Ga2O3的挥发,按化学计量比配料,在1300℃下,采用固相反应法合成了Nd:Gd3Ga5O12(Nd:GGG)多晶原料。用此多晶原料,采用提拉法进行了Nd:GGG单晶生长研究,所获单晶的荧光发射峰位于1061.54nm。对晶体表面的开裂现象进行了分析。 相似文献
8.
稀土掺杂钨酸钆钾激光晶体生长 总被引:2,自引:1,他引:1
以K_2W_2O_7为助溶剂,在钨酸钆钾[KGd(WO_4)_2,KGW]晶体中分别掺入稀土元素离子Nd~(3+),Yb~(3+),Er~(3+)和Er~(3+)+Yb~(3+),用顶部籽晶提拉法分别生长出Nd∶KGW,Yb∶KGW,Er∶KGW和Er∶Yb∶KGW4种激光晶体。获得最佳的生长工艺参数是:转速为10~15r/min,拉速为1~2mm/d,降温速率为0.05~0.1℃/h,生长周期为10~15d。经X射线分析确定4种晶体均为β相。利用热重差热分析确定了晶体的熔点和相转变温度,结果表明:Nd∶KGW,Yb∶KGW,Er∶KGW和Er∶Yb∶KGW4种晶体的熔点分别为1085,1086,1080℃和1079℃;相转变温度分别为1023,1021,1021℃和1024℃。分析了晶体产生缺陷的原因。 相似文献
9.
采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Nd3+:KGd(WO4)2晶体,测得Nd3+实际掺杂浓度3.2at%。测得样品的吸收光谱及荧光光谱,计算得出808nm处吸收截面为0.6799×10-20cm2;荧光输出波长为1068nm和1351nm,测得荧光寿命为112μs。对不同尺寸的两样品进行了激光实验,当LD泵浦源输出功率为900mW时,分别获得326mW,305mW的1064nm激光输出,斜效率分别为62.7%和57.8%。水平和垂直两个方向上光束传输因子M2均小于1.2。经倍频获得532nm的绿光。用Cr:LuAG作为可饱和吸收体进行调Q实验,重复频率为15kHz时,脉冲宽为170ns。 相似文献
10.
随着激光设备的不断发展,自动化程度的不断提高,它对人眼及各种电子装置的干扰、损伤等的威胁也越来越大,激光防护越来越受到各国的重视。报道了激光防护共轭功能高分子的分子设计,合成系列共轭高分子,采用FT-IR、^1H NMR、UV、GPC和TGA对分子结构和热性能进行表征,测试了高分子的光限幅和非线性光学性能,讨论了高分子材料热性能增强与光限幅产生的机理以及分子结构与高分子光学性能之间的关系。 相似文献