A 1-V 60-μW 85-dB dynamic range continuous-time third-order sigma-delta modulator

A 1-V third order one-bit continuous-time（CT） EA modulator is presented. Designed in the SMIC mixedsignal 0.13-μm CMOS process, the modulator utilizes active RC integrators to implement the loop filter. An efficient circuit design methodology for the CT ZA modulator is proposed and verified. Low power dissipation is achieved through the use of two-stage class A/AB amplifiers. The presented modulator achieves 81.4-dB SNDR and 85-dB dynamic range in a 20-kHz bandwidth with an over sampling ratio of 128. The total power consumption of the modulator is only 60 μW from a 1-V power supply and the prototype occupies an active area of 0.12 mm^2.     

聚合物薄膜场效应晶体管研究进展

有机薄膜场效应晶体管（OFET）在电子报纸、智能识别卡、大面积平板显示及柔性显示、传感器、数字逻辑电路等方面具有非常广阔的应用前景。在OFET家族中，聚合物半导体膜因具有机械性能好、热稳定性高、成膜方法简单经济以及特别适合于制备大面积器件等特点，而使聚合物薄膜场效应晶体管（PFET）近几年来倍受关注。本文概述PFET的基本结构和工作原理、器件设计和制备以及相关的研究进展，最后讨论PFET器件未来的研究方向。     

聚合物薄膜场效应晶体管研究进展

有机薄膜场效应晶体管（OFET）在电子报纸、智能识别卡、大面积平板及柔性显示、传感器、数字逻辑电路等方面具有非常广阔的应用前景。在OFET家族中．聚合物半导体膜因具有机械性能好、热稳定性高、成膜方法简单经济以及特别适合于制备大面积器件等特点．而使聚合物薄膜场效应晶体管（PFET）近几年来倍受关注。本文概述PFET的基本结构和工作原理、器件设计和制备以及相关的研究进展，最后讨论PFET器件未来的研究方向。     

一种空间矢量脉宽调制算法的改进

分析传统SVPWM算法的原理,通过将死区电压矢量作为新的基本电压矢量,将原有六扇区增加为十二个,提出一种改进型的无死区的空间矢量脉宽调制算法。该方法没有增加新的硬件,也并未增加整体系统复杂度,易于实现。硬件实验结果表明,该方法能够在取得不下于传统算法输出的前提下,解决死区效应在应用过程中的影响。     

电力系统中继电保护事故原因分析及处理技术

近年来,随着电网结构的日益复杂和规模的不断扩大,电力系统的运行安全也受到了挑战,因此,需要定期的对继电保护的整定值进行校验。继电保护是实施电力系统保护的一个非常有效的手段,它不仅能保证电力系统安稳的运行,还大大降低了电力系统的运行成本。本文对电力系统中继电保护事故的原因进行了分析,并相应的提出了一些技术处理手段。     

一种1V 60uW 92dB 3阶连续时间Sigma-Delta 调制器

本文介绍了一个1V 3阶单比特连续时间Sigma-Delta（ΣΔ）调制器。该调制器采用SMIC 0.13um工艺，应用有源RC积分电路实现环路滤波器。本文提出并验证了一种连续时间Sigma-Delta调制器电路设计方法，电路设计效率大大提高。通过使用二级Class A/AB 运算放大器实现了调制器的低功耗性能。本文设计的调制器采用128倍的过采样率，在20K Hz的信号带宽内实现了91.22dB SNDR. 调制器工作在1V电源电压下，总的功耗只有60uW,而且有源芯片面积只有0.12mm2.     

光触发可控硅在直流输电中的应用

一、概况直流输电能将不同频率和不同时间出现高峰负荷的各电力系统联网,灵活控制电力潮流对提高发电设备的利用率和节约能源都能获得很好的经济效益。在直流输电系统中,最主要的设备要算交直流变换装置,该装置是由电力、电子、绝缘、冷却和抗震等方面技术发展