首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   16篇
  免费   1篇
  国内免费   31篇
电工技术   2篇
化学工业   3篇
机械仪表   1篇
建筑科学   1篇
轻工业   1篇
无线电   30篇
一般工业技术   4篇
冶金工业   1篇
自动化技术   5篇
  2018年   2篇
  2015年   1篇
  2014年   3篇
  2013年   1篇
  2012年   1篇
  2011年   2篇
  2007年   2篇
  2006年   9篇
  2005年   3篇
  2004年   12篇
  2003年   3篇
  2002年   2篇
  2001年   2篇
  2000年   2篇
  1995年   1篇
  1994年   1篇
  1978年   1篇
排序方式: 共有48条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管 (HBT),其特征频率(ft)达到54GHz,最高振荡频率(fmax)达到71GHz,并且,这种方法工艺简单,成品率高.文中还对该结果进行了分析,提出了进一步提高频率特性的方法.  相似文献   
2.
大本体规模过大,使得本体间映射复杂.针对已有方法在分块上的不足,提出一种基于模块抽取的大本体分块映射方法.通过建立本体依赖图的拉普拉斯矩阵来抽取本体模块,计算模块之间的相似度,实现分块映射.实验结果表明,该方法能有效实现大本体分块,提高映射效率.  相似文献   
3.
本文系统地介绍了安全监理的基本概念、3-作内容和工作原则、依据,并对目前建设工程项目中的安全监理的现状进行了初步分析。在上述分析研究的基础上,结合笔者对安全监理的理解以及多年的工作经验提出安全监理工作的思路。  相似文献   
4.
采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs/InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT),测得其跨导为522mS/mm,沟道电流密度达490mA/mm,截止频率为75GHz,比同样工艺条件下GaAs基InGaP/InGaAs PHEMT的性能有很大的提高.对该器件工艺及结果进行了分析,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法.  相似文献   
5.
报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT).由于基极微空气桥和发射极空气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2 μm×12.5 μm的InP HBT的截止频率达到了178GHz.这种器件对高速低功耗的应用非常关键,例如OEIC接收机以及模拟、数字转换器.  相似文献   
6.
自对准GaInP/GaAs HBT器件   总被引:10,自引:8,他引:2  
利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管 (HBT),其特征频率(ft)达到54GHz,最高振荡频率(fmax)达到71GHz,并且,这种方法工艺简单,成品率高.文中还对该结果进行了分析,提出了进一步提高频率特性的方法.  相似文献   
7.
正WQd70×10污水泵叶轮,材质为HT200,铸件重量14kg,外形尺寸φ210mm×160mm,铸件结构如下图所示。由于铸件结构的特殊性,2#芯的排气通道很小,其排气面积尺寸仅为80mm×20mm,主要铸件缺陷是气孔,缺陷位置分布在叶轮进水口的断面(图中A处)和铸件较厚的部位(图中B处),稍有不慎,浇注的时候还发生呛火现象,严重影响铸件质量,为消除铸件的此类缺陷,对其做了详细的工艺分析,按照制订的合理工艺措施实施后,基本消除了此类缺陷。  相似文献   
8.
比较研究了GaAs背面通孔腐蚀中的湿法腐蚀和ICP干法刻蚀技术,并利用感应离子耦合(ICP)干法刻蚀技术,采用CCl2F2/Ar混合气体,对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究。通过优化气压、射频功率、CCl2F2/Ar混合气体组分配比,在CCl2F2流量为200sccm,Ar流量为10sccm,源功率Pa=400W,偏压功率Pb=14W,自偏压Vb=120V,真空度P=43Pa时,得到了表面平滑的通孔形貌和最大的通孔刻蚀速率(4.3μm/min)。  相似文献   
9.
采用普通接触曝光研制成栅长为0 .2 5 μm的Ga As基In Al As/ In Ga As变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT) ,测得其跨导为5 2 2 m S/ m m,沟道电流密度达4 90 m A/ mm,截止频率为75 GHz,比同样工艺条件下Ga As基In Ga P/ In Ga As PHEMT的性能有很大的提高.对该器件工艺及结果进行了分析,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法.  相似文献   
10.
山西省的包装行业管理山西省包装办公室赵爱英,王润梅管理工作,在计划经济条件下是不可缺少的重要手段,同样,在市场经济条件下更为重要。我国包装行业是新兴行业,而包装工业又是星罗棋步,跨行业、跨地区,自八十年代才逐步形成了自己独立的行业体系,目前还很不完善...  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号