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掺杂Y_2O_3,Sm_2O_3对氧化铝瓷介电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了Y2O3、Sm2O3对氧化铝瓷烧结性能、介电性能和显微组织的影响。研究结果表明,Y2O3、Sm2O3在氧化铝瓷的烧结过程中可以显著降低氧化铝瓷的烧成温度,抑制晶粒生长,使晶粒尺寸变小,提高了陶瓷的致密性,降低了试样的结构损耗。掺稀土氧化物的氧化铝瓷在1600℃保温2h烧结后,相对密度达98.8%以上,介质损耗达到4.2×10-3。 相似文献
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Mn掺杂对快淬NdFeB永磁材料晶格与磁性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
应用DTA、XRD、VSM,EXAFS对快淬Nd9Fe85-xMnxB6(x=0,0.5,1)纳米复合材料磁性能进行了研究。发现少量Mn的掺杂能够显著促进快淬样品的晶化并提高快淬样品的永磁性能,在合适的热处理条件下,得到的最佳矫顽力和剩磁比分别从339.6kA/m(4266.5Oe)和0.70提高到398.2kA/m(5002.5Oe)和0.72,最大磁能积(BH)max从84kJ/m^3(10.5MGOe)提高到88kJ/m^3(11MGOe)。认为永磁性能的提高是由于Mn的掺杂使快淬NdFeB具有更有序的晶体结构。 相似文献
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掺杂对巨磁电阻钙钛矿La1-xAx(MnB)O3 Curie温度的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
测定了La1-xAx(MnB)O3(A为二价元素)型巨磁电阻钙钛矿化合物在不同组成的Curie温度。钙钛矿锰氧化物La1-xAx(MnB)O3的A位离子掺杂引起的晶格畸变可以用晶格能来表示,晶格能的大小能很好解释A位离子掺杂引起的Curie温度变化;B位离子掺杂引起的晶格畸变可用极化力来表示,极化力的大小很好解释了B位离子掺杂引起的Curie温度变化。钙钛矿锰氧化物的A,B位离子同时掺杂引起晶格畸变,可以用晶格能和极化力的综合判断系数(晶格能/极化力)来表示,它能很好解释A和B位离子同时改变引起的Curie温度变化,理论与实验结果一致。 相似文献