胎衣不下奶牛母体胎盘中有丝分裂原活化蛋白激酶及细胞外信号调节蛋白激酶基因异常表达的分析

目的分析胎衣不下(retained fetal membranes,RFM)奶牛母体胎盘组织中有丝分裂原活化蛋白激酶(mitogen-activated protein kinase,MAPK,MEK)及细胞外信号调节蛋白激酶(extracellular signal-regulated protein kinase,ERK,p42/44 MAPK)的异常表达。方法选取年龄、胎次、体况相近的产后胎衣正常排出和RFM奶牛各3头,分别为N和R组。产后用子宫内膜采样器采集两组奶牛胎盘样本,Western blot法检测样本中MEK、p42/44 MAPK、P-p42/44MAPK蛋白表达水平,RT-qPCR法检测样本中MEK、p42/44 MAPK基因mRNA转录水平。结果与N组比较,R组奶牛胎盘组织中MEK蛋白表达水平显著下调(P 0. 01),p42/44 MAPK蛋白表达水平下调,但差异无统计学意义(P 0. 05),P-p42/44 MAPK蛋白表达水平显著上调(P 0. 001);R组奶牛胎盘组织中MEK及p42/44 MAPK基因mRNA转录水平均显著下调(P 0. 01)。结论 RFM奶牛母体胎盘组织中MEK与p42/44 MAPK蛋白及m RNA转录水平均明显下调,可能是奶牛RFM发生机制中的关键。     

表面钝化对HfTiON栅介质Ge MOS电容性能的影响

通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜,并利用湿N2气氛退火,将HfTiN转化为HfTiON高κ栅介质.研究了表面钝化对MOS器件性能的影响,结果表明,湿NO表面钝化能改善界面质量,有效降低MOS电容的栅极漏电流,增强器件的可靠性.     

古树岭人工碎石加工系统生产能力分析

三峡工程古树岭人工碎石加工系统是左岸一、二期工程混凝土粗骨料供应基地，对该系统的工程概况、生产能力、级配调整等情况作了全面介绍。     

核电站继电保护二次回路可视化技术

针对核电站继电保护二次回路设备运维难度大等问题,提出了一种核电站继电保护二次回路可视化运维平台.首先分析了核电站继电保护二次回路的可视化功能需求,并设计了其架构和方案;其次从设备运行状态、配置描述文件管理、故障信息传递等方面对全景可视化进行了研究;最后建立了核电站继电保护二次设备故障诊断与告警模型,实现了核电站的智能化预警.该可视化运维平台可大幅度提升核电站运维管理的智能化水平.     

单相并网逆变器的定频滞环电流控制

提出一种用于分布式发电系统与公用电网并网的单相逆变器定频滞环电流控制新方法,该方法在对前一周期的电流误差进行采样的基础上,利用最小二乘算法估计下一周期电流误差的变化趋势,然后控制下一周期电流误差以实现定频滞环电流跟踪,改善输出电流波形,提高控制精度。利用Matlab进行建模,仿真结果证明了该方法有非常快的响应速度,可使输出电流与电网电压同频同相,向电网输出高质量的电能。     

退火气氛对Ge MOS电容电特性的影响

采用反应磁控溅射法在Ge衬底上制备了HfTiO高介电常数k栅介质薄膜,研究了不同气体(N2、NO、N2O)淀积后退火对Ge金属-氧化物-半导体(MOS)电容性能的影响.透射电子显微镜和电特性测量表明,湿N2退火能有效抑制界面层的生长,提高界面质量,改善栅极漏电流特性,从而得到最优的器件性能,即Al/HfTiO/n-Ge MOS电容的栅介质等效氧化物厚0.81 nm,k=34.5,带隙中央界面态密度为2.4×1011cm-2·eV-1,1 V栅偏压下的栅极漏电流为2.71×10-4A·cm-2.     

表面钝化对Ge MOS电容可靠性的影响

通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化,然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜,并利用湿N2气氛退火,将HfTiN转化为HfTiON高k栅介质.研究了表面钝化对Ge MOS器件性能的影响.实验结果表明,湿NO表面钝化能生长高质量GeOxNy界面层,有效降低MOS电容的栅极漏电流,增强器件的可靠性.     

Flash Paper2在电子教案开发中的应用

目前，有众多的软件工具可以用于电子教案的制作，比如Microsoft Word和Power Point，Macromedia Flash及Adobe Acrobat Reader等，其中不乏优秀的创作工具，但是这些软件制作出来的电子教案往往占剧空间大、不易传输、保密性与安全性不高。虽然swf格式的Flash动画或pdf格式的电子文档占用硬盘空间较小，适合网络传播，保密性强；     

基于线电流解耦的三相光伏逆变器控制研究

三相半桥电压源型逆变器存在三相开关控制相互干扰的问题,要实现定频滞环控制,必须对三相开关控制进行解耦。如果采用基于相电流的解耦控制方法,电流误差准确度过分依赖于逆变器交流侧的电感参数。提出基于线电流的解耦控制方法,保持某相开关状态不变,实现另外两相线电流控制的解耦,有效改善光伏逆变器输出性能;并通过采用基于积分法的定频滞环电流控制算法,提高系统控制精度。Matlab仿真结果证明,基于线电流解耦的解耦控制方法,能准确实现电流跟踪;积分滞环电流控制算法在实现定频控制的同时,能有效降低输出电流低次谐波含量,减少稳态误差。     

湿N_2退火HfTiO和HfO_2栅介质Ge MOS电特性研究

采用反应磁控溅射方法在Ge衬底上分别制备了HfTiO和HfO2高κ栅介质薄膜,并研究了湿N2和干N2退火对介质性能的影响。由于GeOx在水气氛中的水解特性,湿N2退火能分解淀积过程中生长的锗氧化物,降低界面态和氧化物电荷密度,有效提高栅介质质量。测量结果表明,湿N2退火Al/HfTiO/n-GeMOS和Al/HfO2/n-GeMOS电容的栅介质等效厚度分别为3.2nm和3.7nm,-1V栅偏压下的栅极漏电流分别为1.08×10-5A/cm2和7.79×10-6A/cm2。实验结果还表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入提高了介电性能,但是Ti的扩散也使得界面态密度升高。