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2~12GHz GaAs单片行波放大器 总被引:1,自引:1,他引:0
报道了一个全平面超宽带GaAs单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个300μm栅宽的MESFET,整个电路拓扑结构简单,芯片面积为3.0mm×1.8mm。电路经优化设计后在2~12GHz范围内,小信号增益为5±1dB,输入输出电压驻波比≤1.75。上述频率范围内输出功率≥16dBm,噪声系数≤8dB。采用全离子注入、全平面工艺,均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。 相似文献
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关于建安企业债务链的初探李先愿,梅妙庭(陕西省设备安装工程公司西安710068)近年来,建安企业的债务链又悄然形成,且链环发展很快,越长越粗,越接越长,已成为当前众多的建安企业,以及与之经济上有密切往来的企业生存发展的严重羁绊。1形成原由建安企业债务... 相似文献
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S波段低相位噪声HBTMMICVCO陈新宇,林金庭,陈效建(南京电子器件研究所,210016)中图分类号:TN322TN454SBandLwoPhaseNoiseHBTMMICVCO¥ChenXinyu;LinJinting;ChenXiaojian... 相似文献