全文获取类型
收费全文 | 104篇 |
免费 | 8篇 |
国内免费 | 5篇 |
专业分类
电工技术 | 12篇 |
综合类 | 7篇 |
化学工业 | 2篇 |
金属工艺 | 2篇 |
机械仪表 | 10篇 |
建筑科学 | 5篇 |
矿业工程 | 3篇 |
能源动力 | 3篇 |
轻工业 | 3篇 |
水利工程 | 7篇 |
石油天然气 | 9篇 |
无线电 | 40篇 |
一般工业技术 | 3篇 |
冶金工业 | 5篇 |
自动化技术 | 6篇 |
出版年
2023年 | 6篇 |
2022年 | 3篇 |
2021年 | 3篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 9篇 |
2018年 | 3篇 |
2017年 | 3篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 4篇 |
2014年 | 6篇 |
2013年 | 8篇 |
2012年 | 5篇 |
2011年 | 5篇 |
2010年 | 8篇 |
2009年 | 3篇 |
2008年 | 2篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 1篇 |
2004年 | 4篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 1篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 3篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 1篇 |
1994年 | 1篇 |
1992年 | 9篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 3篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 1篇 |
1982年 | 2篇 |
排序方式: 共有117条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
为提升IGBT单芯片的电流密度,掌握高压沟槽栅IGBT技术,进行4500 V沟槽栅IGBT芯片的研制。使用TCAD仿真软件,对4500 V沟槽栅IGBT的衬底材料、载流子储存层设计、沟槽宽度、沟槽深度、假栅结构等方面进行研究和仿真分析,明确各方面设计与芯片性能的关系。根据总体设计目标,确定相应的芯片结构和工艺参数,并对4500 V沟槽栅IGBT芯片进行流片验证。验证结果显示:4500 V沟槽栅IGBT芯片的测试结果符合设计预期,芯片的额定电流、导通压降、开通损耗和关断损耗等关键参数相比平面栅IGBT芯片有明显优化。 相似文献
2.
为了解决绝缘栅双极型晶体管在实际应用当中的典型关断失效问题,对其在电感无钳位开关条件下的电压应力、电流应力、雪崩能力以及失效模式进行了研究。基于电感无钳位开关测试电路,着重探讨了UIS条件下IGBT的击穿机理。封装打线时将铝线分别键合于多个IGBT芯片发射极的不同部位,并基于自主搭建的测试平台,对该批初步封装的IGBT芯片进行了电感无钳位开关条件下的应力测试。最后提出了封装改进建议,避免封装键合点对于IGBT UIS失效的影响。实验结果表明:封装焊线在IGBT发射极金属所引入的横向电阻会导致IGBT芯片的并联元胞等效电阻不均匀,并使电流更易集中于封装键合点附近,最终导致IGBT芯片在UIS条件下的失效点均位于铝线键合点附近。 相似文献
3.
4.
5.
通过微生物原位降解技术将剩余油转化成天然气,可以大幅度提高石油采收率,对油田的持续发展具有重要意义。本文以石油烃为唯一碳源,连续培养12个月可累计产气275ml,甲烷含量为72.731%。对厌氧烃降解过程中微生物群落结构进行研究,采用16Sr RNA基因克隆文库方法对产甲烷体系的三个阶段中的细菌和古菌进行了分析,揭示了微生物降解原油产甲烷气过程中的主要功能菌群的结构、生物学特征和产甲烷途径。 相似文献
6.
通过对自动气象站现场校准方法的改进,有效地简化了校准操作流程,缩短了校准时间,且尽可能保证观测数据的连续性。文章介绍了现场校准中常见问题及其解决办法,以便校准工作人员快速判断设备故障,并快捷、及时、有效的予以排除,大大提高了工作效率。 相似文献
7.
利用仿真软件FLOW-3D,对镁合金汽车方向盘骨架进行模拟.使用正交实验分析方法确定了压射速度、模具温度、浇注温度改变时压铸件产生缺陷百分比的变化.进行多组正交试验后,在优化的工艺参数下,观察液态镁合金充型及凝固过程中流场和温度场的分布情况,预测缺陷出现的部位,以寻求最佳的工艺参数,从而使铸造工艺和模具的设计得到了优化.模拟结果表明:最优的压射速度应为2.34m/s,模具初温为220℃,浇注温度为700℃,能达到最佳充型效果. 相似文献
8.
功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段,分析了器件内部相应的一系列复杂变化。结果表明:器件内部的"过耗尽"、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等变化,最终导致电流在pn结拐角处形成局部集中。最后,分析了器件结构参数对抗ESD能力的影响。 相似文献
9.
10.