城市公共绿地开发经营模式探讨

城市公共绿地在城市居民生活中扮演重要角色,然而政府用于建设公共绿地的资金已越来越不能满足社会的需求.所以,笔者从城市绿地开发的概念入手,通过分析总结典型案例,提出几种新的城市公共绿地开发经营模式,发动私人力量,公私联合建设管理城市公共绿地,尽量使城市公共绿地建设与受益相挂钩,减轻政府负担,形成新的符合市场经济发展的开发经营体制.讨论了新的开发模式中政府的职能与义务,提出相应的开发程序,就几个成功案例进行了详尽的分析.     

以火车站枢纽改造为导向的城市设计整合

结合交通枢纽改造实例,通过对城市综合交通枢纽的改造以及其带来的城市设计诸要素的整合作用的研究,探讨了通过交通枢纽的改造对于城市的土地使用功能的整合、城市空间环境的整治、交通设施的梳理、景观环境的改善等方面的意义。     

秦蝗岛中心花园广场及新中心区规划设计方案简介

秦蝗岛中心花园广场及新中心区规划设计方案简介陈天，覃日，王兴田一、规划概况秦皇岛中心花园广场是近期酝酿开发的秦皇岛市新中心区的核心区域。在规划范围内，是一个由城市中心广场、综合公园、办公楼、宾馆、商场、银行、娱乐场及住宅区等设施组成的城市综合性社区。...     

工艺参数对低压TVS器件耐压的影响

目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入.从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响.当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6V.DP注入能量在50 keY以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2 μm时击穿电压保持为7V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升.通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护.     

低温驯化速度对鲫鱼离水储藏酶活性的影响

为研究低温驯化及储藏温度对鲫鱼活体离水后储藏的影响,成年鲫鱼(Carassius carassius)放置于水箱中,采用每小时5℃和1℃速率,由25℃匀速降温降至0℃,分别在4℃和0℃冷库中离水储藏24 h,测定鲫鱼新陈代谢及抗氧化相关酶的活力,并探讨低温驯化及离水储藏对鱼体生理状态的影响。结果表明,1℃/h降温有利于乳酸脱氢酶(LDH)活力的保存。经过1℃/h降温驯化后,0℃储藏异柠檬酸脱氢酶活力功能得到了一定保存,脑琥珀酸脱氢酶(SDH)未受影响。丙氨酸氨基转移酶(ALT)活力体现为受储藏温度影响,0℃下其活力得到保存。0℃储藏导致丙二醛(MDA)的积聚,同时低温储藏中血液过氧化氢酶(CAT)集聚而肝脏未表现出明显变化。     

苏里格气田转向压裂技术优化及应用

气藏重复压裂成功条件苛刻,致使理论研究严重滞后于现场试验,使得该技术缺乏定量、定性的理论指导,导致大量的重复压裂没能获得理想的改造效果。根据苏里格气田直井初次压裂失效及低产原因,建立苏里格气田重复压裂选井选层决策依据,开展了适合苏里格气井复压地应力场变化模拟,通过暂堵剂筛选、评价,形成气井复压技术,指导了苏里格气田大量的重复压裂施工,从而提高单井产能。     

一种新型环保低温制冷系统

提出了一种采用氨做制冷剂、可用于获得低至．60℃低温的新型制冷系统,为我国低温冷库的建设提供了一条新型环保技术路线。该制冷系统具有两个蒸发温度回路,高温回路的蒸发温度在-35- -28℃之间可调,低温回路的蒸发温度在．50- -65℃之间可调。两个回路在低压循环桶处汇合。在对该系统进行热力计算的基础上,分析了系统的特点及应用中需要解决的问题。该制冷系统可在新建、改建或扩建．50- -60℃的低温库中采用。     

规模应用中虚拟机的统一标识问题及解决方案探讨

虚拟机是云计算和虚拟化环境中的一个关键基础元素.从规模应用中的运营管理出发,分析了虚拟机标识的现状和存在的问题,并给出了一种通用虚拟机统一标识的解决方案VMID.     

云数据中心网络技术浅析

在分析云数据中心网络特点,流量模型及架构的基础上,对网络虚拟化感知,二层多路径,网络虚拟化以及计算/存储网络融合等云数据中心网络关键技术进行分析比较,给出应用建议。     

1200V沟槽栅/平面栅场截止型IGBT短路耐量特性研究

研究了沟槽栅与平面栅结构1 200V/20A场截止(Field-stop)型(绝缘栅双极型晶体管)(IGBT)的短路耐量特性,从测试电路参数与器件本身的结构与工艺两方面对具有沟槽栅及平面栅结构的场截止型IGBT进行了探究,其中热耗散为引起击穿的主要原因。实际制作了沟槽栅-场截止型IGBT,采用优化的正面沟槽结构结合背面场截止薄片工艺,选择了合适的集电极-发射极间的饱和电流保证器件具有较低的导通压降的同时减少了焦耳热的产生,提升了芯片自身的抗短路能力(tsc>12μs),有利于沟槽栅IGBT应用的可靠性。