龙26-平3井卡钻事故的处理与认识

龙26-平3井是设计在松辽盆地中央坳陷区龙虎泡构造上的一口水平井,二开采用低粘高切油包水钻井液体系,水平段钻进时因旋转导向仪器故障起下钻10趟,完钻井深3910.00m,完钻起钻至1936.00m突然发生键槽卡钻,震击、泡柴油无效,爆炸松扣未成功,原钻具倒扣下击无效,超级震击器震击解卡。本文总结分析了此次键槽卡钻事故处理过程中出现的问题和成功做法,为类似井型卡钻事故的处理,积累了宝贵的经验。     

迪那2气田SCADA系统并行通讯的实现

综合有线网络的数据传输方式及无线备用网络传输方案的特点,分别在单井RTU单元、集气站RTU单元及控制中心路由器前端,利用Cisco 2960交换机解决环路问题。采用思科STP(生成树协议)在两种数据的传输之间进行环路判断,STP可在环路中自动进行数据判断从而避免通信的阻塞。交换机在本机所有端口同时发出BPDU数据包,BPDU数据向所有端口进行环路探测,当本交换机收到自己所发出的BPDU数据包,交换机可根据数据判断出环路的端口,并进行综合计算得出Root(主)端口,其他环路端口自动进入半激活状态,当环路(主)端口Down(关闭)或环路消失后,备份端口进入自动激活状态继续进行数据传输。     

求解串并联系统备件配置问题的蚂蚁算法

通过对串并联系统配置成本问题的分析提出了基于蚂蚁算法求解该问题的方法。蚂蚁算法作为一种生物进化算法但它与其他进化算法一样存在易陷入局部最小的缺点。在基本蚂蚁算法的基础上,通过修改它的信息素局域和全局更新规则,引入自适应的信息素挥发系数来提高收敛速度和算法的全局最优解搜索能力。实验结果表明,改进的蚂蚁算法具有很好的全局搜索能力,使全局收敛性及收敛速度两方面均得到提高。     

高速数控铣床关键部件动态特性的测试与分析

通过对高速数控铣床关键部件的模态试验的动态特性分析,了解数控铣床整机结构的固有特性,得到机床系统的模态参数和模态振型,找出影响机床动态特性的主要薄弱模态,为机床结构的动态改进设计提供参考依据和改进目标。     

300mm掺氮直拉硅片的原生氧沉淀径向分布

采取从某一温度(600～1000℃)开始缓慢升温至高温(1150℃)并保温若干时间的方法,使得直拉Si片中大于起始温度对应的氧沉淀临界尺寸的那一部分原生氧沉淀得以长大,然后通过傅里叶红外光谱测量氧浓度变化以及利用扫描红外显微术测量氧沉淀密度.通过这样的方法,定性地研究了300mm掺N直拉Si片的原生氧沉淀的径向分布.研究表明:氧沉淀异常区域(称为P区)的原生氧沉淀密度显著高于空位型缺陷区域(称为V区);此外,V区中的原生氧沉淀的尺寸分布是不连续的,表现为高温下形成的大尺寸原生氧沉淀和低温下形成的小尺寸氧沉淀,而P区中的原生氧沉淀的尺寸分布则是连续的.我们从直拉Si晶体生长过程中原生氧沉淀的形成机制出发,对上述结果做了定性的解释.     

某核电凝汽器低电位铝阳极阴极保护优化设计研究

数值仿真是研究、优化牺牲阳极阴极保护效果的重要方法。针对核电凝汽器阴极保护需求，完成基于低电位牺牲阳极阴极保护设计，开展了基于有限元数值计算的仿真模拟，研究了不同保护方案对凝汽器保护电位分布的影响。结果表明，采用优化的低电位阳极阴极保护方案，凝汽器中不锈钢组件的保护电位在-493～-810mV之间，钛组件保护电位在-386～-678mV之间，既可满足凝汽器阴极保护电位要求，又可以降低钛材的氢脆风险。     

大直径直拉硅单晶中的空洞型原生缺陷

空洞型 ( Void)原生缺陷在大直径直拉硅单晶中的重要性日渐突出。本文在论述大直径硅单晶中 Void缺陷基本性质的同时 ,详细综述了这类缺陷的控制方法以及它与轻元素 (氧、氮、碳、氢 )杂质的相互作用 ,并简要讨论了关于 Void缺陷的研究方法和今后的研究方向。     

电沉积法制备CuxS薄膜及其性质研究

利用电沉积的方法制备CuxS薄膜，研究了不同的络合剂，不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuxS薄膜性质的影响。研究发现：不同的络合剂可以制备得到不同相的CuxS薄膜，用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102)，当用柠檬酸钠作为络合剂的时候得到的是单斜的Cu31Sl6其主要晶面是(842)。当用Na2S2O3作为硫源的时候得到的是单斜的Cu31S16其主要晶面是(842)，当用硫脲作为硫源的时候得到是六方相的CuxS其主要晶面是(102)。随着热处理温度的提高，薄膜的结晶程度有了很大的提高，晶粒有了明显的长大，不同温度的热处理证实了CuxS薄膜的生长是沿着[102]方向定向生长的。     

氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响

研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷(voids)的影响.样品在1050～1200℃范围进行氢退火,退火前后样品上的流水花样缺陷(FPD)和晶体原生粒子(COP)在腐蚀后分别用微分干涉光学显微镜和激光记数器进行观察.实验结果表明在氢退火以后,FPD缺陷的密度随温度升高不变,而样品上的COP密度大量减少.分析可知,氢气退火仅仅消除了硅片表面的voids,而对于硅片体内的voids不产生影响,并在实验的基础上,讨论了氢退火消除voids的机理.     

旋涡气流光整加工机理及受力的分析

从研究旋涡气流光整加工机理入手，分析了磨粒在气流场中的运动和受力情况，推导出磨粒对工件内表面正压力的公式，探讨了各种参数对正压力的影响关系。