全文获取类型
收费全文 | 4678篇 |
免费 | 149篇 |
国内免费 | 175篇 |
专业分类
电工技术 | 321篇 |
综合类 | 296篇 |
化学工业 | 730篇 |
金属工艺 | 279篇 |
机械仪表 | 268篇 |
建筑科学 | 420篇 |
矿业工程 | 172篇 |
能源动力 | 130篇 |
轻工业 | 516篇 |
水利工程 | 179篇 |
石油天然气 | 148篇 |
武器工业 | 36篇 |
无线电 | 499篇 |
一般工业技术 | 296篇 |
冶金工业 | 203篇 |
原子能技术 | 50篇 |
自动化技术 | 459篇 |
出版年
2024年 | 10篇 |
2023年 | 58篇 |
2022年 | 59篇 |
2021年 | 55篇 |
2020年 | 65篇 |
2019年 | 81篇 |
2018年 | 74篇 |
2017年 | 44篇 |
2016年 | 53篇 |
2015年 | 59篇 |
2014年 | 181篇 |
2013年 | 98篇 |
2012年 | 112篇 |
2011年 | 134篇 |
2010年 | 134篇 |
2009年 | 152篇 |
2008年 | 112篇 |
2007年 | 147篇 |
2006年 | 157篇 |
2005年 | 139篇 |
2004年 | 152篇 |
2003年 | 116篇 |
2002年 | 108篇 |
2001年 | 132篇 |
2000年 | 162篇 |
1999年 | 158篇 |
1998年 | 177篇 |
1997年 | 250篇 |
1996年 | 285篇 |
1995年 | 201篇 |
1994年 | 146篇 |
1993年 | 129篇 |
1992年 | 146篇 |
1991年 | 131篇 |
1990年 | 169篇 |
1989年 | 131篇 |
1988年 | 49篇 |
1987年 | 45篇 |
1986年 | 48篇 |
1985年 | 44篇 |
1984年 | 37篇 |
1983年 | 33篇 |
1982年 | 40篇 |
1981年 | 31篇 |
1980年 | 53篇 |
1979年 | 25篇 |
1978年 | 12篇 |
1977年 | 8篇 |
1975年 | 8篇 |
1974年 | 11篇 |
排序方式: 共有5002条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
特殊软基地层下闸室基坑开挖的施工过程相对来说比较复杂,实际的操作也较为困难,给相关的施工人员带来了很大的困扰。由于软基低层的稳定程度较小,抗压性较差,整体的承载力也较低,使整体的施工进程开展无法顺利的进行,让其工作程序缺乏一定的连贯性。针对特殊软基地层下闸室基坑的开挖施工进行深入的研究,通过对特殊软基地层的特征的分析,确定出相应的施工方案,提升相关工作人员的施工技术,注重细节的处理,对开挖工序的开展进行重视。 相似文献
2.
针对电子产品SMT回流焊过程中存在较复杂的因素影响产品质量,提出了基于制程失效模式及影响分析(PFMEA)的SMT回流焊质量改善方法。该方法对SMT回流焊过程进行风险预先分析,分析其潜在失效模式,识别导致失效的主要因素和风险系数,并制定相应的改进措施。验证分析表明,通过改进,SMT回流焊过程的风险值得到有效控制,质量改善效果明显。 相似文献
3.
大连某金矿石中Au、Pb为主要回收元素,金主要以包裹金、单体金的形式存在,分别占总金的4272%和4100%。为确定该矿石的可选性进行了选矿试验,结果表明,矿石在磨矿细度为-74 μm占65%的情况下,以丁基黄药+乙硫氮为捕收剂,采用1粗1精2扫、中矿顺序返回流程处理,最终可获得金品位为3592 g/t、回收率为9421%,铅品位为3258%、回收率9766%的金铅混合精矿。 相似文献
4.
下面这篇文章从我国地质矿产勘查现状出发,并结合各种地质勘查技术及深部找矿存在的问题,希望为我国勘查工作提供参考。 相似文献
5.
6.
8.
构建直流微网容错控制对象模型,调节直流微电网的输出回路参数;以输出功率、直流微网的 参考电压、弱电网下系统惯性响应特征等为约束参量,构建直流微网容错控制目标函数,在不同电网强度下 进行直流微网容错控制的参数自整定性调节,采用无功环比例积分控制方法进行直流微网容错寻优分析, 建立模糊 PID控制模型,采用变结构的模糊 PID控制方法进行直流微网容错控制过程中的自适应加权学习 和误差反馈调节,实现直流微网容错控制改进设计。仿真结果表明,采用该方法进行直流微网控制的容错 性能较好,输出稳定性较强,具有较好的直流微网输出增益。 相似文献
9.
将电容去离子技术(CDI)与单价阴离子选择性交换膜结合构建新型膜法电容去离子膜堆(PSMCDI),并探索其在单/多价阴离子分离中的应用。采用自制的测试装置,以Cl-/SO42-水溶液为模拟体系,并选择现有的两种商业化单价阴离子选择性交换膜(ASV和ACS)作为膜元件,系统地研究了各参数(PSMCDI种类、阴离子组成和浓度、pH、操作时间、电压和流速)对单价离子选择性的影响。结果表明,总阴离子去除量随着阴离子浓度的增加而增加,但是对于单价离子(Cl-)选择性降低。随着操作时间的增加,单价离子(Cl-)选择性也降低。对于ASV膜,在1.2 V的直流电压、10 min吸附时间和30 ml·min-1进料流速的条件下得到1.6的单价阴离子去除选择性。同时,在相同条件下,ACS膜的单价阴离子去除选择性为1.4。 相似文献
10.