液压支架电液控制系统的设计

给出井下电液控制系统的网络结构,以及电液控制单元的组成和硬件系统设计方案;针对控制单元的抗浪涌问题,给出控制单元上电软启动方案;针对MCU控制回路以及阀控回路的电流检测给出浮地设计方案;针对阀控模块中,MCU初始化或意外复位是管脚状态不确定导致可能的灾难性事故给出上电时序化设计。     

团城铁矿地质环境恢复治理工程服务期管理

本文首先介绍了团城铁矿环境背景及其生态恢复治理工程的现状,然后,针对治理工程服务期间容易出现自维持功能弱,生产力不高,生态经济效益差等问题,提出了具体的管理方案。     

一种光伏逆变器低电压穿越辅助源

随着光伏电站的不断增多,光伏逆变器低电压穿越(LVRT)能力的作用日益显著。在低电压穿越过程中,逆变器内部供电不可间断,因此其辅助源需同时从直流侧和交流侧取电,而目前已有方案成本较高且不具备可靠关断能力。为此设计了可延时关断的低电压穿越辅助源,给出了详细的电路方案,并通过实验验证了电路结构简单、性能可靠,可以有效保证逆变器低电压穿越的稳定工作,达到了预期目标,降低了产品成本。     

适用于高功率密度场合的谐振式HFAC配电系统

高频交流(HEAC)配电系统作为一种新型配电方式,具有功率密度高、暂态响应快及易于电气隔离等优点,受到了航空航天、新能源汽车及微电网领域的关注。就HFAC配电系统中初级DC/DC变换器及后级高频谐振逆变器进行了深入研究;针对初级DC/DC环节,建立了动态数学模型,给出了主功率参数确定原则,并分析了其开环特性,进而加入三阶补偿环路,实现了幅值的闭环控制。针对后级高频逆变环节,提出了半桥谐振拓扑方案,并重点对交流母线的脉冲相位调制(PPM)进行了分析,从而实现了相位的闭环控制。通过仿真和实验验证了所设计拓扑与控制方法的可行性和可靠性,为HFAC配电系统在新领域的应用提供了一定指导意义。     

采用磁集成技术的低压大电流DC/DC变换器的仿真

运用回转器一电容模型可以很好的理解磁性器件，特别是复杂的集成磁件。文章运用磁导电容类比建模法建立了磁件的回转器一电容模型。在回转器一电容模型中，磁路由容性电路来模拟，绕组由双端口的回转器来代替。进行了采用磁集成技术的低压大电流DC／DC变换器的仿真。仿真电路拓扑是原边不对称半桥、副边倍流整流电路。磁集成变压器的结构是Wei Chen提出的原边绕于中柱的只在侧柱开气隙的倍流整流磁集成结构。建立了用SPICE语言描述的回转器仿真模型。仿真软件是MULTISIM2001。     

古北口水文站水质水量自动监测系统的应用

为保障<21世纪初期首都水资源可持续利用规划>的顺利实施,为密云水库提供科学的监测资料,根据<官厅、密云水库上游水质自动监测系统一期工程项目建议书>的要求,将承德戴营水质水量监测断面下迁20km,为省界断面,更名为古北口水文站,为提高潮河河北段水质水量采集时效性、及时发现监测河段水污染事故,全面、准确地监测潮河河北段进入北京市的水质水量及其变化规律,因而在古北口水文站建设水质水量自动测报系统,为远程科学决策提供重要依据.     

变频空调控制器内、外机通讯及系统机监控系统的研究

介绍了一种特殊的变频空调控制器中内、外机通讯方式,并利用MAX232芯片实现了内机与外机和系统机间多CPU的通讯。实际应用中通讯速度快、可靠、即提高了研究效率也方便了空调系统的维修。     

高压固态断路设备均压技术研究

高压直流输配电系统是解决可再生能源大规模接入的重要途径,而高压直流断路器已成为直流电网发展的瓶颈问题。传统的机械式断路器在断开负载时响应时间长、易产生电弧及寿命短,难以满足HVDC系统的速动性和可控性要求。研究基于Si C-MOSFET串并联的固态高压直流断路设备,深入分析其工作特性以及寄生参数对开关过程的影响,提出一种适用于Si C-MOSFET的改进型动态有源门极钳位网络,并通过仿真和试验验证了可行性。     

自动增益的钢丝绳检测电路及等空间信号采集的实现

给出一种基于频-压转换器和对数运算放大器的钢丝绳信号自动增益和等空间采集电路，测试结果表明该电路可方便地消除钢丝绳探伤中检测速率对线圈传感器输出的影响，避免信号在AID输入端产生饱和。设计了基于胁和DSP的多传感器（霍尔传感器阵列）钢丝绳检测系统，给出了由FFGA产生多通道模拟开关和A／D控制时序的仿真结果，表明系统可以实现多路信号的等空间采样。     

功率MOSFET隔离驱动电路设计分析

半导体开关管器件作为开关电源中的关键器件,其驱动电路的设计是电源领域的关键技术之一,普通大功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)由于器件结构不同,驱动要求和技术也不相同,小功率MOSFET的栅源极寄生电容一般为10~100 pF,而大功率MOSFET的栅源极寄生电容则可达1~10 nF,因此需较大的动态驱动功率。目前,对于MOSFET隔离驱动方式主要有光电耦合隔离和磁耦合隔离,一般以磁隔离为主要应用方式,在传统的MOSFET磁隔离驱动电路中,若占空比出现突变,其隔离输出的低电平则会出现上扬现象,导致开关管出现误动作,严重可能导致MOSFET器件烧毁,给出载波隔离驱动方法和边沿触发隔离驱动方法,两种方法都能克服低电平的上扬问题,通过测试对比两种驱动方式的优缺点。