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1.
电流二次回路缺陷造成线路保护误动作分析及防范措施 总被引:1,自引:0,他引:1
国内多次发生因电流二次回路缺陷造成的线路保护误动作。通过分析其他设备电流二次回路的开路、短路而导致连接于同一电流二次回路的线路差动保护误动作、零序保护误动作等典型案例,指出目前串接故障录波及行波测距装置的做法增加线路保护电流二次回路复杂性,降低线路保护运行可靠性,存在导致所接入多套保护同时误动作的风险。为此,提出线路保护应采用专用电流二次回路,与其他二次设备分开,分别引入2组断路器电流以简化二次接线并减少外来干扰。同时,结合电网发展要求提出在现有二次绕组基础上增加1组5P级绕组并对各绕组分配使用进行了优化。文中所提方法已在西北750 kV电网建设和运行中获得应用。 相似文献
2.
3.
利用万能试验机在室温下对等静压铍材进行不同应变量的压缩试验,并采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术分析了铍材的孪生形成情况和织构演变。结果表明:铍在室温压缩变形时只发生{1012}拉伸孪生,在拉伸孪生的演变过程中,孪生萌生和长大过程对晶粒发生大角度转变和新织构{0001}的形成有着很大的促进作用;孪生后期对铍滑移变形的协调作用减少,单轴压缩力偶对新织构{0001}的形成也起着重要作用。 相似文献
4.
高铍铍铝合金中的杂质元素硅对高铍铍铝合金热等静压、精密铸造及耐腐蚀性能影响较大,需要对其含量进行严格控制,所以测定高铍铍铝合金中的硅具有重要意义。采用硫酸(1+1)、硝酸和氢氟酸于水浴条件下溶解试样,用硼酸掩蔽剩余氟离子,在0.10~0.15mol/L硫硝混酸介质下,钼酸铵与硅反应生成硅钼黄杂多酸,稳定20min后,用草酸掩蔽铁离子,同时加入抗坏血酸将硅钼黄还原成硅钼蓝,放置10min,于波长820nm处采用分光光度法进行测定,实现了硅钼蓝分光光度法对高铍铍铝合金(铍的质量分数为60%~70%)中硅的测定。在优化的实验条件下,试液中硅质量在10~60μg范围内与其对应的吸光度呈良好的线性关系,相关系数为1.000,方法中硅的检出限和测定下限分别为0.0021%(质量分数,下同)和0.0071%。按照实验方法测定60BeAl和70BeAl两个高铍铍铝合金试样中硅含量,测得结果的相对标准偏差(RSD,n=8)为2.9%~3.4%。将实验方法用于测定高铍铍铝合金实际试样中硅含量,结果与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)相吻合。 相似文献
5.
一种改进的MRVM方法及其在风电机组轴承诊断中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
针对风力机电组轴承故障难以诊断的问题,提出一种基于改进多分类相关向量机(MRVM)的风力机电组主轴轴承概率性智能故障诊断方法。首先,为了减少人为设定核参数的主观性以提高其分类性能,提出MRVM最优核参数自适应选取方法;然后,通过仿真实验结果验证所提方法的有效性及优越性;最后,以风电机组主轴滚动轴承故障诊断为实例,提取小波包能量为故障特征输入到改进后的MRVM中进行故障识别。实验结果表明,该方法可提高故障诊断准确率及效率,同时可输出故障诊断结果的概率信息,为实际检修人员提供更多参考信息。此外,通过与其他方法的对比实验进一步表明该方法在智能故障诊断方面的优越性。 相似文献
6.
超高压线路后备保护整定原则探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
通过一起线路保护拒动造成330kV变电站全站失压事件的分析,指出在微机保护主、后一体化配置情况下,当线路发生故障而由于装置自身或相关设备原因造成主保护拒动时,装置内的后备保护也难以可靠出口,只能依靠相邻线路的后备保护切除故障。在采用近后备方式条件下,相邻线路保护会由于灵敏度不足而无法可靠动作,从而导致事故范围进一步扩大。为此,提出超高压线路保护可采用近后备与远后备相结合的方式,距离Ⅲ段主要作为相邻线路故障的后备保护,应对相邻线路故障有灵敏度。详细介绍了距离Ⅲ段的整定计算原则,并分析了应用中需注意的问题。所提方法提升了线路保护保障电网安全稳定运行的能力。 相似文献
7.
9.
10.
以十二胺为模板剂,正硅酸乙酯为硅源,室温下合成了六方介孔硅(HMS)以及一系列不同n(Si)/n(Ti)的介孔分子筛Ti-HMS。并分别以HMS和Ti-HMS为载体,采用浸渍法合成了Cu-HMS和Cu/Ti-HMS分子筛。采用XRD、FT-IR、SEM等手段对其进行了表征。分别考察了硅钛比、反应时间、催化剂用量、反应温度、H2O2/S的摩尔比对Cu/Ti-HMS脱除模型油中噻吩的影响。结果表明,合成的HMS与Ti-HMS均有明显的六方介孔特征,引入Cu后六方介孔结构仍保持完好。Cu/Ti-HMS能有效地催化氧化脱除噻吩。在常压70℃时,当催化剂用量为0.1g/10mL模型油,n(H2O2)/n(S)为6,乙腈为萃取剂时,脱硫率达93.54%。 相似文献