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1.
为诠释柱状晶贵金属兼具优良超细丝加工性能及高电阻率的原因,采用水平连铸、水冷铜模铸造及石墨模铸造,分别获得了具有20 μm×60 μm的柱状晶、10 μm的等轴晶、以及5 μm的表面细晶+长径比约为3的柱状晶+30 μm的芯部等轴晶三晶区的三种Ag-28Cu-0.75Ni合金棒材,研究了晶粒形态、尺寸对Ag-28Cu-0.75Ni合金棒材超细丝加工性能及电阻率的影响。结果表明:与等轴晶和三晶区Ag-28Cu-0.75Ni合金棒材相比,柱状晶棒材由于其较低的位错密度(1.78×1015 m-2)及显微硬度变化率(33.3%)、铸态断口无解理台阶,表现了出最低的加工硬化率,且铸态轴向抗拉强度高达384.6 MPa,可实现100 m以上、直径0.05 mm超细丝高效不断丝加工;加工态及退火态的柱状晶Ag-28Cu-0.75Ni合金超细丝均表现出了较高的电阻率,经两次连续退火后电阻率高达3.68 μΩ.cm,与其较低的位错密度及加工硬化率有关。 相似文献
2.
3.
为解决Ag-Cu-Sn系钎料合金显微组织粗大的问题,并改善其力学性能和钎焊性能,采用单辊急冷甩带法制备厚0.2 mm,宽12 mm的Ag-22.4Cu-20Sn钎料薄带,通过使用差示扫描量热仪、X射线衍射仪、SEM及能谱仪对该钎料薄带的熔化特征、相组成以及显微组织进行了分析。采用Ag-22.4Cu-20Sn钎料薄带进行铜板和镍板的铺展性试验和搭接钎焊试验。结果表明:单辊急冷甩带法制备的Ag-22.4Cu-20Sn钎料薄带由亚稳相α-Ag、Ag_4Sn、Cu_(41)Sn_(11)金属间化合物组成,钎料合金显微组织为细小的等轴晶组织。Ag-22.4Cu-20Sn钎料薄带在铜板、镍板上润湿良好。钎接接头均形成了冶金结合,接头拉抗剪强度较高,均满足工程实际要求。 相似文献
4.
为研究弹体高速侵彻超高性能混凝土的现象和规律,对钢纤维体积分量为1.0%的C120超高性能混凝土和钢纤维体积分量为2.5%的C160超高性能混凝土开展准静态单轴压缩试验、劈裂抗拉试验和弹体高速侵彻试验。采用修正的美国国防研究委员会(NDRC)经验公式和量纲分析得到的经验公式,对侵彻超高性能混凝土试验中的弹体侵彻深度进行计算分析。计算和试验结果表明:相比于普通混凝土,超高性能混凝土有着较高的拉压比和优越的抗靶体表面破坏的能力,试验后靶体的表面开坑面积较小,开坑直径大约为8~12倍弹径;向外沿径向产生的裂纹较小且短,平均裂纹数量为4条;随着超高性能混凝土的强度从120 MPa提高到160 MPa,靶体表面开坑直径减小,开坑深度降低,钢纤维的加入提高了靶体的韧性,从而降低了靶体的表面开坑直径;相比于普通混凝土,超高性能混凝土的侵彻深度较小,但随着超高性能混凝土靶体的强度从120 MPa提高到160 MPa,其 侵彻深度没有明显的下降;修正后的NDRC经验公式可以很好地预测弹体高速侵彻下超高性能混凝土的侵彻深度,利用量纲分析得到的侵彻深度公式可以为后续的试验预测提供参考。 相似文献
5.
深圳城市河流污染治理及生态恢复的措施 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍深圳市城市河流污染现状及河流污染治理、生态恢复采取的措施。 相似文献
6.
7.
采用磁控溅射真空镀膜技术制备银包铝复合线坯,通过后续不退火多道次拉拔,制备低密度的超细银包铝复合软导线。结果表明,磁控溅射处理时,银镀层厚度随走线速度加快而变薄,随溅射电流增加而增厚;拉拔加工要求银镀膜层厚度大于1.3μm,道次变形量宜小于7%;随银镀层厚度增加,制备的10μm超细丝的密度和抗拉强度均增大。将φ15μm的纯铝芯材采用优选条件溅射镀银膜,经拉拔加工制得φ10μm的银包铝复合软导线,其密度为4.87 g/cm~3,抗拉强度286 MPa,复层表面均匀致密无缺陷。 相似文献
8.
Pd-Ag-Sn-In-Zn合金时效强化机制研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过硬度测试、X射线衍射(XRD)分析、扫描电镜(SEM)观察研究了Pd-Ag-Sn-In-Zn合金时效强化行为及相关的微观结构变化,从而很好地解释了该合金的时效强化机制。结果表明,时效前期合金硬度的增加与在晶界处形成中间过渡相有关。通过扫描电镜观察,可以清楚地看到基体相以及等温时效过程中在晶界处有类似珠光体的析出相。随着稳定第二相的长大,硬度持续下降。 相似文献
9.
10.
针对TSMC 0.13m RF CMOS射频和混合信号工艺器件库中无变压器器件,而变压器器件是设计射频通信电路的关键,该器件的有无直接影响射频通信前端电路性能的优劣. 通过对多种片上变压器的性能研究,设计出应用于LTE/WiMAX的八边形片上变压器,给出了与频率无关的集总元器件等效电路模型及模型参数提取公式,并对新器件进行了流片,测试结果表明在0.1~10GHz频率范围内L、Q参数具有良好的吻合性,且耦合系数K良好,达到设计目的. 该变压器的设计成功将有助于4G通信芯片的开发和应用. 相似文献