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Journal of Materials Science -  相似文献   
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Photonic Network Communications - In the present work, a high-speed optical encoder is proposed based on two-dimensional photonic crystal ring resonator using coupled mode theory and resonance...  相似文献   
4.
Anzaldo  Alexis  Andrade  Ángel G. 《Wireless Networks》2022,28(8):3613-3620
Wireless Networks - Beyond five generation (B5G) systems will demand strict and heterogeneous service requirements for the emerging applications. One solution to meet these demands is the dense...  相似文献   
5.
王燕  滕琳  吕瑞雪  杜传伟  罗海宁 《中州煤炭》2022,(11):53-57,79
针对莺山断陷北部沙河子组沉积相带变化快、钻遇井较少、沉积分布规律及物源认识不清等问题,采用单井相、地震相分析等手段开展研究区沉积特征研究。结果表明,研究区发育湖泊相、辫状河三角洲相、扇三角洲相,其中扇三角洲相包括3亚相9种微相,辫状河三角洲包括2亚相6种微相,湖泊相包括2亚相4种微相。依据地震反射特征,将其地震相划分为3类:①平行、中低振幅、连续;②似平行、中低振幅、中低连续性;③杂乱反射、中低振幅、断续。结合区域构造特征,表明研究区沙河子期主要受三支物源体系控制(西北部、东北部、东南部),最终明确各个砂组沉积演化规律,每个砂层组时期沉积类型存在差异。该研究成果可为莺山断陷北部沙河子组勘探部署提供指导。  相似文献   
6.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - The Co1?xZnxFe2O4 (Co–Zn) ferrite nanoparticles with x varying from 0.0 to 0.4 have been manufactured by facile chemical...  相似文献   
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Journal of Materials Science: Materials in Electronics - The ZnO and TiO2 nanopowders have been prepared by means of the pulsed laser reactive ablation of metallic (Zn, Ti) targets. The Structural,...  相似文献   
8.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - Non-volatile organic memory devices were fabricated using polystyrene sulfonate (PSS)?+?nitrogen-doped multi-walled carbon...  相似文献   
9.

InN thin films are grown on sapphire substrates by remote plasma-assisted metal organic chemical vapor deposition while varying the indium pulse length and substrate temperature. The effects of the indium pulse length and temperature on the structural, morphological, electronic, and optical properties of the thin films are studied. The structural parameters are determined by X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy and the effects of incorporating oxygen atoms in the structure is described. The N K-edge X-ray absorption spectroscopy (XAS) and X-ray emission spectroscopy (XES) measurements are used to determine the band gap and it is found to be 1.80?±?0.25 eV for all samples. A complementary measurement namely, X-ray excited optical luminescence measurement is performed to confirm the band gap value obtained from XAS and XES measurements. O K-edge XAS measurements are performed to determine the presence of oxygen impurities in the samples. Meanwhile, we carry out the density functional theory calculations for Wurtzite InN, hypothetical Wurtzite-type InO0.5N0.5, and InO0.0625N0.9375 structures. We find that the measured N-edge spectra agree well with our Wurtzite InN calculations and the measured O K-edge spectra agree better with hypothetical Wurtzite-type InO0.0625N0.9375 than Wurtzite-type InO0.5N0.5.

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10.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - In the recent years, metal oxides have attracted more interest for researchers because of their applications in energy and...  相似文献   
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