高加速度冲击下针刺火工品的形变研究

采用霍普金森压杆试验方法对针刺火工品壳体形变进行了研究,并用ANSYS/LS-DYNA软件对过载冲击下针刺火工品壳体各特征部位的受力情况进行了数值模拟分析,得到了耐高过载针刺火工品壳体形变变化规律,明确了针刺火工品在过载冲击载荷下导致结构失稳的薄弱部位,为以后耐高过载针刺火工品设计提供理论参考。     

IGCC气化站的动态建模

以荷兰Buggenum的IGCC项目的气化站为研究对象,建立了气化站的动态模型,气化炉由流动模型、化学反应平衡模型、传热模型、渣层模型四个子模型构成,渣层动态模型是气化炉动态模型的基础,引入三个组成模块：气体容积模块,饱和节点模块和气液接触设备分段模块来构建气化站的其他设备动态模型。进行了气化站的稳态和动态仿真,得到的稳态结果和动态趋势与有关文献的结果一致。为气化站的动静态特性研究和气化站的控制研究打下了基础。     

超细含能材料表征技术研究进展

综述了超细含能材料的表征技术研究现状,对超细含能材料的表征技术变化进行了分析,提出了今后的研究方向,即充分发挥多学科优势,进一步开展超细含能材料表征技术及作用机理的研究,以获得具有实际应用价值的超细含能材料的表征技术方法。     

重庆市朝天门两江隧道越江段盾构法合理覆盖层厚度研究

江底隧道的覆盖层厚度十分重要。一方面，如果覆盖层厚度太小，江底隧道工作面就有面临严重的失稳问题和江水涌入的危险，会使辅助工法的投入增大。另一方面，覆盖层厚度太大将增加江底隧道的长度、坡度与造价。首先将重庆朝天门两江隧道与国内外一些知名海底隧道进行比较，得出其在盾构施工方法下的覆盖层厚度建议。然后根据公路隧道施工技术规范，提出标准隧道新概念。结合重庆朝天门两江隧道的工程实际情况，分别比较在不同覆盖厚度下朝天门两江隧道与标准隧道拱顶位移和主拉应力，最后得出该隧道的合理覆盖层厚度。     

超细CL-20的制备与测试

采用溶剂.非溶剂的方法得到了CL-20超细颗粒,并进行表征.结果表明,细化后CL-20的颗粒形貌更为圆滑,粒度分布处于0.352-1.198μm之间,晶型仍为ε型.感度测试表明,细化后的CL-20较之原材料撞击感度有所降低,冲击片感度有所提高.     

基于AVR的VGA显示和激光打印系统

用ATMEGA128单片机结合CPLD实现了对VGA显示器和激光打印机的控制,完成了在VGA显示器上实时显示字符和图形的功能,并控制激光打印机实现了屏幕信息的打印输出。本设计克服了单片机系统显示和打印功能薄弱的缺点,为扩大其应用范围奠定了基础,同时也为其他嵌入式系统的信息输出提供了一种解决方案。     

斯蒂芬酸铅的微纳米化及性能研究

采用微乳液法合成出平均粒度在10~20μm之间的斯蒂芬酸铅(W-LTNR),在合成LTNR过程中,加入适量研磨珠制备出平均粒度在5μm以下的细化LTNR样品(Y-LTNR)。通过电子显微镜和激光粒度测试仪对细化前LTNR、W-LTNR及Y-LTNR样品晶体形貌和粒度进行分析,采用差示扫描量热分析仪(DSC)和真空安定性测试仪,测试了3种LTNR样品的热性能和5s爆发点。结果表明,3种LTNR样品的DSC分解峰温度基本保持一致;相比细化前LTNR,高能冷却研磨后样品(Y-LTNR)活化能有所提高,5s爆发点温度略有提高,热感度有所降低。     

IGCC电站空分系统精馏塔的建模

以逐板法建立了IGCC电站空分系统精馏塔的动态模型,研究了下塔液氮抽取量对产品氮气和产品氧气纯度的影响,上塔氧气抽取量对产品气纯度的影响,以及氧气抽取量阶越变化时,产品气纯度的动态响应。     

高过载对硼系延期药形貌特征及性能的影响

采用自由式霍普金森杆和扫描电镜(SEM),以针刺延期雷管和裸药柱为研究对象,对不同过载冲击下硼系延期药的形貌特征及性能变化规律进行了研究;并根据药剂形貌特征变化,分析了装药压力对硼系延期药耐高过载性能的影响。结果表明,过载冲击强度越大,延期药微观形貌受损越严重;延期药装药压力为100MPa时,过载冲击对组分微观形貌无影响,装药压力为400MPa时,过载冲击会破坏组分微观形貌,导致延期药燃速加快,精度变差。     

不同调制周期的Al/MoO3半导体桥发火器件电爆性能研究

采用磁控溅射技术制备总厚度为6μm,调制周期分别为134nm/166nm和22nm/28nm的Al/MoO_3复合薄膜,并将其与半导体桥(SCB)整合形成含能半导体桥(ESCB)发火器件,研究了Al/MoO_3含能薄膜及SCB-Al/MoO_3含能半导体桥的性能。DSC分析表明,调制周期为22nm/28nm的薄膜只有1个放热峰,其活化能为245k J/mol;调制周期为134nm/166nm的薄膜有3个放热峰,最大放热峰的活化能为200k J/mol。22nm/28nm的含能薄膜燃速为5.34m/s;134nm/166nm的含能薄膜燃速为1.79m/s。随着调制周期的增加,SCB-Al/MoO_3的临界发火时间变长,调制周期对临界发火能量、作用总时间、作用总能量无影响,SCB-Al/MoO_3(22nm/28nm)的电压发火感度高于SCB-Al/MoO_3(134nm/166nm)。