DC-V型通用电桥电路技术在机械量测试中的应用

介绍了一种新型的DC-V型通用电桥电路的构成及基本原理。对比分析电阻应变式电桥的各自工作状态性能。所提出的DC-V型通用电桥电路可显著提高测量精度,保证测量精度的稳定性,同时实现了测量电桥的互换。     

固体电解质(玻璃)与硅的阳极连接机理及界面分析

固体电解质(玻璃)与硅片通过阳极连接可以实现良好键合.采用SEM和EDS对界面结构进行了分析.连接的过程与由耗尽层产生的静电场力有紧密关系,通过建立的模型分析了电场力产生的原因.实验表明:温度、压力、连接时间、表面光洁度、电压是影响连接质量的重要因素,优化连接参数是形成良好连接界面的前提.     

硼硅玻璃与硅阳极键合界面形成机理分析

对硼硅玻璃与硅进行了阳极键合实验,通过扫描电镜对键合界面的微观结构进行分析表明:玻璃/硅的键合界面有明显的中间过渡层生成;分析认为电场力作用下玻璃耗尽层中的氧负离子向界面迁移扩散并与硅发生氧化反应是形成中间过渡层的主要原因,而界面过渡层的形成是硅/玻璃界面键合实现永久连接的直接原因.     

硼硅玻璃与硅阳极键合机理分析

硼硅玻璃与硅进行阳极键合试验,通过扫描电镜及能谱分析对键合界面的微观结构进行分析,结果表明:玻璃/硅的键合界面有明显的中间过渡层生成;在电场力作用下玻璃耗尽层中的氧负离子向界面迁移扩散并与硅发生氧化反应是形成中间过渡层的主要原因,界面过渡层的形成是玻璃/硅界面键合实现连接的基本条件。     

金属与陶瓷阳极连接高压脉冲电源的设计

设计了用于金属与陶瓷阳极连接的高压脉冲电源,并在该电源的基础上进行了K4玻璃/Si的阳极连接试验,该电源系统由高压直流工作电路、脉冲控制电路、数据采集及显示电路三部分单元线路组成,工作稳定,连接件界面连接良好,达到了设计目的,连接过程中平均电流和连接速率提高.     

功能陶瓷(玻璃)与金属材料阳极键合的机理研究及应用进展

阐述了功能陶瓷、玻璃等无机非金属材料与金属及半导体材料进行阳极键合的键合机理、在MEMS中的应用及其发展前景;列举了阳极键合在MEMS生产过程中的一些最新应用实例;指出了其在MEMS的生产制造过程中存在的一些问题及今后的研究方向.     

玻璃/铝/玻璃三层结构阳极键合机理分析

对玻璃/铝/玻璃3层结构进行阳极键合试验,分析键合温度和电压对键合电流的影响;通过扫描电镜对键合界面的微观结构进行分析,表明键合界面良好;对玻璃/铝/玻璃3层结构阳极键合机理进行探讨,认为键合界面处接通电流瞬间产生的强大的静电场力是实现玻璃/铝/玻璃界面紧密接触并形成良好界面键合的主要原因。     

玻璃/铝多层结构间阳极键合机理及界面微观分析

采用阳极键合法对玻璃/铝多层结构层间连接进行试验,通过SEM、EDS分析玻璃/铝多层结构键合界面的显微组织。结果表明:对连接接头进行拉伸试验时,断裂发生在玻璃基体中,这表明键合界面的结合强度高于玻璃基体;界面由过渡层组成,且过渡层元素呈梯度分布,过渡区主要为Al2Si O5复合氧化物。分析认为键合界面处复合氧化物Al2Si O5的形成是实现玻璃/铝界面连接的主要原因。     

硼硅玻璃与硅阳极键合机理及其界面微观结构分析

为提高玻璃与硅的阳极键合技术在微电子制造和封装过程中的稳定性,对硼硅玻璃与硅进行了阳极键合试验,通过工艺试验,从固态热力学角度分析键合温度和电压对硅/玻璃键合质量的影响;通过扫描电镜对硅/玻璃键合界面的微观结构进行分析,认为键合温度和界面区的强电场是形成界面过渡层的主要因素,界面过渡层的形成促进了硅/玻璃的永久键合。     

功能陶瓷（玻璃）与金属材料阳极键合的机理研究及应用进展

阐述了功能陶瓷、玻璃等无机非金属材料与金属及半导体材料进行阳极键合的键合机理、在MEMS中的应用及其发展前景；列举了阳极键合在MEMS生产过程中的一些最新应用实例；指出了其在MEMS的生产制造过程中存在的一些问题及今后的研究方向。