PEG模板组装纳米TiO2多孔薄膜的制备

以钛酸丁酯为无机原料,加入高分子表面活性剂聚乙二醇(PEG)作模板剂,采用溶胶-凝胶工艺和浸渍-提拉技术在玻璃基片上制备了孔径在10 nm～1 000 nm范围内可调的纳米TiO2多孔薄膜.通过SEM,AFM,UV-VIS和N2吸附等测试手段对薄膜的多孔结构进行了表征.结果表明,通过调节溶胶中PEG的分子量和浓度,可以控制薄膜中孔的孔径及孔分布密度,有效提高薄膜的比表面积.此外还考察了提拉速度和焙烧制度对薄膜多孔结构的影响.     

ZnO薄膜的制备及其光学性能

以柠檬酸为络合剂、采用无机盐溶胶 -凝胶法 ,在玻璃基片上用提拉法制备了多孔ZnO薄膜。利用红外光谱、DTA -TG、XRD、SEM、UV -VIS透射等分析测试 ,考察了溶胶 -凝胶制备特征、热处理过程和热处理温度下薄膜的成相、表面形貌以及光学性能。结果表明 4 0 0℃热处理 1h的ZnO薄膜已开始晶化 ,晶型是六方纤锌矿 ;6 0 0℃热处理 1h的薄膜表面为多孔结构 ,粒径和孔径均匀 ;在可见光范围 ,薄膜的光透射率超过 85 % ,在波长 380nm开始出现紫外吸收 ;从而为该材料制作染料敏化的太阳能电池阳极薄膜打下良好的基础。     

SILAR法制备无机化合物薄膜

介绍了一种新的液相法薄膜制备工艺－SILAR法（连续离子层吸附反应法），该方法设备简单，成本低廉，成膜质量好。解释了它的非均相薄膜生长机理，对它的工艺参数影响以及研究应用情况进行了综合评述。指出了研究发展前景。     

非水溶液SILAR法制备氧化钛薄膜

通过改变连续离子层吸附反应法(successive ionic layer adsorption and reaction,SILAR),在室温下,以TiCl4的乙醇溶液为前驱体,于玻璃衬底上制备了TiO2薄膜.使用扫描电镜对薄膜的表面形貌进行了观察,采用XRD分析了薄膜的晶体结构.该方法制备的薄膜致密、表面平整,沉积的薄膜为无定形态,550℃热处理为锐钛矿相TiO2.     

聚乙二醇含量对纳米TiO2多孔薄膜性质的影响

以钛酸丁酯为无机原料、二乙醇胺作稳定剂,加入聚乙二醇(PEG)作模板制备前驱体溶胶,通过溶胶-凝胶工艺和浸渍提拉技术在玻璃基片上制备了孔径在10～1000nm范围内可调的纳米TiO2多孔薄膜.通过ESEM,AFM,UV-VIS,N2吸附,XPS和XRD等测试手段研究了PEG(1000)的加入量对薄膜结构及性能的影响.结果表明,当100mL溶胶中PEG的加入量在4.0g左右时,可以得到三维扩展的多孔结构,孔的形状规则且分布均匀,孔径为200～500nm,薄膜比表面积可达76.1m2/g,而过多的PEG加入量反而导致薄膜性能下降.     

Dy_2O_3和La_2O_3掺杂对BaTiO_3铁电陶瓷介电特性的影响

对BaTiO3 和BaTiO3-Nb2 O5-Co2 O3 系组成进行了Dy2 O3 和La2 O3 稀土改性的研究 ,考察了该系统的介电温度特性和耐电性能 ,观察了样品的显微结构 ,讨论了Dy2 O3 和La2 O3 在改变BaTiO3 铁电温谱特性的作用 .结果表明 :Dy2 O3 和La2 O3 的掺杂效果存在差异 ,Dy2 O3掺杂明显促使BaTiO3 细晶化 ,而La2 O3 掺杂呈现出对BaTiO3 基介质材料的Curie峰更强的压峰和移峰效应 .在BaTiO3-Nb2 O5-Co2 O3-Dy2 O3 系统中可获取高介高压特性瓷料 ,其介电常数≈ 3 0 0 0 ,tgδ <1.5 % ,介电温谱符合“X7R”标准 ,击穿强度可达 7～ 8kV/mm     

模板组装纳米TiO2多孔膜及形成机理

以钛酸丁酯(TBTi)为原料，加入高分子表面活性剂聚乙二醇(PEG)作模板，采用溶胶-凝胶技术合成了孔径10～500nm可调的纳米TiO2多孔薄膜。扫描电镜(SEM)观察结果表明，合成过程中水含量增加形成的薄膜孔密度减小，而PEG加入量的增加，薄膜表面孔径和孔密度增大。通过红外光谱测试对溶胶-凝胶过程中发生的物理化学变化进行了系统的分析，初步探讨了薄膜多孔结构的形成机理。     

添加SrO或SnO2对Ba4.5(Nd0.84,Bi0.16)9Ti18O54微波陶瓷介电性能的影响

对Ba4.5(Nd0.84，Bi0.16)9Ti18O54(BNBT)系微波陶瓷进行了组成改性的研究。添加不同量的SrO或SnO2于主相材料中，分别替代Ba或者Ti,合成条件为1100℃下保温3h，粉碎、成型后，在1270℃下保温3h烧成。在10GHz下用谐振腔法测量了材料的介电常数ετ。和机械品质因数Q，在20～90℃范围测量了频率温度系数τf。结果表明：Sr，Bi复合掺杂能够使BNBT材料保持较高的介电常数，同时Qf值（机械品质因数Q与测量频率之积)由5899GHz上升到9259GHz，而少量的SnO2添加有助于提高系统的介电常数并使τf值减小。     

Dy2O3和La2O3掺杂对BaTiO3铁电陶瓷介电特性的影响

对BaTiO3和BaTiO3-Co2O3系组成进行了Dy2O3和La2O3稀土改性的研究,考察了该系统的介电温度特性和耐电性能,观察了样品的显微结构,讨论了Dy2O3和Dy2O3和La2O3在改变BaTiO3铁电温谱特性的作用,结果表明：Dy2O3和La2O3的掺杂效果存在差异,Dy2O3掺杂明显促进BaTiO3细晶化,而La2O3掺杂呈现出对BaTiO3基介质材料的Curie峰更强的压峰和移峰效应,在BaTiO3-Nb2O5-Co2O3-Dy2O3系统中可获取高介高压特性瓷料,其介电常数≈3000,tgδ＜1．5％,介电温谱符合“X7R”标准,击穿强度可达7－8kV/mm。     

浸渍离子层气相反应法制备CuInS2薄膜

以CH3CN为溶剂,CuCl2和InCl2为反应物,H2S为硫源,用浸渍离子层气相反应法制备CuInS2薄膜。研究混合前驱体溶液中Cu^2 与In^3 的离子浓度比[Cu^2 ]／[In^3 ]对薄膜晶体结构、化学组成、表面形貌、光学和电学性能的影响。当溶液中[Cu^2 ]／[In^3 ]在0．75～2．00范围内均可形成无杂质相、富S型立方闪锌矿结构的CuInS2薄膜。当[Cu^2 ]／[In^3 ]=1．50时,CuInS2薄膜接近其理想的化学计量组成．薄膜表面均匀性随着[Cu^2 ]／[In^3 ]的增加而降低。CuInS2薄膜的光吸收系数α均高于10^4cm^-1,其禁带宽度Ex在1．30～1．40eV之间。制备的P型CuInS2半导体薄膜在室温下其表面暗电阻ρ随[Cu^2 ]／[In^3 ]的增加而有明显的降低趋势。