水热法制备ZnO抗静电导电粉研究

采用水热法制备掺杂镓(Ga)的氧化锌(ZnO)导电粉体,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱(EDX)等,对材料的组织结构、形貌、粒度等进行了分析和表征。结果表明,制得的ZnO纳米导电粉体具有六方纤锌矿结构,结晶完好,颗粒呈棒状、球状或片状,平均粒径20.04nm,具有导电性,在160℃水热反应3h,Ga用量为1.8%(wt,质量分数)条件下,ZnO纳米导电粉体的电阻率最低,为2.18×10~6Ω·cm。     

浅谈计算机信息技术及应用

本文主要论述了计算机信息技术的基本知识、发展、及相关应用。     

铜基功能梯度复合材料的摩擦性能研究

采用粉末冶金方法制备了铜基功能梯度复合材料.对铜基梯度复合材料的机械性能电性能及摩擦学性能的测试表明表层与底层组成为Cu-C-MoS2/Cu-ZrO2的功能梯度复合材料具有强度高,导电性好,耐磨性好的特点.材料的微观结构和摩擦磨损表面形貌分析表明,铜基功能梯度复合材料界面结合性好,组织均匀;润滑相组织弥散细小.同时兼有优良的机械性能和摩擦磨损性能.     

AgSnO2电触头材料表面改性的研究

研究了添加剂、分散剂、化学镀的表面改性工艺对AgSnO2电触头材料组织和性能的影响。通过表面改性可以改善Ag与SnO2的浸润性,降低SnO2的表面能,阻碍SnO2粒子的团聚,从而解决AgSnO2触头的加工成型困难和接触电阻高的问题,并对表面改性对AgSnO2材料的作用过程进行了分析。     

纳米粉体的分散性研究及在电触头材料制备中的应用

介绍了纳米电触头材料的制备工艺。采用不同的分散方法,如:物理分散法(超声波法、机械分散法)、化学分散法和聚电解质分散,可以获得理想的分散效果。探讨了纳米粉体的分散作用的机制和纳米电触头材料在研究与应用上的优越性以及存在的问题。     

一种基于WEB 的通用组合查询模块设计

为了满足用户复杂查询的需求,开发了一个基于WEB的通用组合查询模块。详细介绍其设计与实现思想,且操作简单,易实现,对开发大型B/S结构的管理信息系统在设计通用组合查询模块时,提供了一个很好的解决方案。     

ATO纳米粉体制备工艺的研究进展

针对电接触领域应用的掺锑氧化锡（ATO）的国内外发展现状,综述了ATO纳米粉体的制备工艺。通过对共沉淀法、水热法、超临界法的制备工艺优缺点的分析,阐述了合理选择制备工艺的重要性。     

新型银氧化锡电接触材料

研究了1种新型的纳米AgSnO2触头材料.通过采用掺杂、SnO2粒子的纳米化及化学镀的方法,改善了氧化物和银的浸润性,从而提高了触头材料的导电性、机械强度和加工性能.通过机械混合法和溶胶凝胶法2种工艺的对比,证明用机械混合法在SnO2中掺杂TiO2,反而使电导率升高;用溶胶凝胶法在SnO2中掺杂TiO2,Ti4 能够很好的进入SnO2的晶格,能够明显改善触头的电性能.微观组织分析表明:纳米触头中SnO2的分布明显的比非纳米触头中SnO2分布的要均匀,从而可以避免因SnO2的富集导致电导率降低,提高AgSnO2触头的电性能和电寿命.     

表面修饰对AgSnO2触头材料组织性能的影响

研究了表面修饰对AgSnO2触头材料的组织和性能的影响。考察了分散剂聚乙二醇对纳米SnO2溶胶的表面修饰作用；分析了化学镀的工艺对纳米掺杂AgSnO2电触头材料性能的影响。结果表明：采用分散剂和化学镀对纳米SnO2表面进行修饰，减少了纳米SnO2的硬团聚，改善了Ag与SnO2之间的浸润性和相容性，使AgSnO2触头材料的电导率提高23％，抗拉强度提高66％，伸长率提高100％，解决了AgSnO2材料的机加工性能差的问题。     

纳米掺杂SnO2的计算研究

采用Castap软件计算了Co以不同比例掺杂SnO2的电子结构,分析了掺杂及掺杂比例对改善SnO2导电性的作用,建立了纯SnO2计算模型。计算结果表明:纯SnO2是一种包含离子键的共价键直接禁带半导体;通过掺杂能够在一定程度上改变成键性质,使其具有金属键性质,从而提高SnO2导电性。其中,掺杂比率为5的价带到中间能级宽度最小,掺杂原子与其邻近原子的电荷重叠区更明显,系统电子共有化程度最高,费米能级处对电子态密度的贡献也最大,因此掺杂比率为5的导电性最好。