首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   30篇
  国内免费   13篇
  完全免费   27篇
  无线电   70篇
  2010年   4篇
  2008年   2篇
  2007年   10篇
  2006年   6篇
  2005年   5篇
  2004年   2篇
  2002年   7篇
  2001年   5篇
  2000年   5篇
  1999年   1篇
  1998年   1篇
  1997年   3篇
  1996年   2篇
  1995年   2篇
  1993年   2篇
  1992年   2篇
  1991年   5篇
  1990年   1篇
  1989年   3篇
  1988年   2篇
排序方式: 共有70条查询结果,搜索用时 66 毫秒
1.
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的γ辐照研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
本文报道了γ射线辐照对量子阱红外探测器性能的影响。γ射线的辐射剂量分别为1mrad、6mrad、16mrad。测量了器件在不同γ辐照剂量下的光谱响应、暗电汉、黑体响应率。通过对实验结果的分析,暗电流和黑体响应率随γ辐照剂量增加而递减,表明探测器的性能随γ射线辐照剂量的增加而逐步衰减。  相似文献
2.
高灵敏度穿通型异质结光电晶体管   总被引:3,自引:0,他引:3  
报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管(GR-PTHPT),在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽,基极电流基本为零,输出噪声电流大大下降,使光电增益提高了一个量级以上。已研制成的GaAlAs/GaAs穿通型光电晶体管(发射极直径φ=4μm)。在5V工作电压下,对0.8μm,1.3nw和43nw弱光的光电增益分别为1260和8108。折合到输入端暗电流为0.83nA。  相似文献
3.
快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
应用快速热退火的方法将 Ga As/Al Ga As多量子阱红外探测器的峰值响应波长从7.7μm移动到 8~ 1 4μm大气窗口内 .通过测量单元器件的光电流谱、响应率和 I- V特性 ,分析了快速热退火对 Ga As/Al Ga As多量子阱红外探测器性能的影响  相似文献
4.
As压对LT-GaAs/AlGaAs多量子阱光学特性的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
在衬底温度为 3 5 0°C的条件下 ,用分子束外延的方法 ,在不同的砷压条件下生长了 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As多量子阱结构。 77K的荧光实验证明 ,砷压对样品的光学特性影响显著。认为砷压对低温多量子阱光学特性的影响是点缺陷随砷压的演化和能级间相互补偿的共同结果。通过优化砷压 ,样品的荧光峰的半峰宽减小到 3 me V,这是到目前为止所报道过的最窄的低温多量子阱的荧光峰。相应的垂直场光折变器件的电吸收为 60 0 0 cm  相似文献
5.
GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的光荧光表征   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器器件进行显微荧光光谱(μ-PL)测量,光谱中表征势垒、势阱基态间光跃迁能量位置的荧光峰值接与势垒中Al含量相关,通过光谱实验上对势垒和量子阱带间跃迁能量的确定并结合有效质量理论的计算,获得了Al组分和阱宽值,并由此推算出相应的红外探测响应波长,与光电流谱的结果相比吻合良好,这种材料的测量结果有利于器件制备的材料筛选。  相似文献
6.
量子干涉效应在红外探测器能带结构设计中的应用   总被引:1,自引:1,他引:0  
利用量子干涉效应,提出设计GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器能带结构的方法。此法比K-P方法简便易行,而且随着势垒宽度的增加,两种方法所得结果趋于一致。这表明新方法更适合计算具有较宽势垒超晶格的电子态。另外,用新方法对超晶格样品的光电流谱进行了分析,所得结果比K-P方法更接近实验值。由此证实了量子干涉效应引起的电子能态的存在和新方法在量子阱红外探测器能带结构设计中的实用性。  相似文献
7.
量子阱红外探测器响应峰值波长的Raman散射测量   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
通过测量多量子阱材料的Raman散射谱,可以预测出:由该种材料制出的量子阱红外探测器的响应峰值波长.它既不需要实际制出量子阱红外探测器,也不需要对多量子阱结构材料进行抛光处理,方法简便,结果可靠.  相似文献
8.
纳电子器件谐振隧道二极管的研制   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构 ,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管 (RTD) ,有相当好的 I- V特性 .对于 5μm× 5μm的 RTD器件 ,在室温条件下 ,测得其峰谷比最大可到 7.6∶ 1,最高振荡频率大于 2 6 GHz  相似文献
9.
图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
本文研究了在Si的图形衬底上生长应变SiGe/Si超晶格的结构和其光致发光性质.图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成.发现在组成倒金字塔结构的(111)面的交界处有富Ge的SiGe量子线出现.对相同条件下图形衬底和平面衬底上的应变SiGe层的光致发光谱进行了比较,图形衬底上总的发光强度相对提高了5.2倍.认为这种提高同富Ge的SiGe量子线的产生相关.  相似文献
10.
GaAs/AlGaAs超晶格微带带宽的计算   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
利用MBE设备制备GaAs/AlGaAs超晶格材料,在低温(T=77K)下测量样品的光电流谱,从电子波动的观点出发,通过考虑电子波在超晶格阱层/势垒层的反射和干涉,讨论了超晶格的电子态.提出了一种计算超晶格微带带宽的方法,并计算了GaAs/AlGaAs超晶格的微带带宽.理论计算结果和实验结果符合得相当好.  相似文献
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号