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1.
一种可重构的24bit∑-△调制器的设计   总被引:4,自引:4,他引:0  
给出了一种仅用加法器和移位器实现的、适用于嵌入式FPGA应用的,可重构的∑-△调制器设计。它能够被设置为3阶或5阶.并可支持不同字长(16-/18-/20-/24-bit)的PCM数据输入。过采样率为128时,经仿真验证在3阶和5阶的情况下最大信噪比分别可以达到110dB和150dB,精度为18bit和24bit,可以应用于CD,SACD和DVD等不同格式的音频解调中。  相似文献
2.
UHF RFID接收机中混频器的IP2/IP3性能改进   总被引:3,自引:3,他引:0  
根据UHF射频识别的应用、结合提出的接收前端结构,对所需的射频前端中混频器线性度要求做出分析,给出了决定IP2、IP3值的因素。在不影响系统噪声性能的条件下,提出了基于共模信号反馈、复用补偿电流路径的IP2改进办法;源极负反馈,低输出阻抗的IP3改进办法。混频器采用UMC0.18μm RF CMOS工艺实现,在3.3 V供电、抽取8.7 mA电流条件下,采用带外线性度的测试办法,测得23个样品的IP3平均值为15 dBm;采用FIB断开校正电路的试验表明,混频器的IP2有明显的提升(从37 dBm到52 dBm)。  相似文献
3.
UHF RFID阅读器中的堆叠式CMOS LNA设计   总被引:3,自引:3,他引:0  
提出了一种基于0.25μm标准CMOS工艺,可用于UHF RFID(超高频射频识别)阅读器前端的低噪声放大器。根据低噪声放大器的匹配、噪声和增益分析,结合射频识别系统的理论计算,提出堆叠器件的电路结构达到电流复用,以降低功耗并保证增益。测试结果表明,在2.5 V供电时,放大器可以提供约26.3 dB的前向增益,噪声系数约为1.9 dB,放大电路从电源电压上抽取5.8 mA左右的工作电流,反向隔离度达到-40 dB,放大器的IIP3约为-15 dBm。  相似文献
4.
基于LDPC编码及LS估计的OFDM系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
OFDM具有并行数据传输与子信道交叠的特性,在无线局域网、HDTV中得到广泛应用。LDPC作为一种具有良好纠错能力的分组编码方案,性能几乎接近Shannon极限。本文给出一个基于LDPC编码,线性LS信道估计的OFDM系统,兼有两者的优点。  相似文献
5.
UHF RFID阅读器中优化小数频率综合器设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
给出了一个采用0.18μm CMOS工艺实现,基于三阶、三比特增量-总和调制技术,用于单片超高频射频识别阅读器的小数分频频率综合器。根据所采用的直接变频收发机结构特点及EPCglobal C1G2、ETSI协议的射频部分规范,确定阅读器本地振荡源相位噪声指标要求。测试结果表明:通过配置调制器的噪声传递函数零点,可使该频率综合器200 kHz频偏处的相位噪声得到有效抑制;当从1.8 V电源电压上抽取9.6 mA电流时,距离900 MHz测试中心频率200 kHz、1 MHz频偏处的相位噪声分别为-103与-132 dBc/Hz。  相似文献
6.
UHF RFID阅读器中可编程全差分低通滤波器的设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
基于TSMC 0.25 μm RF CMOS工艺,提出了一种应用于860~960 MHz UHF波段单片射频识别(RFID)阅读器的可编程全差分低通滤波器电路.该滤波器为6阶切比雪夫有源RC滤波器,其中的运放采用带共模反馈的全平衡差动放大器结构(FBDDA)实现了全差分的缓冲器.仿真结果表明:该电路可以通过3位信号控制位产生截止频率为400 kHz、600 kHz、800 kHz、1 MHz以及1.3 MHz的全差分低通滤波器,1 MHz处的点噪声为20 nV/Hz,1 dB输入压缩点为15 dBm,3.3 V电源电压下电路消耗总电流为4.86 mA.  相似文献
7.
一种带输出缓冲的低温度系数带隙基准电路   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
陈磊  李萌  张润曦  赖宗声  俞建国   《电子器件》2008,31(3):820-823
基于TSMC 0.18μm标准CMOS标准工艺,提出了一种低温度系数,宽温度范围的带隙基准电压电路,该电路具有高电源抑制比,启动快及宽电源电压工作区域的优点,由于具备输出缓冲,可提供较低的输出阻抗及较高的电流负载能力.电路在-40℃到 110℃的温度变化范围内,基准电压为2.302 0 V±0.001 5 V,温度系数仅为7.25×10-6/℃(-40℃到 110℃时),PSRR为64 dB(11 kHz处),电源电压变化范围为1.6~4.3 V,输出噪声为5.018μV/平方根Hz(1 kHz处).  相似文献
8.
433 MHz ASK接收机射频前端版图设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
设计了一款433 MHz ASK接收器射频前端电路(包括低噪声放大器和混频器)的版图。射频段电路对寄生效应特别敏感,设计对版图的复杂程度、面积以及由版图造成的寄生进行折中,最大程度地降低寄生对电路的影响。针对低噪声放大器电路对噪声以及混频器电路对于对称性的高要求,着重阐述了设计中对噪声的处理和实现对称性的方法。采用UMC 0.18μm工艺库进行设计和流片。将后仿真及流片测试结果与前仿真结果进行对比,得出该设计能够较好地维持原电路性能,满足系统设计要求。  相似文献
9.
基于标准0.18μm RF-CMOS工艺,实现了一个可应用于UHF RFID阅读器的低相位噪声、线性化调谐增益(Kvco)、恒定子带间距的压控振荡器.该振荡器包括开关变容管阵列和开关电容阵列,实现了调谐增益线性化及子带间距恒定化.仿真结果表明,当压控振荡器在1.52GHz至2.16 GHz(35.5%)的频率范围变化时,调谐增益从40 MHz/V变化到51 MHz/V(21.5%),子带间距变化为34 MHz到51 MHz,相位噪声在1.8 GHz时为-133.8 dBc/Hz@1MHz.在低压差线性稳压器(LDO)输出电压为2.5V的条件下,整个电路消耗电流约5.2mA.  相似文献
10.
基于0.18μm标准CMOS工艺,提出了一种适用于超高频射频识别阅读器的自动频率校准模拟接收基带。该模拟基带包含直流偏移消除电路和信道选择滤波器,直流偏移消除电路有6dB的预增益,信道选择滤波器采用8阶巴特沃斯结构。在频率校准电路的作用下,滤波器能够分别对250kHz和1.35MHz截止频率进行校准,校准时间小于3μs。后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,整个模拟基带消耗12mA电流,截止频率为1.35MHz,10dB增益条件下带内输入3阶交调达到12dBm,在30dB增益时,带内噪声系数为26dB。  相似文献
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