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1.
非均匀涂层的热辐射   总被引:10,自引:0,他引:10  
徐文兰  罗宁胜 《红外研究》1990,9(5):384-388
2.
含片状粒子涂层的热辐射   总被引:9,自引:0,他引:9       下载免费PDF全文
用几何光学绕射理论研究了片状粒子的散射,由非均匀系统的热辐射传输方程求出了含片状粒子涂层的表观比辐射率,讨论了片状粒子的线度、体积化、涂层厚度等因素对涂层系统辐射性能的影响,比较了含片状粒子涂层和含球状粒子涂层的辐射性能。  相似文献
3.
快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
应用快速热退火的方法将 Ga As/Al Ga As多量子阱红外探测器的峰值响应波长从7.7μm移动到 8~ 1 4μm大气窗口内 .通过测量单元器件的光电流谱、响应率和 I- V特性 ,分析了快速热退火对 Ga As/Al Ga As多量子阱红外探测器性能的影响  相似文献
4.
光伏型长波HgCdTe红外探测器的数值模拟研究   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
报道了光伏型长波Hg1-xCdxTe(x=0.224)n-on-p红外探测器数值模拟研究的结果.采用二维模型,在背照射方式下,以p区厚度、两电极间距离、结区杂质浓度分布、少子寿命为参量,模拟计算了R0A积、零偏光电流与这些参量之间的变化关系.计算表明,随p区厚度增加,R0A积下降;R0A积随电极之间距离增大而增加,但量子效率随距离增大而降低,电极之间最佳距离大约为100μm;R0A积和光电流对结区杂质浓度分布形状不敏感;随少子(电子)寿命降低,R0A积和光电流下降.二维模型弥补了一维模型难以计算横向电流、电场的缺点.  相似文献
5.
铁电半导体SnTe的晶格动力学   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
用刚性离子模型研究了铁电半导体SnTe的晶格动力学,计及电子屏蔽作用对长程库仑作用的修正,得到了光学模反常的色散关系。  相似文献
6.
多近邻作用双原子链和一维铁电体晶格振动   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
用实空间方法研究了多近邻作用双原子链的晶格振动行为,该模型是铁电体的最简单近似。研究表明长程库仑力确实是铁电相变软模的重要起因,并发现了杂质晶格振动的新特征。  相似文献
7.
非均匀介质的光学常数   总被引:2,自引:0,他引:2  
提出了一种计算非均匀介质光学常数的新方法,该方法仔细地考虑了光在非均匀介质中的吸收和散射.研究了非均匀介质层的厚度、介质中颗粒粒径、衬底反射性能等对介质光学常数的影响.这种研究将有利于同有关的测量实验结合和比较.  相似文献
8.
锆钛酸铅光学声子的虚晶近似研究   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
在虚晶近似框架上用刚性离子模型计算了铁电固溶体PbZrxTi1-xO3(x=0.25-0.40)布里渊区Γ点的声子振动频率,结果显示,随着Zr组份x的增加,光学横模向低频方向移动,与已有的Raman实验相符。  相似文献
9.
用分子束外延系统(MBE)生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合离子注入的方法,在同一块衬底上获得了不同注入离子As+、H+和不同注入剂量的GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱单元,在未经快速热退火的条件下,于常温下测量了光调制反射光谱,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80meV.  相似文献
10.
用实空间方法,借助一维模型研究了铁电体和半导体集成体系的晶格振动行为,讨论了一维链表面模、界面模,长程作用下的布里渊区边界模等的振动特性,解释了GaAs/SrTiO3体系的拉曼谱图.  相似文献
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