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1.
介绍了一种制备膜厚为数微米的均匀相和非均匀相(准周期性多层膜)铁电薄膜的有效方法,研究了PZT平面波导结构的光波导特性及准周期性多层铁电薄膜的布拉格反射特性.研究表明厚度在数微米的均匀相铁电薄膜膜层致密,棱镜耦合实验表明该铁电薄膜波导层对光波的传播有良好的限定性能.准周期铁电多层薄膜具有良好的布拉格反射特性,周期数为10以上的铁电多层膜样品在室温下具有90%以上的反射率和约40 nm的反射带宽.  相似文献
2.
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。  相似文献
3.
采用热壁外延的方法在CdTe体材料衬底上外延一层CdTe,获得质量优于衬底的外延膜。外延层用X射线衍射定向,方向与衬底同为(111)。比较外延层和体材料电反射谱,表明外延层的质量优于衬底。利用俄歇电子能谱分析了外延层表面到衬底的元素组份及杂质成分。  相似文献
4.
Hg_(1-x)Cd_xTe的可见光穿透深度只有500(?)左右,所以用调制光谱来研究这种材料的表面是一种很有效的方法。由于MOS器件比较难做,目前Hg_(1-x)Cd_xTe电反射一般在室温电解液中进行。材料在电解液中容易与电解液发生作用,另外电解液中不能进行低温实验。MOS器件则比较稳定,它没有化学势弛豫等其他一些因素的影响。我们采用Hg_(1-x)Cd_xTeMOS技术,研究了低温(79K)和室温下不同表面处理及不同介质膜的电反射谱,得到了一  相似文献
5.
本文描述利用光扫描和外加温度梯度获得热微分反射光谱的方法,以及用这种方法研究GaAlAs薄膜和GaAs体材料的结果.热微分反射光谱显示了材料在一定波长范围内所有的临界点结构,这些结构主要由临界点能量随温度的变化所引起.研究表明这种微分光谱具有简单易行,不破坏样品等特点,并且对研究较薄的材料显示了很高的灵敏度.  相似文献
6.
包健  沈悦  邓惠勇  戴宁 《红外》2006,27(9):34-38
近年来,由于主客体效应,以多孔二氧化硅作为反应容器组装单分散的半导体量子点引起了人们很大的兴趣。本文主要介绍了介孔二氧化硅的基本概念及其制备方法、机理以及介孔组装半导体量子点这一新学科的研究状况,并展望了它的发展前景。  相似文献
7.
近年来,世界各国都对太赫兹科学给予了很大的关注,相应的太赫兹辐射源和探测器的研究和发展速度加快,太赫兹技术应用也取得了实质的进展,特别是太赫兹波在空间天文观测和大气遥感中的应用。介绍了近些年发展起来的几种探测太赫兹电磁波的新技术及目前发射或建立的多种亚毫米波、太赫兹波探测系统在天文观测和大气遥感中的具体应用,显示了太赫兹波探测技术在遥感领域中的巨大应用前景。  相似文献
8.
提出一种高容量无损水印方法。选择相关性较高的观测集合和预测集合,利用先验知识计算全局优化插值权重系数,恢复全分辨率图像。预测集合与真实图像点的差值,其直方图峰值点可以达到较大高度,通过移位操作隐藏高容量水印,并保持良好的视觉质量。预测算法本身由先验知识解出插值系数,对不同的测试图像,自适应设定插值权重,插值算法能够高度还原真实值,使得水印的负载量大大提高。  相似文献
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