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1.
采用等离子体浸没离子注入沉积方法,在p型Si衬底上制备了具有整流特性的、非故意掺杂的以及掺氮的ZnO/p-Si异质结.非故意掺杂的ZnO薄膜为n型(电子浓度为1019cm-3数量级),掺氮的ZnO薄膜为高阻(电阻率为105Ω·cm数量级).非故意掺杂的ZnO/p-Si异质结在正向偏压下,当偏压大于0.4V,电流遵循欧姆定律.然而对于掺氮的ZnO/p-Si样品,当偏压小于1.0V时,电流表现为欧姆特性,当偏压大于2.5V时,电流密度与电压的平方成正比的关系.分别用Anderson模型和空间电荷限制电流模型对非故意掺杂和掺氮的ZnO/p-Si异质结二极管的电流输运特性进行了解释.  相似文献
2.
基于传统的光刻和化学湿法腐蚀工艺,通过卷曲技术,提出一种三维管状量子阱红外探测器。该管状器件相比于未卷曲的平面器件,在垂直入射光照下,展现了优良的暗电流、黑体响应和光电流响应率特性曲线。当工作温度60 K,偏置电压0.45 V时,管状器件峰值响应率为20.6 mA/W,峰值波长3.62 μm,最大量子效率2.3%。从几何光学的角度分析了管状器件的垂直光吸收原理,进而揭示了一种特殊的光耦合方式。最后,进一步测试了不同角度入射光照射下的光电流响应率谱。由于微管的近似圆形对称性,器件具有很宽的视角,有助于红外探测系统的设计。  相似文献
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