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1.
高速基2 FFT处理器的结构设计与FPGA实现   总被引:22,自引:1,他引:21  
本文研究了采用AISC来实现高速实时基2 FFT处理器的设计方案.在实现中采用了单基2定点内核,设计了防溢出控制结构,在不增加系统延时的基础上,提高了运算精度.设计了对称乒乓RAM结构,在保证蝶形运算核的占用率的条件下,提高了该FFT处理器的连续运算能力.将RAM集成在FFT处理器内部,提高了使用的灵活性.本文所设计的FFT具有可配置特性,可根据需要计算2的幂次方的FFT.256点的FFT运算只需1072个时钟周期,在VertexII-xc2v1000上综合实现,频率可达112.007MHz,完成整个256点的FFT运算仅需9.57μs.  相似文献
2.
基于CORDIC的一种高速实时定点FFT的FPGA实现   总被引:10,自引:1,他引:9  
本文论述了一种利用CORDIC算法在FPGA上实现高速实时定点FFF的设计方案。利用CORDIC算法来实现复数乘法,与使用乘法器相比降低了系统的资源占用率,提高了系统速度[1]。设计基于基4时序抽取FFT算法,采用双端口内置RAM和流水线串行工作方式。本设计针对256点、24位长数据进行运算,在XilnxSpartan2E系列的xc2s300e器件下载验证通过,完成一次运算约为12μs,可运用于高速DSP、数字签名算法等对速度要求高的领域。  相似文献
3.
一种CORDIC算法的精度分析及其在FFT设计中的应用   总被引:7,自引:4,他引:3  
针对CORDIC算法的精度问题进行了理论分析,首先研究了CORDIC算法中旋转级数、操作数位宽与精度的关系,并将这一结果实际应用于FFT算法的FPGA设计实现中。经实际验证,这种分析的结果是合理的,可作为设计过程中选取旋转级数和操作数数据位宽的参考。  相似文献
4.
悬臂式RF MEMS开关的设计与研制   总被引:6,自引:2,他引:4       下载免费PDF全文
介绍了一种制作在低阻硅(3~8Ω·cm)上的悬臂式RF MEMS开关.在Cr/ Au CPW共面波导上,金/Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂,静电受激作为开关机理.当开关处于“关断”态,其隔离度小于- 35 d B(2 0~4 0 GHz) ;阈值电压为13V ;开关处于“开通”态,插入损耗为4~7d B(1~10 GHz) ,反射损耗为- 15 d B.另外,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系,并应用ANSYS软件对开关进行了电学、力学及耦合特性的计算机模拟  相似文献
5.
微机械光调制器激励机制的理论和实验研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
讨论了一种具有Fabry-Perot结构的新型微机械先调制器,该光调制器由表面微机械工艺制备。理论分析表明,正弦信号、带直流偏置的正弦信号和方波对光调制器的驱动结果是完全不同的。测量结果表明,微机械光调制器有一系列的固有频率。对正弦信号、带直流偏置的正弦信号和方波信号的测量结果显示,调制器的响应是对驱动力中各频率成分的响应,和理论分析符合得非常好。  相似文献
6.
定点符号高速乘法器的设计与FPGA实现   总被引:4,自引:3,他引:1  
文章系统地研究了符号定点高速乘法器的实现算法和结构,采用了修正布斯算法,华莱士压缩树.4:2压缩器,伪4:2压缩器以及平方根求和结构。采用VerilogHDL实现了整个乘法器,在单个时钟周期完成一次16位的符号数乘法。为了验证该乘法器的性能,在VertexII-xc2v1000实现了该乘法器,频率可达62.27MHz。每秒钟可完成6227万次16位的符号乘法。  相似文献
7.
微机电微波/射频开关的力学分析及其工艺研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
文章主要讨论了微机电微波/射频开关的原理、制备工艺和特性测试。微机电接触式微波/射频开关的关键结构是悬臂梁,当控制电压大于吸合电压时,悬臂梁发生吸合,使开关导通。考虑到微机电制备工艺的兼容性,选择PECVD生长的氮化硅作悬臂梁,聚酰亚胺作牺牲层。测试结果表明,研制的微机电开关在0.5~5GHz的范围内插入损耗为2dB,隔离度达30~50dB。  相似文献
8.
高电容比射频/微波MEMS膜开关的理论分析和数值模拟   总被引:4,自引:0,他引:4  
建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型,由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响,因而能较为正确地反映开关的电容特性。用数值方法计算了影响开关电容比的因素,并对计算结果进行了分析和讨论。提出了使用脉冲电压作为偏置电压可以使介质膜gj的厚度减少到50nm,从而使开关的电容比增加到3800。最后,讨论了实现高电容比MEMS膜开关的可行性。  相似文献
9.
一种可重构的24bit∑-△调制器的设计   总被引:4,自引:4,他引:0  
给出了一种仅用加法器和移位器实现的、适用于嵌入式FPGA应用的,可重构的∑-△调制器设计。它能够被设置为3阶或5阶.并可支持不同字长(16-/18-/20-/24-bit)的PCM数据输入。过采样率为128时,经仿真验证在3阶和5阶的情况下最大信噪比分别可以达到110dB和150dB,精度为18bit和24bit,可以应用于CD,SACD和DVD等不同格式的音频解调中。  相似文献
10.
RF/MW MEMS开关中聚酰亚胺的牺牲层技术研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
目前,聚酰亚胺已成为MEMS开关中一种主要的牺牲层材料.在涂胶前,对聚酰亚胺进行低温和高温两步热处理,使其满足光刻的要求.光刻腐蚀后固化处理,使其固化表面平坦、耐腐蚀.显影后选择不同固化处理温度和时间,对聚酰亚胺的性质有不同的影响.MEMS开关的梁结构完成后,聚酰亚胺需通过刻蚀的方法去除.实验结果表明,固化温度小于170℃,可采用碱性溶液湿法腐蚀的方法去除;固化温度大于200℃,需采用O2等离子刻蚀方法.  相似文献
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