首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  国内免费   9篇
  收费全文   6篇
  完全免费   21篇
  无线电   36篇
  2012年   1篇
  2006年   4篇
  2005年   2篇
  2004年   4篇
  2003年   3篇
  2001年   2篇
  2000年   2篇
  1999年   3篇
  1998年   3篇
  1997年   4篇
  1996年   1篇
  1994年   3篇
  1992年   2篇
  1990年   1篇
  1988年   1篇
排序方式: 共有36条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
二维正方形复式晶胞光子晶体的光子特性研究   总被引:5,自引:5,他引:0       下载免费PDF全文
用FDTD方法计算了二维正方形复式晶胞光子晶体的光子特性.通过光子能带结构、光子态密度的分布以及沿ГX方向透射谱的计算,发现透射谱光子带隙的位置与能带结构符合得很好.光子态密度的分布也表明存在全带隙的光子频率范围,进一步研究给出这种结构光子晶体全带隙存在的物理起源.  相似文献
2.
CdTe和HgTe能带结构的第一性原理计算   总被引:5,自引:2,他引:3       下载免费PDF全文
利用基于第一性原理的FLAPW方法计算了CdTe和HgTe的能带结构和态密度.引进并利用快速搜索法计算了体系平衡时的晶格常数,相对于传统方法,更快速地得到了准确的平衡态的晶格常数.本文在计算得到与实验结果符合很好的能带结构和态密度的同时,对比分析了基于LSDA和GGA计算所得的结果.  相似文献
3.
用基于第一性原理的全势能线性Muffin—Tin轨道组合(FP—LMTO)方法计算了SnTe的总能,给出了体系平衡时的晶格常数及其能带结构,并讨论了取不同的交换关联势对计算结果的影响。  相似文献
4.
结构和缺陷对二维光子晶体传输性质的影响   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
用转移矩阵方法计算了二维光子晶体的传输性质,讨论了不同极化光的透射行为,比较了正方点阵、有心正方点阵、含缺陷有心正方点阵光子能带对透射特性的影响,获得了第一禁带特性与光子晶体结构的一些基本关系。  相似文献
5.
光伏型长波HgCdTe红外探测器的数值模拟研究   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
报道了光伏型长波Hg1-xCdxTe(x=0.224)n-on-p红外探测器数值模拟研究的结果.采用二维模型,在背照射方式下,以p区厚度、两电极间距离、结区杂质浓度分布、少子寿命为参量,模拟计算了R0A积、零偏光电流与这些参量之间的变化关系.计算表明,随p区厚度增加,R0A积下降;R0A积随电极之间距离增大而增加,但量子效率随距离增大而降低,电极之间最佳距离大约为100μm;R0A积和光电流对结区杂质浓度分布形状不敏感;随少子(电子)寿命降低,R0A积和光电流下降.二维模型弥补了一维模型难以计算横向电流、电场的缺点.  相似文献
6.
多近邻作用双原子链和一维铁电体晶格振动   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
用实空间方法研究了多近邻作用双原子链的晶格振动行为,该模型是铁电体的最简单近似。研究表明长程库仑力确实是铁电相变软模的重要起因,并发现了杂质晶格振动的新特征。  相似文献
7.
空间热梯度辅助的热调制反射光谱   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
给出一种新的通过空间热梯度辅助的热调制反射光谱方法,其关键是在空间光谱方法基础上加一热场梯度,无需对材料进行通常空间调制方法的特殊处理.将该方法应用于典型半导体材料GaAs,清晰地观察到GaAs材料的带间跃迁E0和其它诸如E0+Δ0、E1、E1+Δ1的高能带跃迁.  相似文献
8.
光调制反射光谱中的高斯线形   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文提出了一种用于拟合计算光调制反射光谱的高斯线型表达式。通过对具体的Si--δ掺杂的光谱拟合计算并与常用的洛仑兹线形的计算进行的比较,显示了在非均匀展宽起重要作用情况下采用了高斯线型对实际光调制反射光谱分析是十分必要的。  相似文献
9.
对生长在蓝宝石衬底上不同Si掺杂浓度的一系列GaN外延膜进行了拉曼散射光谱测量,观察到清晰的LO声子-等离子体激元耕合模的高频支(LPP+)和低频支(LPP-)及其随掺杂浓度的增加往高频方向的移动,通过进行理论计算和拟合,得到GaN中的等离子体激元的频率及阻尼常数,并由此计算得到GaN中的载流子浓度和迁移率,与红外反射谱测量得到的数据进行了比较,结果表明,2种光谱方法得到的载流子浓度均与霍耳测量相一致。但迁移率比霍耳迁移率要低,接近杂质散射机制下的漂移迁移率。  相似文献
10.
GaAs中Be受主的光热电离光谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
应用光热电离光谱方法研究了MBE生长GaAs薄膜中Be受主的杂质能级。通过与理论计算的比较,将观测到的3个跃迁峰归属于G线、C线和D线跃迁,同时在实验上也观察到Be受主1s3/2(Γ%^+)态到2p1/2(Γ^)态跃迁,由实验结果算得Be受主的电离能为28.6meV。  相似文献
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号