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1.
64×64元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面研制   总被引:9,自引:2,他引:7       下载免费PDF全文
报道了64×64 元GaAs/AlGaAs 多量子阱凝视型红外焦平面的研制,器件的平均响应率为RP= 7.24×105V/W,器件的平均黑体探测率为Db = 5.40×108cm ·Hz1/2/W ,峰值波长为λP= 8.2μm ,不均匀性小于20% ,并应用研制成的器件获得了室温物体的热像图  相似文献
2.
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的γ辐照研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
本文报道了γ射线辐照对量子阱红外探测器性能的影响。γ射线的辐射剂量分别为1mrad、6mrad、16mrad。测量了器件在不同γ辐照剂量下的光谱响应、暗电汉、黑体响应率。通过对实验结果的分析,暗电流和黑体响应率随γ辐照剂量增加而递减,表明探测器的性能随γ射线辐照剂量的增加而逐步衰减。  相似文献
3.
快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
应用快速热退火的方法将 Ga As/Al Ga As多量子阱红外探测器的峰值响应波长从7.7μm移动到 8~ 1 4μm大气窗口内 .通过测量单元器件的光电流谱、响应率和 I- V特性 ,分析了快速热退火对 Ga As/Al Ga As多量子阱红外探测器性能的影响  相似文献
4.
As压对LT-GaAs/AlGaAs多量子阱光学特性的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
在衬底温度为 3 5 0°C的条件下 ,用分子束外延的方法 ,在不同的砷压条件下生长了 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As多量子阱结构。 77K的荧光实验证明 ,砷压对样品的光学特性影响显著。认为砷压对低温多量子阱光学特性的影响是点缺陷随砷压的演化和能级间相互补偿的共同结果。通过优化砷压 ,样品的荧光峰的半峰宽减小到 3 me V,这是到目前为止所报道过的最窄的低温多量子阱的荧光峰。相应的垂直场光折变器件的电吸收为 60 0 0 cm  相似文献
5.
基区杂质外扩对SiGe/Si HBT低温特性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
SiGe/Si HBT的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区,使得低温增益下降,提出采用适当厚度的隔离层的方法,使HBT电流增益在低温下增长。  相似文献
6.
量子干涉效应在红外探测器能带结构设计中的应用   总被引:1,自引:1,他引:0  
利用量子干涉效应,提出设计GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器能带结构的方法。此法比K-P方法简便易行,而且随着势垒宽度的增加,两种方法所得结果趋于一致。这表明新方法更适合计算具有较宽势垒超晶格的电子态。另外,用新方法对超晶格样品的光电流谱进行了分析,所得结果比K-P方法更接近实验值。由此证实了量子干涉效应引起的电子能态的存在和新方法在量子阱红外探测器能带结构设计中的实用性。  相似文献
7.
128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描型红外焦平面的红外成像   总被引:1,自引:0,他引:1  
研制成功了128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描型红外焦平面(FPAs),器件的响应率达到RP=2.02×106V/W,截止波长为λc=8.6μm.根据常规的黑体探测率定义,得到器件的黑体探测率为Db*=2.37×109cm·Hz1/2/W,并最终获得了清晰的室温物体残留热像图.  相似文献
8.
量子阱红外探测器响应峰值波长的Raman散射测量   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
通过测量多量子阱材料的Raman散射谱,可以预测出:由该种材料制出的量子阱红外探测器的响应峰值波长.它既不需要实际制出量子阱红外探测器,也不需要对多量子阱结构材料进行抛光处理,方法简便,结果可靠.  相似文献
9.
InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
用国产MBE设备生长出与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InAlAs多量子阱材料,并对材料的量子限制Stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性进行研究.用该种材料制作的脊波导结构电吸收调制器在2.4V驱动电压下实现了20dB以上消光比,光3dB带宽达3GHz  相似文献
10.
Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8~10倍.从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96%,且m≈1.1的值表明外延层的质量及时载流子的收集效率是高的.随着激发功率的增加,可以看到PL谱的蓝移.  相似文献
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