基于NPBX掺杂CzHQZn的黄色有机电致发光器件

利用一种既具有空穴传输特性又具有发光特性的新型荧光染料N-乙基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌[(E)-2-(2-(9-ethyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl)quinolato-zinc,CzHQZn]掺杂在NPBX中作为空穴传输层,CzHQZn同时还作为发光的主体,制备了结构为ITO/2T-NATA(30nm)/NPBX:25%CzHQZn(xnm)/BCP(10nm)/Alq3(60-x)nm/LiF(0.5nm)/Al的有机发光器件(x为掺杂发光层的厚度),掺杂发光层的厚度按照15,20,25,30nm进行变化,相应改变Alq3的厚度,使得这两者的总厚度为60nm保持不变。当掺杂发光层的厚度是20nm,Alq3的厚度是40nm,其他层厚度保持不变时,器件在4V电压下实现了黄光发射,色坐标为(0.514 6,0.470 5),亮度是1.078cd/m2。在14V的电压下,器件最大发光亮度为449 0cd/m2,最大发光效率为0.98cd/A。     

冬芹菜-春番茄-秋黄瓜高产高效栽培技术

<正>近年来,胶南市为提高土地利用率,在有限的土地上获得最大经济效益,促进农民增收,通过选择适宜的品种,结合当地的气候,合理安排蔬菜栽培时间,大力推广冬芹菜-番茄-秋黄瓜模式栽培,取得了较好的经济效益,年推广面积达到15万亩,亩均收入达到1.8万元,成为农民增收的重要途径。现将该项技术介绍如下:     

硫酸盐木浆企业恶臭污染状况及治理措施

通过分析硫酸盐木浆企业生产工艺,恶臭气体为硫酸盐木浆企业排放的特征污染物.分析了其产生过程、主要成分、排放方式,对有组织排放和无组织排放恶臭气体的收集提出了相应措施.提出了以收集燃烧为主,结合控制无组织排放,改进生产配方,优化燃烧系统等多种方法综合运用,彻底解决恶臭污染的措施.     

基于IP网络的媒体点播系统设计

设计了基于IP网络的媒体点播系统,对媒体服务器的主要性能参数进行了测试,分析了在特定环境下影响服务器性能的主要原因,为优化媒体服务器提供了依据.     

掺杂荧光染料的高亮度有机蓝光电致发光器件

利用蓝色发光材料DPVBi掺杂高荧光染料rubrene做发光层制备了蓝色发光器件.在掺杂浓度为1.5%(wt)左右的情况下,当改变掺杂层的总的厚度时,器件的亮度、效率和色坐标都有明显的改变.当掺杂层DPVBi和rubrene的厚度为40nm,电子传输层Alq3的厚度为20nm,器件所加的电压是13v时,其最大亮度为14000cd/m2,此时的色坐标为(0.24,0.24),为蓝光发射.这种掺杂明显的提高了蓝光器件的发光效率.使最大效率达到2.5cd/A.     

基于3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole(TAZ)制备的薄膜电阻的磁效应

讨论了采用热蒸镀方法制备的结构为ITO/β-NPB(55-xnm)/Alq3(45nm)/TAZ(xnm)/LiF(0.5nm)/Al的器件的磁效应。在室温下研究了x分别取0、5、10、15nm时器件的电阻率与磁场之间的变化关系。结果表明,x=0nm时,在10V电压下,电阻率变化率Δρ/ρ随磁场强度的增大而增大;当磁场强度B=110mT时,Δρ/ρ达到最大,仅为8.22%。当x分别取5、10、15nm时,Δρ/ρ为随磁场的增大而减小;在相同磁场强度下,x越大,Δρ/ρ越大;当B=110mT,x=15nm,电压为10V时,Δρ/ρ的数值达到最大,为-16.92%。     

基于ADN的非掺杂高效蓝色OLED器件

采用真空蒸镀的方法,制备了以ADN为发光层的高效率非掺杂蓝色有机电致发光器件.器件的结构为ITO/2T-NATA(15 nm)/NPBx(15 nm)/ADN(25+d nm)/BCP(8 nm)/ Alq_3(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al.通过调整ADN层的厚度,研究了器件的发光性能.测试结果表明,器件在6 V电压时电流效率达到最大,为2.77 cd/A;在16 V时亮度达到最大,为7 227 cd/m~2.当ADN的厚度为30 nm、器件的电压从5 V变化到16 V时,色坐标在(0.21,0.32)至(0.19,0.29)之间,均在蓝光区域.

Abstract：

Using ADN as the emitting layer, high efficient undoped blue organic light-emitting diodes(OLEDs) with a typical structure of (ITO)/ 2T-NATA(15 nm)/ NPBx(15 nm)/ ADN(25+d nm)/BCP(8 nm)/Alq_3 (30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al were fabricated via thermal vacuum deposition method. This device has a maximum luminous efficiency of 2.77 cd/A at 6 V and maximum luminance of 7 227 cd/m~2 at 16 V. The CIE coordinates of the device are within the blue region when the thickness of ADN is 30 nm and the voltage changes among the range of 6～16 V.     

不同空穴阻挡材料对白色OLED性能的影响

采用Alq3、TPBi和BCP分别作为电子传输材料和空穴阻挡材料,制备了三种器件,研究了用不同的空穴阻挡材料对器件性能的影响。实验结果表明:只采用30nm Alq3作电子传输层的器件的电流效率最大值为7.84cd/A(9V),而采用10nm Alq3作电子传输层,插入20nm的BCP和TPBi作空穴阻挡层的器件获得的电流效率最大值分别为9.72cd/A和12.21cd/A(9V)。这些结果说明空穴阻挡材料能改善器件的性能,TPBi比以BCP作为空穴阻挡层的器件性能有了很大的改善,制备的白色OLED的最大亮度和电流效率分别为22400cd/m2(17V)和12.21cd/A(9V)。     

用有机层厚度匹配法制作的有机电致蓝光器件

采用各有机层厚度匹配的方法制备了具有较好性能的有机电致蓝光器件.器件的基本结构为:ITO/2T-NATA/NPBX/DPVBi/Alq3/LiF/Al.当2T-NATA的厚度为20nm, NPBX的厚度为15nm, DPVBi的厚度为35nm, Alq3的厚度为30nm, LiF的厚度为0.5nm时,器件的性能最好.在电流密度为796mA/cm2时,最大亮度达到11600cd/m2,在电流密度为30mA/cm2,器件的效率达到最大为2.32cd/A.器件的开启电压较低,在6V工作电压下,亮度达到207.3cd/m2.在5～13V较大的范围内,色度几乎不随驱动电压或电流密度的改变而改变,稳定在x=0.16,y=0.15附近.