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1.
硫酸/盐酸比例和Al~(3+)含量对铝箔隧道孔生长的影响   总被引:5,自引:3,他引:2  
研究了硫酸/盐酸比例、温度和Al3+含量对高纯铝箔隧道孔生长的影响,发现随着硫酸浓度增加,温度对隧道孔极限长度和孔径的影响减小,在本文条件下隧道孔生长的临界温度最低可降低到35℃。在电解液中一定含量的Al3+可以避免铝箔表面形成大孔,从而改善隧道孔分布均匀性。  相似文献   
2.
高纯铝箔通常通过电化学扩面后用作铝电解电容器的阳极材料。利用铝箔(100)面隧道孔制备纳米模板。这种纳米模板的特点是制作简单、模板面积大,纳米阵列材料形状可控性强。还利用两步电化学侵蚀铝箔的特殊工艺,研制出纵横交错的TiO2纳米有序阵列材料。  相似文献   
3.
在30%酒石酸铵溶液中用恒定阳极电流测定阴极箔的计时电压(E-t)曲线,根据曲线转折电压E转判断表面氧化膜相对厚度,发现膜厚与电容量有很好对应关系。用pH=2磷酸钝化液处理的箔在刚生产出来时表面氧化膜很薄,随时间增厚,容量下降幅度大。改用pH=3.4磷酸钝化液,形成的氧化膜较厚,较稳定,容量下降得到改善。对此作了分析探讨。  相似文献   
4.
聚噻吩类有机聚合物材料光电性能研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了典型的具有光电性能的噻吩类聚合物材料,包括烷基取代聚噻吩、联苯基取代聚噻吩、芴与噻吩共聚物及一些新型的噻吩类聚合物。对它们的结构、光学性能、电致发光性能进行了归纳和总结,讨论了不同类聚噻吩的特点,对比了随取代基种类、位置及个数的不同其聚合物性能的优缺点,并对其研究和应用前景进行了展望。  相似文献   
5.
改变交流电密度 (J)、电解液温度 (T)及盐酸浓度 (ci)侵蚀电容器铝箔 ,并以表观电化学参数(J/ ci T)为依据 ,通过侵蚀铝箔的表面形貌和侵蚀箔比容的变化规律 ,研究了铝箔在纯盐酸中受〔Cl- 〕和〔H+ 〕影响的交流侵蚀机制。  相似文献   
6.
铝电解电容器阴极箔的后处理和稳定化处理   总被引:2,自引:2,他引:0  
研究硝酸后处理对阴极箔比容的影响和稳定化处理形成氧化膜的机理。硝酸浓度和温度低 ,侵蚀箔稳定化处理后氧化膜不稳定 ,容量衰减快。浓度和温度高 ,侵蚀箔容量损失大 ,侵蚀箔的初始比容低。加入硫脲和六偏磷酸钠可提高铝箔的初始比容。磷酸和钼酸钠迭加处理使侵蚀箔获得高的初始比容和低的容量衰减率 ,磷酸处理形成氧化膜可分为 Al PO4结构的表面层及 Al PO4和部分 Al被 P代替的水合氧化铝的过渡层。钼酸钠处理形成的氧化膜可分为 Al2 (Mo O4) 3结构的表面层及 A12 (Mo O4) 3和部分 Al被 Mo代替的水合氧化铝过渡层  相似文献   
7.
前处理和侵蚀对阴极箔比容的影响   总被引:2,自引:2,他引:0  
碱洗预处理和侵蚀条件对阴极铝箔比容有影响。随 Na OH浓度和 Na3PO4浓度的增大 ,侵蚀箔比容下降。碱洗的温度升高或者时间增加 ,侵蚀箔比容也下降。侵蚀溶液盐酸浓度为 0 .85 mol/ L 时侵蚀箔比容达到极大值。侵蚀液温度过低和过高 ,侵蚀箔比容都低。温度为 90℃时侵蚀比容较高。通过试验得出了较好的前处理和侵蚀条件。  相似文献   
8.
在酸性介质中已经产生隧道孔的铝箔表面,继续在中性电解液中采取直流阳极溶解时,隧道孔密度及长度与二次侵蚀时电解质类别相关。在此基础上,通过二次侵蚀前铝箔表面的酸浸泡成膜处理,以及二次侵蚀过程中在中性氯化钠介质中添加复合有机物,达到控制此过程中隧道孔生长方向的目的,使其在原隧道孔的孔壁沿着与铝箔表面平行的方向产生新的隧道孔,这为提高铝箔表面积提出了新的途径,为进一步提高铝电解电容器比容提供了可能性。  相似文献   
9.
金属包覆型复合微球的电磁应用进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
着重介绍了以高分子和无机材料如陶瓷、玻璃、石墨为基体的金属包覆型复合材料微球作为一种新兴复合功能材料在微波吸收和电磁屏蔽、电子元件、导电填料方面的应用和研究进展。并指出了其目前存在的问题和未来的发展。  相似文献   
10.
铝箔先与热水反应,再进行阳极氧化,可形成结晶复合阳极氧化膜。介绍这种膜的形成机理以及膜的结构。这种膜适用于制造中、高压铝电解电容器  相似文献   
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