一种具有750mA输出电流,双模式PWM/PFM控制的高效率直流-直流降压转换器

提出了一种输出电流可达750mA,脉宽调制（PWM）和变频调制（PFM）双模式控制的,高效率、高稳定性直流-直流降压转换器.该转换器在负载电流大于80mA时,采用开关频率为1MHz的PWM工作模式;在负载电流小于80mA时,采用开关频率减小和静态电流降低的PFM工作模式,实现了在整个负载电流变化范围（0.02~750mA）内,转换器均保持高效率.而且采用一种快速响应的电压模式控制结构,达到了优异的线性和负载调整特性.芯片采用CSMC公司0.5μm CMOS 2P3M混合信号工艺物理实现.测试结果表明,该电路可根据负载的变化在PWM和PFM模式下自动切换.最大转换效率达96.5%;当负载电流为0.02mA时,转换效率大于55%.该芯片特别适合电池供电的移动系统使用.     

一种高效率绿色模式开关电源控制器的研究

提出了一种高效率绿色模式降压型开关电源控制器芯片的设计，特点是采用PWM/Burst多模式控制策略提高全负载条件下的电源转换效率. 由于降低了低负载和待机条件下的电源功耗，可减小由电池供电的现代便携式设备的静态功耗，延长设备的待机时间和电池的寿命. 芯片还实现了模式转换过程中的平滑过渡以及过冲电压的抑制. 此外，还引入一种高精度、高效率的片上电流检测技术，进一步降低了功耗. 该芯片在1.5μm BCD (bipolar-CMOS-DMOS）工艺下设计和制造，测试结果表明芯片已达到预期的性能要求.     

一种新型的全片内低噪声CMOS低压差线性稳压器

提出了一种全片内集成的低噪声CMOS低压差线性稳压器(LDO).首先建立传统LDO的噪声模型,分析了关键噪声来源并提出采用低噪声参考电压源来降低LDO输出噪声的方法.其次,提出一种带数字校正的基于阈值电压的低噪声参考电压源,用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计并完成了为低相位噪声锁相环(PLL)电路供电的全片内集成低噪声LDO的流片和测试.该LDO被集成于高性能射频接收器芯片中.仿真结果表明,LDO的输出噪声低于26nV/√Hz@100kHz,14nV/√Hz@1MHz,电源抑制比达到-40dB@1MHz,全频率范围内低于-34dB.测试结果表明采用该低噪声LDO的PLL电路与采用传统LDO的PLL电路相比,其相位噪声降低6dBc@lkHz,低2dBc@200kHz.     

密码芯片安全扫描方法

在密码芯片中,为提高可测性引入的基于扫描的可测性设计会导致安全性的下降.文章提出了一种针对一类椭圆曲线密码的硬件实现的攻击方法,进而提出一种简单有效的密码芯片的安全扫描方法,使得在保持高测试覆盖率的同时,并不降低芯片的安全性.该方法通过对芯片工作模式的控制,采用屏蔽扫描使能信号的方式,使得在芯片中存在安全信息的情况下扫描功能失效,解决了由于扫描链的设计所引入的安全信息泄露的问题.     

An improved shape shifting method of critical area extraction

As die size and complexity increase, accurate and efficient extraction of the critical area is essential for yield prediction. Aiming at eliminating the potential integration errors of the traditional shape shifting method, an improved shape shifting method is proposed for Manhattan layouts. By mathematical analyses of the relevance of critical areas to defect sizes, the critical area for all defect sizes is modeled as a piecewise quadratic polynomial function of defect size, which can be obtained by extracting critical area for some certain defect sizes. Because the improved method calculates critical areas for all defect sizes instead of several discrete values with traditional shape shifting method, it eliminates the integration error of the average critical area. Experiments on industrial layouts show that the improved shape shifting method can improve the accuracy of the average critical area calculation by 24.3% or reduce about 59.7% computational expense compared with the traditional method.     

我国半导体产业现状及对新一轮发展的思考

一、我国半导体产业现状 (一)概况 中国的集成电路产业自1997年华虹NEC成立以来,在晶圆尺寸上,从20世纪90年代初的4英寸-5英寸水平基础上,已经大步跨入8英寸,甚至12英寸时代;在经济规模上持续攀升,令全球业界关注和刮目相看.     

基于核的信息安全处理芯片可测性设计

从可测性设计角度讨论了信息安全处理芯片的芯片级测试控制器的设计以及相应核的可测性设计.综合结果显示,所设计的芯片级测试控制器所占用的面积代价非常小.     

亚波长设计中的可制造性验证方法

描述了一种采用分辨率提高技术后用于可制造性设计的验证方法.该方法的目的是验证设计功能与设计目的是否一致,更精确地说,使刻印出来的图像与设计一致.还描述了这种基于模型的验证方法的过程建模,实例说明这种方法的性能.     

Mesh结构P/G布线网络层次化快速分析方法

本文提出了一个基于网络划分的P／G布线网络层次化快速分析方法。其中，对于子网运算，通过对Cholesky分解法三角化对称正定阵的图模型分析，并基于Mesh结构网络的自身特点，提出了一个基于图顶点排序的加速子网分析运算策略；并用基于MPI的并行结构实现了P／G布线网络分析的并行运算。     

基于混沌的高速真随机数发生器的设计与实现

选取分段线性的混沌表达式来设计真随机数发生器,具体分析了表达式中参数对迭代产生的序列的影响,并给出了最佳的参数选择范围.真随机数发生器由模拟电路实现,整个电路由八级结构相同的子电路和一级抗饱和电路构成.每级子电路都由运算电路和采样/保持电路两部分组成,同时,分析了它们的工作过程和仿真结果.介绍了如何在开关电容电路中消除电荷注入对电路的影响.所设计的真随机数发生器芯片采用TSMC的0.25μm,mixed signal的工艺进行流片,芯片面积为2.34mm2,并完成了对芯片的测试工作.