X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器

报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中，开展了关键工艺的专题研究。研究结果为：单级单片放大器在10：5－11．6GHz范围内，NF≤1．82dB，G≥7.72dB；在11．7－12．2GHz范围内，NF≤1．80dB，G≥6．8dB；双级放大器在10．4－11．1GHz范围内，NF≤1．96dB，G≥15．3dB，最低噪声系数为1．63dB，最高增益为16．07dB。     

超高真空电子束蒸发铂

<正>由于微波半导体器件如IMPATT二极管所承受的功率密度很大,达“兆瓦/厘米~2”级,因此在器件的工作温度下接触金属Au向半导体中扩散是一个严重的问题.为了有效地防止金向半导体中扩散,须在导电层Au和接触层Ti之间加进一层阻挡层.一般公认铂是较理想的阻挡材料.我们在超高真空电子束蒸发台内用电子束蒸发Ti和Pt,再用电阻蒸发Au,一次完成Ti-Pt-Au三元非合金欧姆接触金属化层,并已在IMPATT二极管的研制中得到实际应用.     

Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验

通过分析微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）与常用的微波立体电路的不同点，讨论了采用通用的微波电路软件进行ＭＭＩＣ精确设计的有效途径，着重分析了在软件中如何建立三类ＭＭＩＣ用元件（有源器件、无源元件及由ＭＭＩＣ工艺决定的特有图形元件）电路模型的方法，借助这一分析，使用通用的微波电路软件，完成了Ｋｕ波段两级ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ单片低噪声放大器的设计与研制，取得了与ＣＡＤ设计值十分相近的实验结     

煤矿矿井废水膜法制备生活饮用水

采用超滤 反渗透双膜法处理煤矿矿井废水,对各个设备的运行进行了评价,结果表明:用膜法处理复杂的矿井废水,能耗低、水质好、产品水质完全达到生活饮用水卫生标准.     

3毫米硅P~+NN~+崩越二极管(Ⅱ)

本文报导了3毫米频段硅P~+NN~+崩越二极管研制中采取的工艺措施和实验结果.器件的最佳性能为:103GHz输出115mW,η=3.6%;126GHz下输出30mW,η=1.5%