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一种采用PVT不敏感电荷传输电路的27mW 10位125MSPS 电荷域流水线模数转换器 总被引:2,自引:2,他引:0
A low power 10-bit 125-MSPS charge-domain(CD) pipelined analog-to-digital converter(ADC) based on MOS bucket-brigade devices(BBDs) is presented.A PVT insensitive boosted charge transfer(BCT) that is able to reject the charge error induced by PVT variations is proposed.With the proposed BCT,the common mode charge control circuit can be eliminated in the CD pipelined ADC and the system complexity is reduced remarkably.The prototype ADC based on the proposed BCT is realized in a 0.18μm CMOS process,with power consumption of only 27 mW at 1.8-V supply and active die area of 1.04 mm~2.The prototype ADC achieves a spurious free dynamic range(SFDR) of 67.7 dB,a signal-to-noise ratio(SNDR) of 57.3 dB,and an effective number of bits(ENOB) of 9.0 for a 3.79 MHz input at full sampling rate.The measured differential nonlinearity(DNL) and integral nonlinearity (INL) are +0.5/-0.3 LSB and +0.7/-0.55 LSB,respectively. 相似文献
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基于Double RESURF 700VBCD工艺平台,提出了一种夹断电压可调的高压结性场效应管(J-FET)。这种J-FET的夹断是通过栅源反偏引起的N阱(N-well)表面耗尽和衬源反偏引起的底部耗尽共同作用结果,故夹断电压可受J-FET的栅电位调制。同时通过改变高压J-FET的P型埋层(P-buried)掩膜窗口的大小和间距,来改变P-buried和N-well的杂质浓度分布,达到改变J-FET夹断电压的目的。在不增加工艺步骤和改变原有工艺条件的情况下,通过实验得到击穿电压大于700V,夹断电压在8V和17V之间可自由调整的高压J-FET器件。该器件可以作为启动器件和供电模块的线性调整器件使用。由于其夹断电压受P-buried注入版图尺寸的影响,同时受栅电位调制,所以可以满足线路设计者的不同要求。 相似文献
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A single-stage flyback driving integrated circuit (IC) for light-emitting diodes (LEDs) is proposed. With an average primary-side current estimation and negative feedback networks, the driver operates in the boundary conduction mode (BCM), while the output current can be derived and regulated precisely. By means of a simple external resistor divider, a compensation voltage is produced on the ISEN pin during the turn-on period of the primary MOSFET to improve the line regulation performance. On the other hand, since the delay time between the time that the secondary diode current reaches zero and the turn-on time of the MOSFET can be automatically adjusted, the MOSFET can always turn on at the valley voltage even if the inductance of the primary winding varies with the output power, resulting in quasi-resonant switching for different primary inductances. The driving IC is fabricated in a Dongbu HiTek's 0.35μm bipolar-CMOS-DMOS process. An 18 W LED driver is finally built and tested. Results show that the driver has an average efficiency larger than 86%, a power factor larger than 0.97, and works under the universal input voltage (85-265 V) with the LED current variation within ±0.5%. 相似文献
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深亚微米CMOS电路具有器件特征尺寸小、复杂度高、面积大、数模混合等特点,电路全芯片ESD设计已经成为设计师面临的一个新的挑战。多电源CMOS电路全芯片ESD技术研究依据工艺、器件、电路三个层次进行,对芯片ESD设计关键点进行详细分析,制定了全芯片ESD设计方案与系统架构,该方案采用SMIC0.35μm 2P4M Polycide混合信号CMOS工艺流片验证,结果为电路HBM ESD等级达到4 500 V,表明该全芯片ESD方案具有良好的ESD防护能力。 相似文献
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