基于动态参考的超低功耗动态PWM比较电路

提出了一种具有动态参考功能的高灵敏度、超低功耗PWM比较电路。该电路采用动态参考和多路径正反馈动态比较器,使连续的输入信号比较后生成一串离散数字信号,逻辑处理后转成占空比变化的脉冲。基于65 nm CMOS工艺,在1.2 V电源电压、200 MHz时钟频率下,对该电路进行了验证。结果表明,该电路的整体延迟时间有所增加,平均电流为5.958 μA,分辨率为800 μV。功耗仅8.1 μW,为传统静态PWM比较器的5.2%。     

用于CMOS图像传感器芯片的版权保护盲水印算法

提出了一种易于硬件实现的、用于图像版权保护的自适应盲水印算法。利用R、G和B分量在图像信息中各自的不同特点做不同处理;根据人眼的视觉特性,通过对图像G分量纹理强度分析自适应地选择合适的水印拉伸因子,从R分量中提取图像内容来加密水印,对B分量进行DCT变换来嵌入不可见盲水印。采用伪随机序列发生器实现水印置乱,基于DCT中低频系数求均值来嵌入盲水印,大大降低了硬件消耗。实验结果表明,算法对噪声干扰、滤波、锐化、剪裁和模糊处理具有很好的鲁棒性,提取出的水印的归一化相关系数均在0.5之上,大于人眼可识别的检测阈值。     

1200V场终止型绝缘栅双极晶体管的ADE物理建模及参数提取

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是微电子学研究的热点之一,而相关电路仿真迫切需要该器件的等效模型.本文提出基于傅里叶解双极扩散方程（ADE）的1200V场终止型IGBT物理模型,通过RC电路等效漂移区载流子分布,精确求解双极扩散方程.该模型针对大功率IGBT的工作原理,采用大注入假设条件,在综合分析场终止层的同时,根据1200V场终止型IGBT的特点考虑漂移区载流子的复合效应.在提取器件模型所需的关键参数后,用实际IGBT的测量结果对该模型的仿真结果进行了验证,通过分析静态以及关断瞬态特性曲线,仿真与实验数据误差均值小于8%,证明所建模型及参数提取方法的精确度.     

四管CMOS图像传感器中像素图像拖影的二维仿真与优化

Pixel image lag in a 4-T CMOS image sensor is analyzed and simulated in a two-dimensional model. Strategies of reducing image lag are discussed from transfer gate channel threshold voltage doping adjustment, PPD N-type doping dose/implant tilt adjustment and transfer gate operation voltage adjustment for signal electron transfer. With the computer analysis tool ISE-TCAD, simulation results show that minimum image lag can be obtained at a pinned photodiode n-type doping dose of 7.0 × 10¹² cm^–2, an implant tilt of –2^o, a transfer gate channel doping dose of 3.0 × 10¹² cm^-2 and an operation voltage of 3.4 V. The conclusions of this theoretical analysis can be a guideline for pixel design to improve the performance of 4-T CMOS image sensors.     

用于CMOS图像传感器芯片的多功能盲水印算法

提出了一种在小波域中同时嵌入鲁棒水印和脆弱水印的算法。根据相邻小波系数间的关系在JPEG压缩后大多不发生变化的事实,首先对原始载体图像进行一级小波分解,然后将鲁棒水印嵌入到小波的低频系数LL中,脆弱水印嵌入到小波的高频子带HL中,水印提取和图像认证均不需要原始图像参与,很好实现了水印的盲检测。实验结果表明:本文算法对常见的非恶意攻击提取的鲁棒水印和半脆弱水印的归一化相关系数(NC)值几乎都在0.8以上;对恶意的图像操作可以精确检测和定位;算法嵌入容量大,抗JPEG压缩性能高和计算简单,可以集成于CMOS图像传感器芯片中。     

用于CMOS图像传感器芯片的版权保护盲水印算法

提出了一种易于硬件实现的、用于图像版权保护的自适应盲水印算法。利用R、G和B分量在图像信息中各自的不同特点做不同处理;根据人眼的视觉特性,通过对图像G分量纹理强度分析自适应地选择合适的水印拉伸因子,从R分量中提取图像内容来加密水印,对B分量进行DCT变换来嵌入不可见盲水印。采用伪随机序列发生器实现水印置乱,基于DCT中低频系数求均值来嵌入盲水印,大大降低了硬件消耗。实验结果表明,算法对噪声干扰、滤波、锐化、剪裁和模糊处理具有很好的鲁棒性,提取出的水印的归一化相关系数均在0.5之上,大于人眼可识别的检测阈值。     

一种新型鳍状栅极LDMOS功率器件的设计

本文设计了一种具有新型鳍状栅极结构的LDMOS功率开关器件(FG-LDMOS),该器件在导电沟道处纵向刻蚀一组浅沟槽,再经热氧化后填充作为场板的多晶硅。鳍状栅极结构在不改变器件尺寸情况下,增大了沟道的有效宽度,增强了场板效应。通过Silvaco TCAD仿真验证,结果表明FG-LDMOS较传统LDMOS具有更好的电学特性,如击穿电压提高了25％达到100 V,比导通电阻Ron.sp降低了25％至2.68 mΩ?cm2,品质因数FOM提高了94.5％到3.58 MW/cm2。此外该FG-LDMOS拥有优异的高频开关特性,其栅漏电容CGD降到了0.46×10-16 F/μm,跨导gm升至0.26 mS。     

一种获得四管CMOS图像传感器像素夹断电压的方法

提出了一种测试四管CMOS图像传感器像素夹断电压的方法。该方法是基于像素中势阱结构的变化能够对图像信号散粒噪声产生影响的假设。实验结果测得的夹断电压与理论预测相一致。该技术提供的实验方法不仅能够帮助设计四管CMOS图像传感器光电二极管的结构,而且也能优化像素生产工艺。     

Two-dimensional pixel image lag simulation and optimization in a 4-T CMOS image sensor

Pixel image lag in a 4-T CMOS image sensor is analyzed and simulated in a two-dimensional model.Strategies of reducing image lag are discussed from transfer gate channel threshold voltage doping adjustment,PPD N-type doping dose/implant tilt adjustment and transfer gate operation voltage adjustment for signal electron transfer.With the computer analysis tool ISE-TCAD,simulation results show that minimum image lag can be obtained at a pinned photodiode n-type doping dose of 7.0×10~(12) cm~(-2),an implant ...