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设计并实现了一种抗辐射低功耗流水线型8位ADC。对流水线型结构的分辨率影响进行分析,确定了最优的级间分辨率和流水线结构。采用多种电路的结构设计,降低了电路功耗。为达到抗辐射指标,对电路进行了抗辐射加固设计。测试结果表明,在3 V电源电压、100 MHz时钟输入频率、70.1 MHz模拟输入频率的条件下,该ADC的SFDR为59.6 dBc,稳态总剂量能力为 2 500 Gy(Si),单粒子闩锁阈值为75 MeV·cm2/mg,功耗为69 mW。该ADC采用0.35 μm CMOS工艺制作,面积为0.75 mm2。该ADC适用于空间环境的通信系统。 相似文献
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Based on 0.18 μm MOS transistors, for the first time, the total dose effects on the matching properties of deep submicron MOS transistors are studied. The experimental results show that the total dose radiation magnifies the mismatch among identically designed MOS transistors. In our experiments, as the radiation total dose rises to 200 krad, the threshold voltage and drain current mismatch percentages of NMOS transistors increase from 0.55% and 1.4% before radiation to 17.4% and 13.5% after radiation, respectively. PMOS transistors seem to be resistant to radiation damage. For all the range of radiation total dose, the threshold voltage and drain current mismatch percentages of PMOS transistors keep under 0.5% and 2.72%, respectively. 相似文献
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分析了流水线A/D转换器采样电容与反馈电容之间的增益失配,探究了运放有限增益与流水线残差输出及A/D转换器输出的关系,建立了精确的系统模型。通过建立14位流水线A/D转换器Verilog-A的行为级模型,在数字域对流水线A/D转换器输出数字码进行分段平移。在第一级级间增益误差达到±0.012 5时,校正前信噪比仅为62 dB,校正后信噪比提升到85 dB。提出的校正方法可有效补偿由流水线级间增益导致的数字输出不连续和线性度下降。 相似文献
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