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1.
2.
基于笔者提出的弥聚子论的基本概念及其中对于主要反映超高速领域物质运动与时空之间关系的爱因斯坦狭义相对论(或称“高速狭义相对论”)的尝试性拓展———预言了有可能显著存在于超低速领域的低速狭义相对论效应乃至有可能显著存在于超高速和超低速领域、同时涉及介于两者之间的常速领域的全速域狭义相对论效应,对爱因斯坦狭义相对论的前提进行了评述、质疑与修正,其要点包括:第一,指出了爱因斯坦在“以狭义相对性原理为前提”的名义下所做推导的前提超出了纯粹意义上的狭义相对性原理,它实际上隐含了独立且具有潜在局限性的“伽利略极限契合原理”和“线性时空变换假设”;第二,指出了依据对电磁波运动的考察和狭义相对性原理而得出的光速不变原理在其意义和作用方面存在一定的局限性,而通过对实物体运动的考察则有可能获得等价于光速不变原理或较之更具普遍意义的能够作为狭义相对论前提的原理,从而有可能更深刻、更充分地反映狭义相对论效应的物理本质乃至引发狭义相对论的变革;第三,区分了光速不变原理与“固有常数光速个例性原理”,指出了狭义相对性原理不仅寓于相关时空变换表达式的高度对称性之中,还必寓于其他与物理过程相关的原理之中;第四,依据前期研究成果对狭义相对论的前提进行了更新,即扬弃了光速不变原理并代之以先前提出的实物体运动存在速度上限和下限的“双极限速原理”及与之孪生的“双极限速质量-速度关联原理”,并指出了在笔者所期待的狭义相对论的变革中恰当运用“伽利略极限契合原理”或将其推广为“洛仑兹极限契合原理”乃至推广为扬弃具体极限情形的“一般性极限契合原理”以及放弃“线性时空变换假设”转而依循“时空变换数学形式的开放性原则”的必要性。在此基础上,通过在上限速单极近似下引入质量-速度关联原理,重新推导出了爱因斯坦狭义相对论中的洛仑兹变换关系式,明确了以质量-速度关联原理取代光速不变原理的推演步骤,并使得“光速不变”(或“上限速度不变”)在爱因斯坦狭义相对论中由前提蜕变为推论。继之,分别给出了上限速单极近似和下限速单极近似下质量-速度关系的唯象推导过程,并明确了低速狭义相对论和全速域狭义相对论时空变换关系式的构建原则。这一工作使得全速域狭义相对论完备理论模型的建立又向前推进了一步。  相似文献   
3.
GaAs纳米线通常呈现纤锌矿结构(WZ),而WZ(1010)侧面已被实验所观测到。利用第一性原理计算了GaAs(1010)的表面弛豫和表面能,计算结果表明:(1010)A表面只出现原子的弛豫现象,表面能为40.6×1020meV/m2;而(1010)B表面却重构形成了GaGa和AsAs二聚体,表面能为63.5×1020meV/m2。相对于ZB(110)表面,WZ(1010)A面具有更低的表面能,(1010)A表面具有更好的稳定性,说明了在表面能占重要影响的纳米线中WZ结构存在的合理性。  相似文献   
4.
土壤粘附是影响疏浚刀齿切削效率的重要因素之一.降低粘性土壤对刀齿表面接触面积可以减小土壤对刀齿的粘附和降低刀齿切削土壤的阻力.针对两种典型非光滑刀齿结构用遗传算法进行了优化设计,得到了在一定压力条件下非光滑表面仿生刀齿结构的最优参数,为疏浚刀齿表面结构仿生减粘降阻设计提供了参考.  相似文献   
5.
扫频法精确测量高速光调制器频率响应   总被引:1,自引:0,他引:1  
同微波网络一样,可以用S参数来精确描述光电子器件的性能.根据微波网络的S参数,详细推导了光电子器件的S参数.搭建了40 GHz高速测试系统,利用矢量网络分析仪(带宽40 GHz)和作为参考的标准高速光探测器(带宽45 GHz),测量了宽带光强度调制器(实测带宽35 GHz)的频率响应.理论上,通过S参数和T参数的互相转换,扣除了微波放大器对测试结果的影响.在120 MHz~35 GHz范围内,测得的结果与出厂数据取得了很好的一致性.文中通过合理的简化,得到了光调制器频率响应的简明表达式,从而降低了数据处理的复杂度.  相似文献   
6.
可重构光分插复用(ROADM)设备可以通过软件实现远程节点上、下路和直通波长的配置.文章首先介绍了ROADM设备结构的演进过程,然后通过比较基于波长选择开关(WSS)的结构的ROADM设备,采用不同逻辑实现方式获得了不同特性,最后探讨了WSS的实现技术.  相似文献   
7.
根据异质结双极晶体管(HBT)的实际结构提出高频小信号电路模型,以此模型用于共射放大电路为出发点,从理论上阐明了高频放大电路产生不稳定的原因,分析了端接电阻的稳定方法,借助matlab快速确定出稳定电阻的取值范围,其理论计算与仿真有很好的一致.  相似文献   
8.
提出一种结合双低温缓冲层和应变超晶格优势的高质量InP-on-GaAs复合衬底制备技术.研究发现LT-InP/LT-GaAs的双低温缓冲层比单一低温InP缓冲层的聚集应变的效果更为显著.并且,双低温缓冲层中的低温GaAs层存在一个最优生长厚度.当低温InP生长厚度一定,低温GaAs层的生长厚度达到优化生长厚度时,LT-InP/LT-GaAs双低温缓冲层能达到调节应变的最佳状态.最后,通过插入InGaP/lnP应变超晶格,并且优化其在外延层中的插入位置.得到了高质量的InP-on-GaAs的复合衬底,2μm厚的lnP外延层XRD-ω/2θ扫描的半高宽小于200.  相似文献   
9.
报道了利用光纤中的自相位调制(SPM)效应对微结构光纤的非线性系数进行测量的实验.实验中采用半导体激光器作为脉冲光源,输出宽度为1.6 ps的双曲正割型脉冲,经掺铒光纤放大器(EDFA)放大后进入80 m的色散平坦微结构光纤,由于自相位调制效应,出射光谱得到展宽.通过测量输入微结构光纤的脉冲峰值功率和输出光谱,可以计算得到微结构光纤的非线性系数.该测量方法简单、准确,实验测量值与光纤的标称值误差小于1%.  相似文献   
10.
对用于光电集成电路(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)及PIN探测器进行了设计与研制,讨论了堆叠层结构和共享层结构2种常见的集成方式,通过实验比较,确定了共享层结构器件性能更好,并对此结构进行了改进。所研制的HBT截止频率达到30 GHz,直流增益达到100;PIN的3 dB带宽达到了15 GHz。详细介绍了器件结构及工艺流程。  相似文献   
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