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GaAs半导体材料可以提高器件运行速度,日益引起人们的注意,但是也给器件制造带来了许多问题。在本个,一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来,该工艺采用三层胶方法,曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的,并且取得了好的结果。 相似文献
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