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1.
GaAs半导体材料可以提高器件运行速度,日益引起人们的注意,但是也给器件制造带来了许多问题。在本个,一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来,该工艺采用三层胶方法,曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的,并且取得了好的结果。  相似文献   
2.
采用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅,一次曝光,分步显影,基本解决了不同胶层间互融的问题.该方法制作效率高,所制作的T型栅形貌好,头脚比例可控,基本满足器件制作要求.  相似文献   
3.
同步辐射光刻技术研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
光刻技术是推动集成电路制造业不断向前发展的关键技术。X射线光刻技术是下一代光刻技术的一种,具有产业化的应用前景。掩模技术是X射线光刻技术的难点,本文报告了国内利用同步辐射源的X射线掩模和光刻技术研究的最新进展。  相似文献   
4.
用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅,一次曝光,分步显影,基本解决了不同胶层间互融的问题.该方法制作效率高,所制作的T型栅形貌好,头脚比例可控,基本满足器件制作要求.  相似文献   
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