P~+N结光电流超线性的解释

大家知道,光照射到用扩散制成的P~+N结上时,它提供的光电流由三部分组成:P~+区光生电子输运到结形成的光电流J_n,过渡区光激发的电子和空穴分别漂向N区和P~+区形成的光电流J_j及N区光生空穴扩散到结产生的光电流J_(po)所以总光电流为J=J_n+J_j+J_(po) (1) 我们又知道入射光子通量密度随深度呈指数衰减:     

四论注入光敏器件的物理基础

叙述了从现象的发现到理论分析，然后用实验进行验证，最后利用这个现象研制成注入光敏器件的全过程，从而证明注入光敏器件有牢靠的物理基础。本文还分析了文献（１￣５，１０）中的几个主要不同论点及欠妥的讨论方法。     

p型含氮CZ—Si单晶的退火性质

本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和生长机制有关;1100℃退火时产生的施主态则与材料中的氮沉淀有关。     

基于主从式双处理器的光纤比色测温仪软件设计

介绍一种基于DSP和MCU双处理器的内调制光纤比色测温仪的设计原理。测温仪以AT89C55和TMS320F206为核心,对内调制光电探测器进行线性补偿和温度补偿,并加入比辐射率的修正。本系统能够对环境温度变化大、周围环境恶劣的高温物体进行高精度的温度测量。     

内调制多色比色测温系统

发射率表征待测体与黑体的辐射强度之比,它与材料的性质、表面状态密切相关,随时间变化而变,并显著影响测温精度。为此提出了一种新的多色比色测温方法,该方法可以对待测体的发射率进行实时修正,具有自适应的特点,使测温仪可以快速、准确地测量温度。采用这种测温方法研制出新型的内调制多色比色测温系统,测温仪用内调制光电探测器作为探测单元,探测器能将恒定的光信号转变为交流电信号输出,便于信号放大和消噪,有效地提高了系统的信噪比。在1050～1650℃范围,测温最大误差为6．2‰。     

内调制光电探测器特性的模拟与实验分析

给出了内调制光电探测器受光结光生电压、输出结电流及内调制特性的理论模型;在此基础上进行数值计算,得到模拟曲线;并将实验曲线与模拟曲线对比,结果吻合.然后深入分析了栅压对受光结的光电特性的影响,以及在横向发生的抽取效应对受光结的影响,并对此器件内调制特性进行解析,阐明了其内调制工作机制.     

自适应内调制光纤比色测温仪的算法构造和软件实现

提出了一种自适应比色测温法.将其与样条插值、最小二乘法相结合,研制出了自适应内调制光纤比色测温仪,可对高温物体进行温度测量.主要介绍了该测温仪的算法构造和软件实现.     

内调制光电探测器与GCMPD灵敏度的比较

通过严格的对比实验发现，内调制光电探测器的灵敏度比ＧＣＭＰＤ的高很多。文中还指出了ＧＣＭＰＤ理论的基本错误和实验的欠妥之处。     

基于峰域工作点的间接耦合光电探测器

本文系统报道了间接耦合光电探测器奇异输出特性中四类工作区域的瞬态响应状部，当器件工作于峰域时，不仅能加快响应速度而且产生新的内部增益，充分展示出这是一个极有价值的区域。文中针对实验结果进行讨论，得出交流耦合系数大于１的分析结果。     

注入光敏三极管的基本特性和分析

本文介绍了注入光敏器件的物理基础、注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光敏三极管的比较，可以看出注入光敏器件的特征所在．最后，用我们提出的理论对注入光敏三极管的特性进行了合理的解释．