不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

二维随机变量扩展不确定度置信因子的确定与分析

本文针对用二维随机变量描述一个测量结果时,扩展不确定度的置信因子确定问题,给出了计算模型。结果表明,在同样的置信因子下的取值区间,二维随机变量的置信概率要比一维随机变量的置信概率小。     

PMOS剂量计的长期室温退火

为掌握ＰＭＯＳ剂量计的应用方式并提高其应用精度,研究了ＰＭＯＳ剂量计的辐照剂量记录－阈电压在室温下的长期退火表现。结果表明：氧化物电荷的隧道退火与界面态的后生长效应是造成退火的原因,ＰＭＯＳ剂量计辐照及贮藏偏置是决定其退火方向和程度大小的重要因素。负偏置条件能较好地保持其辐照记录,在正偏置贮存下的退火较大。     

薄栅氮化物的击穿特性

研究了含 N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明 :MOS栅介质中引入一定的 N后 ,能提高介质的电荷击穿强度 ,电荷击穿强度受 N2 O退火温度的制约 ;N对薄栅介质的击穿电场强度影响甚微 ,击穿电场受栅偏压极性的制约。用一定模型解释了实验结果     

DCOM分布式软件系统研究和应用

在如今的网络和分布式计算时代,资源共享和信息安全日益成为被关注的焦点。本文以胜利油田勘探数据库应用(EIS软件)作为切入点,论述了如何利用COM+技术构建安全、健壮的DCOM分布式软件系统。COM+提供了包括可靠的安全性在内的诸多技术,可利用它构建容纳WindowsDNA体系结构中的业务逻辑层的应用服务器。     

测试数据质量保证的系统思想方法

本针对目前的计量保证方法在靶场质量体系中存在的问题，提出了测试数据质量保证的思路，并采用系统思想和方法对其进行了分析与研究。结果表明，测试数据质量保证有效地提高了测试与试验结果的置信水平。     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

频率源时间量特性表征方法及其分析

本文采用最大时间间隔误差(MITE)和时间抖动误差来表征频率源的时间量特征,设计了基于数字信号处理的抖动测量以及MITE的快速计算方法,完善了频率源计量特征的表征.     

弹丸破片测速的新概念与新方法可行性研究

由于弹丸的杀伤能力与其破片动能有直接的关系,因此,采用弹丸破片在定距离处平均击靶速度(破片存速)比采用破片平均飞散速度衡量破片杀伤能力更为准确,也更具有实际意义。在此概念基础上,本文设计了一种新的破片测速方法。利用破片穿入预置阻尼块发生侵彻现象时其侵彻深度与撞击速度的函数关系,采用现代传感器技术及数据采集处理技术,测量出破片侵彻深度,从而准确测定破片击靶速度与分布,为弹丸破片杀伤能力的评估提供了一种新的思路与方法。     

标准电陋校准

文中讨论基于数字电压表的标准电阻测量方法，分析DVM输入电阻引起的并联(分流)误差，给出理论和实验测试结果。