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1.
发展了一种组合形式氧化锌浪涌吸收器.叙述了这类器件的制作技术、结构,以及电性能.这类浪涌吸收器广泛地用作电子电路过压保护和电站高压避雷器,并简要地列出了这类器件的应用电路.  相似文献   
2.
用射频溅射法已在兰宝石的(O001)和(0112)面上外延生长了ZnO单晶薄膜.研究了这些薄膜的晶体结构和电特性.对兰宝石(0112)面上沿ZnO薄膜C轴传播的SAW测量了包括相速度,耦合系数,传播损耗及延迟温度系数等声表面波(SAW)特性.通过中心频率为1050兆赫的滤波器证明了这种结构对于高频SAW器件的可用性.  相似文献   
3.
本文主要叙述无机压电薄膜的发展概况和最近的进展.同时简单地介绍了这些薄膜的特性,主要制备技术以及它们在声体波和声表面波器件方面的最新应用.  相似文献   
4.
添加物对ZnO陶瓷的性能影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
ZnO陶瓷是一种新型的功能性材料。最近几年来,由于采用了各种添加物改性和利用它的晶界特性,使其具有半导性、非线性特性以及压电性,同时还制作了许多有用元件。例如:浪涌吸收器、气体传感器、声表面波(SAW)器件等。 本文报道了各种添加物对ZnO陶瓷的特性影响,也简述了它的某些效应和应用。  相似文献   
5.
研究了各种烧结温度下ZnO-Bi_2O_3-MnO和ZnO-Bi_2O_3-MnO-TiO_2系统的微观结构,晶粒尺寸分布与I-V特性的关系,根据其晶粒分布的结果,证明计算势垒电压与测量值存在差异。采用直接和间接的方法比较了两个系统的测量势垒电压,表明它们都是烧结温度和平均晶粒尺寸标准差的函数。在任何烧结温度,从直接的方法获得的测量势垫电压分别为:含TiO_2系统是5V(在10μA下);不含TiO_2系统是6V(在4μA下)。统计分析指出,对于计算变阻器晶粒边界结的势垒数,采用一般的方法足以改善势垒电压的差异。  相似文献   
6.
各向异性压电陶瓷材料   总被引:6,自引:1,他引:5  
本工作制备了添有少量Pb(Zn_(1/3) Nb_(2/3))O_3,Bi(Zn_(1/2) Ti_(1/2))O_3和MnO_2的高电阻率,高密度的改性(PbCa)TiO_3压电陶瓷。这种陶瓷在150℃和施加40—50kV/cm电场条件下极化之后显示出大的各向异性压电特性。它具有高的厚度扩张模式机电藕合系数Kt,高的机械品质因素Qm低的介电常数,而平面耦合系数Kp值极小。于是,这种新的压电材料适于制作高频陶瓷滤波器超声换能器,金属探伤检测器,以及声表面波器件等。  相似文献   
7.
8.
本文着重介绍高功率稳压用氧化锌陶瓷材料配方、制备工艺及添加物对性能的影响.这种材料的特点是性能优良,稳定位好,可靠性高.同时简明了用该材料制作高功率稳压器的基本要求及特点.  相似文献   
9.
氧化锌压电薄膜是一种新型的声学器件材料.为了扩大应用范围,要求薄膜有足够高的电阻率.然而,过去人们惯用的方法是在氧化锌陶瓷靶体中添加Li_2CO_3实践证明,添加Li_2CO_3的氧化锌陶瓷靶体不仅烧结温度高而且致密度低.另外,当用这种靶体溅射沉积时,获得的薄膜晶粒粗,表面粗糙,故制作的薄膜器件传输损耗大.尤其是当Li~(1+)离子吸收了空气中水份时,在薄膜的表面会产生LiOH并降低了器件的稳定性和可靠性.本报告提出用RF二极溅射装置沉积高电阻率,细晶率的添MnO_2,Cu_2Oc轴择优取向的压电薄膜.采用反射电子衍射(RED),X射线衍射(XRD)和扫描电镜照片(SEM)来研究薄膜的C轴取向和微观结构.并且用DTA,TGA.HEA等热过程曲线研究了添MnO_2,Cu_2O氧化锌陶瓷靶体对薄膜性能的影响.测量了这种薄膜的有效机电耦合系数,其值接近于氧化锌单晶.因此,为了获得高阻氧化锌压电膜,探索比Li_2CO_3更适用的添加剂不仅是必要的,而且是可能的.最后,文中对某些试验结果作了分析和讨论.  相似文献   
10.
低压氧化锌(ZnO)变阻器因不均匀的晶粒生长与不均匀的微观结构,往往导致不一致的伏安特性。在陶瓷配料中加入籽晶是抑制个别大晶粒生长的一种有效方法,它能较易地控制细晶粒尺寸和电性能的一致性。籽晶通常是一种组成与原ZnO配比相同的单晶颗粒,而籽晶的晶粒尺寸要比原ZnO晶粒平均尺寸大。  相似文献   
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