全文获取类型
收费全文 | 89篇 |
免费 | 5篇 |
国内免费 | 128篇 |
专业分类
化学工业 | 1篇 |
无线电 | 211篇 |
一般工业技术 | 10篇 |
出版年
2018年 | 2篇 |
2015年 | 1篇 |
2014年 | 1篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 1篇 |
2009年 | 11篇 |
2008年 | 20篇 |
2007年 | 19篇 |
2006年 | 9篇 |
2005年 | 15篇 |
2004年 | 16篇 |
2003年 | 21篇 |
2002年 | 14篇 |
2001年 | 24篇 |
2000年 | 35篇 |
1999年 | 5篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 2篇 |
1996年 | 5篇 |
1995年 | 1篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 7篇 |
1978年 | 1篇 |
排序方式: 共有222条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
光互连是突破传统微电子IC性能瓶颈的重要技术手段,对推进"后摩尔时代"微电子技术的发展和高性能计算技术的实现具有关键性意义。本文在归纳总结不同层次光互连结构特点的基础上,对片上光互连(on-chip or intra-chip optical interconnects)所涉及的若干种无源光子集成器件的设计制备及性能特点进行了分析介绍,这些器件包括SOI亚波长光子线波导、SOI光子晶体波导、MMI分束/合束器、微环/微盘谐振腔滤波器、光子晶体微腔耦合滤波器、光子晶体反射镜等,是硅基片上光互连的基本构成单元。本文对这些关键性光子集成器件的国内最新研究进展进行了报道。 相似文献
3.
采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2 H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530'和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件. 相似文献
4.
5.
采用 UHV / CVD系统 ,在 Si衬底上生长了具有渐变 Si1 - x Gex 缓冲层结构的弛豫 Si0 .76 Ge0 .2 4虚衬底和 5个周期的 Si0 .76 Ge0 .2 4/ Si多量子阱 .在渐变 Si1 - x Gex 缓冲层生长过程中引入原位退火 ,消除了残余应力 ,抑制了后续生长的 Si Ge中的位错成核 .透射电子显微照片显示 ,位错被有效地限制在组份渐变缓冲层内 ,而 Si Ge上层和 Si Ge/Si量子阱是无位错的 .在样品的 PL 谱中 ,观察到跃迁能量为 0 .96 1e V的 型量子阱的无声子参与 (NP)发光峰 .由于 型量子阱中电子和空穴不在空间同一位置 ,较高光功率激发下引起的高浓度载流子导致能带弯 相似文献
6.
提出了注氢硅片表面借助键合氧化硅片进行剥离的热动力学模型 ,这种剥离现象是退火过程中氢离子注入区氢气泡横向增长的结果 .氢气泡的增长速率依赖于氢复合体分解和氢分子扩散所需的激活能 ,氢气泡的半径是退火时间、退火温度和注氢剂量的函数 .氢气泡的临界半径可根据 Griffith能量平衡条件来获得 .根据氢气泡增长的这一临界条件 ,获得了不同劈裂温度时所需的剥离时间 相似文献
7.
报道了基于SOI (silicon-on-insulator)材料的光波导和集成波导光开关矩阵的最新研究进展. 给出了截面为梯形的脊波导的单模条件,设计制备了MMI (multimode interference)集成耦合器和基于Mach-Zehnder光波导干涉仪的热光型2×2光开关,开关转换速度达到了5~8μs,驱动功耗仅为140mW,是当前国际上同类型光开关中转换速度最快的. 在此基础上制备成功了4×4波导光开关矩阵,并实现了光信号在不同信道间的转换. 相似文献
8.
9.
利用超高真空化学气相淀积系统,通过控制淀积量、温度、流量等生长参数,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品,用原子力显微镜进行了表征与分析.系统地研究了生长参数对Ge岛形态分布的影响并分析了有序、高密度Ge岛的生长机理.结果表明,从二维向三维岛跃迁后,最初形成的高宽比(高度与底宽的比值)在0.04~0.06之间的小岛是一种在低温下可以与圆顶岛共存的稳定岛,两种岛的分布随淀积参数的变化而变化.在高温下小岛几乎消失,流量的变化对小岛的密度影响较小.实验中获得小岛的密度最高为2.6×1010cm-2,圆顶岛的密度最高为4.2×109cm-2. 相似文献
10.