用多光束干涉实现纳米级阵列图形的长焦深光刻

用多束相干光适当组合干涉曝光,得到的图形与基片在干涉场内的纵向位置z无关,与x、y位置呈周期关系,光的相干长度对应传统光学光刻的焦深。该方法适合大尺寸基片上纳米级孔、锥阵列图形的制作。模拟了双光束双曝光、三光束单曝光和四光束单曝光的干涉场光强分布,用波长为441.6nm的激光曝光得到尺寸为200nm的孔阵和点阵的图形。     

波前分割无掩模激光干涉光刻的实现方法

激光干涉光刻不受传统光学光刻系统光源和数值孔径的限制,其极限尺寸CD达到曝光波长 的1/4,研究了波前分割双光束、三光束方法及四光束无掩模激光干涉光刻方法,提出了可用于五光束和多种多光束和多次曝光的梯形棱镜波前分割干涉光刻方法。用自行建立的梯形棱镜波前分割系统进行了多光束干涉曝光实验,得到孔尺寸约220nm的阵列图形。     

振幅分割无掩模激光干涉光刻的实现方法

无掩模激光干涉光刻中的分束方法一般有波前分割和振幅分割。研究和比较了振幅分割无 掩模激光干涉光刻方法和系统,包括振幅分割双光束干涉系统、三光束干涉系统、液浸式深紫外干涉系统及全自动干涉光刻系统。建立了双光束双曝光干涉光刻实验系统。模拟和实验结果表明,对点阵或孔阵图形,在同样的图形尺度下,无掩模干涉光刻比传统光刻简单得多。     

提高象增强器灵敏度的新技术

当前的趋势是进一步提高清晰度和扩展光谱响应范围。电子成象经三十多年的不断发展和增长,在其技术基础上,有可能获得更大的发展。实用电子成象,如主动红外系统、电磁聚焦象增强器以及依靠夜空照明的被动夜视系统,经过三十年代的初期实验之后,在五十年代后期和六十年代初期开始投放市场。六十年代后期和     

固体图像传感器稳定发展

超大规模集成电路(VLSI)技术的进展,已使十年以前认为不可能达到的高分辨率、高灵敏度和高速度固体图像传感器成为现实.     

用银盐干板的多重图像全息存贮

本文叙述用银盐全息干板记录多重全息光栅和图像的方法、实验系统和装置，给出了实验结果，并与硫砷玻璃多重图像存贮作了比较。     

半导体的准分子激光加工——准分子激光器为半导体加工提供了新的能力

在半导体工业的发展过程中,包括研究、探测、修正、加工和标识半导体器件,光源已经起着关键的作用。在那个进程中,准分子激光加工算是最新的一步。 一定光谱范围的非相干光源,长久以来在光刻和检验中已经起了不可估价的作用。当可以得到相干光源时,由于其高的峰值强度、高的平均功率、可控的空间特性和频谱纯度等优点,使得它们成为商业应用的明显的候选光源。     

亚分辨图形相移掩模的制作方法

介绍亚分辨图形掩模的原理,应用及具有亚分辨图形的相移掩模和传统掩模的制作方法和工艺。     

光学光刻和射线光刻技术的发展——参加ICO—17述评

结合对1996年第17届国际光学学会会议的简介，评述了光学光刻和X射线光刻技术的发展概况。对一些相关技术，如激光等离子体X射线源、掩模、抗蚀剂、X射线光学元件和光刻装置的发展近况也做了一些介绍。     

采用梯形棱镜波前分割的激光干涉光刻技术

光学光刻技术在微细加工和集成电路(IC)制造中一直是主流技术。随着IC集成度的提高,要求越来越高的光刻分辨力,但光学光刻的分辨极限受光刻物镜数值孔径(NA)和曝光波长(λ)的限制。激光干涉光刻技术具有高分辨、大视场、无畸变、长焦深等特点,其分辨极限为λ/4,在微细加工、大屏幕显示器、微电子和光电子器件、亚波长光栅、光子晶体和纳米图形制造等领域有广阔的应用前景。阐述了激光干涉光刻技术的基本原理。提出了一种采用梯形棱镜作为波前分割元件的激光干涉光刻方法。建立了相应的曝光系统,该系统可用于双光束、三光束、四光束和五光束等多光束和多曝光干涉光刻。给出了具有点尺寸约220nm的周期图形阵列的实验结果。