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1.
设计了nBn结构的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器,从理论和实验两方面对nBn器件的暗电流特性进行了研究,研究结果表明:理论计算的暗电流和实际测试结果趋势一致。另外,研制了p-i-n结构器件并与nBn器件进行了比较,测试结果显示:在77 K温度下,nBn器件的暗电流要比p-i-n器件暗电流小2个量级。温度升高到150 K时,nBn器件暗电流变大2个量级,而p-i-n器件暗电流变大4个量级;nBn器件峰值探测率下降到1/5,p-i-n器件峰值探测率下降2个量级。可见nBn器件适合高温工作,适合高性能红外焦平面探测器的研制。  相似文献   
2.
InAs/Ga(In)SbⅡ类超晶格材料由于特殊的二型能带结构,可以通过人造低维结构获得类似于体材料的带间吸收,从而获得较高的量子效率;另外,通过调节材料参数调节能带结构,器件响应波段可调;通过能带结构设计抑制俄歇复合,获得较小的暗电流和较高的器件性能。因为以上特有的材料性能和器件特性,Sb基二类超晶格在国际上被认为是第三代红外焦平面探测器的优选材料。对二类超晶格材料的设计和器件特性进行了研究,设计了峰值波长4μm的nBn结构的中波红外探测器,在没有蒸镀抗反膜的条件下,77 K温度下测试得到的峰值探测率为2.4×1011cm Hz1/2W-1,计算得到的量子效率为47.8%,峰值探测率已经接近目前的碲镉汞中波红外探测器器件性能。研究结果充分显示了二类超晶格优越的材料和器件性能。  相似文献   
3.
SPRITE探测器的电阻是一个重要的器件参数。研究了Hg1-xCdxTe材料组分和电阻率、芯片厚度和表面电导等因素对该电阻的影响,并就实验数据进行了比较结果表明:SPRITE器件的室温电阻主要是受Hg1-xCdxTe材料组份和芯片厚度的影响。而其液氮温度电阻则主要是受芯片表面电导的影响。  相似文献   
4.
尹敏  冯江敏 《红外技术》1998,20(2):25-28
为使自动金丝球焊接技术应用于碲镉汞红外器件的研制工艺,在大量试验的基础上,摸索出一套使用自动金丝球焊接技术进行了SPRITE红外器件内引线焊接的可靠方法。文中还对自动焊接的精度和最小间距进行了探讨。  相似文献   
5.
为了满足空间红外多光谱扫描仪热波段对探测器光谱参数的特殊要求,采取了一些措施,测试分析了多元光导碲镉汞长波探测器的光谱响应及其变温光谱,画出了多元光谱曲线和不同温度下的典型光谱特性曲线,分析了测试精度。测试结果表明该探测器能满足空间应用的特殊要求。  相似文献   
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