硅中离子注入硼的异常扩散

本工作用不同的Si~+预注入能量,改变注入损伤分布与离子注入硼杂质分布的相对位置,观察快速热退火中注入损伤对硼异常扩散的影响.结果表明,引起注入硼异常扩散的是点缺陷,而不是硼间隙原子的快扩散.而注入损伤中的点缺陷和簇团分解释放的点缺陷是驱动硼异常扩散的因素之一.如果注入损伤形成了扩展缺陷,那么扩展缺陷重构和分解将发射点缺陷,这是驱动硼异常扩散的另一个因素.     

磷化铟晶体的高分辨电子显微术研究

本文报导了半导体InP材料〔001〕带轴的高分辨结构象主要实验结果。采用400kV电子束,欠焦量为大约650A,同时In及P的结构象的最佳厚度约为260A。当厚度减缩到150A左右,只剩下P的原子象。当厚度增加到370A,只剩有In的原子象。实验得到的高分辨结构象和计算机模拟象是基本一致。当试样发生弯曲时,入射束与〔001〕带轴之间的夹角是0.18度。高分辨结构象代表In原子和P原子的亮点联接在一起。计算机模拟象证实了这一实验结果。     

钨铌酸钾晶体的透射电镜研究

本文报导了KNbW_2O_9晶体倒空间、畴结构及α-β相变的透射电镜观测结果。电子衍射的实验结果表明了该晶体在a、c方向分别具有明显的三倍和两倍超结构。通过对KNbW_2O_9晶体α-β相变的动态观测,发现了在相变温度以下(T<570℃),晶体中存在着一种“扩展反相畴界”,这种界面具有一定的宽度,其中间区域的平均结构接近或等于α相的晶体结构。因此,在β→α相变过程中,这一中间区域相当于β→α相变的预置核,相变可以通过这种“扩展反相畴界”的扩大而实现。     

ZnxFe3-xO4-α-Fe2O3 纳米多晶材料中的隧道磁电阻效应与微结构

在具有纳米绝缘层的多晶锌铁氧体体系中，当晶界为α－Fe2O3纳米量级的绝缘层时，则构成（ZnxFe3-xO4-α－Fe2O3非均匀体，电子显微分析证实了这种微结构。该体系在0．5T磁场、4．2K温度下，磁电阻效应可达1280％，300K下为158％。     

等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射

报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出现了蓝移。在晶化的 a-Si∶ H/ Si O2 多层膜中不仅观察到室温下的红光带 (80 0nm)的发光峰 ,而且还观察到蓝光发射 (4 2 5 nm) ,结合 Raman,TEM和 PL测试 ,对其原因作了简单的分析     

InP中的原子象和刃型位错

本文介绍使用JEOL—4000EX电子显微镜,观察半导体InP材料中[001]方向的原子象和小区域的微畸变。近年来,由于高分辨工作的发展,Hashimoto等人在观察不同材料的原子象方面,做了很多工作。但是在同一带轴所有重轻原子都同时成象,目前的报导还很少。本文报导InP材料[001]带轴的高分辨结构象,在特定的条件下重原子In和轻原子P可同时成象。计算机模拟象与实验结果是一致的。InP是闪型矿结构,空间群F(?)3m,面心立方点阵,晶胞常数a=5.868A,P原子的面心立方亚点阵     

准周期a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格

本文首次报道成功地实现了非晶态半导体准周期(无平移对称性)超晶格结构.利用辉光放电汽相淀积技术,由两种超薄的a-Si:H层和a-SiN_x:H层按Fibonacci序列程序淀积而构成一维准周期超晶格.其中两种一维周期格子的调制波长比为黄金分割τ=(1+5~(1/2))/2.剖面电子显微像和相应的电子衍射花样揭示出这类新型非晶态半导体超晶格的奇异性质.简单的理论计算给予实验衍射图像以明确的物理解释.     

a-Si:H/SiO2多层膜晶化过程中的发光机理

采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si:H/SiO2多层膜.通过对其进行三步热处理:脱氢、快速热退火及准静态退火,使a-Si:H/SiO2多层膜中a-Si:H层发生非晶态到晶态的相变,获得尺寸可控的纳米硅nc-Si/SiO2多层膜.结合Raman谱,FTIR谱和TEM测试,对退火过程中多层膜的光致发光性质进行跟踪研究,分析了a-Si:H/SiO2多层膜在各个热处理阶段发光机理的演变,讨论了a-Si:H/SiO2多层膜晶化为nc-Si/SiO2多层膜过程中,发光机制与微结构之间的相互联系.     

两种标准物质对液相色谱仪自动进样器性能验证的比较分析

采用萘的甲醇溶液和咖啡因两种标准物质,对液相色谱仪自动进样器的性能进行了验证研究,并比较了两种不同标准物质对验证的影响。我们采用紫外-可见检测器的液相色谱仪为例,对自动进样器的进样体积准确性和重复性,进样残留以及进样线性进行了验证研究。     

序

纳米科技是80年代中方始发展起来的新兴科学与技术，在当前业已成为倍受科技界关注和重视的热门领域。展望未来，它显然会在下一世纪初引发一场技术革命，从而取得巨大的实际效益。纳米为10－9米，已接近原子尺度（0．2～0．3纳米）。通常意义上的纳米科技所涉及的尺度，一般为100纳米以下，直到原子尺寸。当然100纳米的限度带有一定的任意性，并非严格界定的。随所研究问题的差异，容许有适度的伸缩性。当今高技术的核心乃是半导体芯片技术，其发展的关键在于进一步微型化。目前商用芯片的刻线宽度业已达到0．35纳米，正在朝向0．25纳米迈…