φ100 mm掺硫InP单晶生长研究

InP以其众多的优越特性使之在许多高技术领域有广泛应用.掺硫n型InP材料用于激光器、LED、光放大器、光纤通信等光电领域.为了降低成本和适应新型器件制造的要求,本文进行了直径100mm掺硫InP单晶生长和性质研究.首先解决了大容量直接合成技术,其次解决了大直径单晶生长的关键技术,保证了一定的成晶率.采用降低温度梯度等措施,降低位错密度,提高晶体完整性.制备出100mm掺硫InP整锭〈100〉InP单晶和单晶片.经过测试其平均EPD小于5×104cm-2,载流子浓度大于3×1018cm-3.本文还对影响材料成晶的放肩角进行了研究,一般生长大直径单晶采用大于70.或平放肩技术都可以有效地避免孪晶的产生.     

砷化镓低温合成简介

随着砷化镓场效应晶体管的迅速发展,要求低掺铬、热稳定性好的半绝缘砷化镓单晶作衬底。目前国内外制得的掺铬半绝缘砷化镓采用水平法及液封直拉法生长获得。一般情况掺铬量高、热稳定性不佳,其原因是由于合成过程中引入了硅沾污。我们将高压液封直拉技术用于砷化镓,进行了砷化镓的低温合成研究。目前已成功地掌握了砷化镓的低温合成工艺,这种工艺用于砷化镓会使砷化镓的合成变得简单、可靠、而且重复性好,合成后的倾刻也可方便地进行晶体生长。下面简介砷化镓低温合成     

Ф100mm掺硫InP单晶生长研究

InP以其众多的优越特性使之在许多高技术领域有广泛应用.掺硫n型InP材料用于激光器、LED、光放大器、光纤通信等光电领域.为了降低成本和适应新型器件制造的要求,本文进行了直径100mm掺硫InP单晶生长和性质研究.首先解决了大容量直接合成技术,其次解决了大直径单晶生长的关键技术,保证了一定的成晶率.采用降低温度梯度等措施,降低位错密度,提高晶体完整性.制备出100mm掺硫InP整锭〈100〉InP单晶和单晶片.经过测试其平均EPD小于5×104cm-2,载流子浓度大于3×1018cm-3.本文还对影响材料成晶的放肩角进行了研究,一般生长大直径单晶采用大于70.或平放肩技术都可以有效地避免孪晶的产生.     

IP电话运营及新业务拓展

随着中国通信技术的快速发展和通信业市场的逐步规范及ＷＴＯ临近等因素,中国电信市场需求迅猛增长,机遇与竞争吸引了多方电信企业,中国电信运营市场呈现了百花齐放、百家争鸣的景象,激烈的市场竞争也促进了各种新业务的不断开拓。 ＩＰ电话的出现,为中国电信带来了空前的机遇。随着Ｉｎｔｅｒｎｅｔ的深入和普及,ＩＰ电话在中国迅速发展起来,广大用户的需求推动了ＩＰ电话的蓬勃发展。冠远公司（Ｃｌａｒｅｎｔ）作为当今世界顶级的ＩＰ电话技术和智能网设备供应商之一,已为全球６５个国家３００多家电信服务商提供ＶｏＩｐ产品。自１９９９年进入中国ＩＰ电话市场以来,就致力于建立在中国的ＩＰ电话智能网络和指挥中心系统,以及快捷优质的客户服务。目前在中国已拥有了：中国电信以及多个省市分公司、中国移动通信集团公司、吉通通信等用户,中国电信的直通卡、中国电信ＩＰ电话的二期工程、吉通ＩＰ电话、中国移动互联网骨干网一期工程均采用了冠远公司的设备。 冠远作为中国电信事业的合作伙伴,积极促进中国电信事业的发展,不断携带先进的技术、全面的解决方案以及个性化的服务来支持、促进中国ＶｏＩｐ市场的发展。ＶｏＩｐ对运营商而言,是增值服务;对设备提供商而言,是网络整合的...     

不同熔体配比的InP分析研究

原位磷注入合成 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长法可分别合成得到富铟、近化学配比或富磷的 Ｉｎ Ｐ熔体, 并进行 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长。我们对不同配比程度的材料进行了 Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ、 Ｐ Ｌ、变温 Ｈａｌｌ等测试工作, 得到了一些相当有意义的结果, 对研究非掺杂半绝缘 Ｉｎ Ｐ提供了非常有意义的实验证据     

28路AM-VSB电视信号光纤传输系统的性能分析

分析了28路AM—VSB电视信号光纤传输系统的性能,着重讨论了激光器非线性引起的互调失真及光接收噪声性能,并给出了激光器互调干扰的简便测试方法及激光调制指数的优化选择方法。     

增强相对二硼化锆陶瓷基复合材料性能的影响

ZrB_2具有优良的物理特性和化学稳定性而应用于许多领域,为了改善ZrB_2难以烧结致密化和高温易氧化,本文通过共沉淀法制备包覆式A1_2O_3-Y_2O_3/ZrB_2复合粉体,并对其进行放电等离子烧结制备ZrB_2陶瓷基复合材料,研究增强相对ZrB_2陶瓷基复合材料性能的影响。研究表明:两种包覆型粉体在700~1000℃时出现一次大的收缩,然后出现一个不收缩的平台阶段,两种包覆型粉体当温度达到1000~1600℃之后出现第二次收缩。随着复合材料中增强相种类增多,复合材料块体更容易致密,随着Al_2O_3比例增大,复合材料块体更容易致密。通过包覆处理后的粉体制备所得复合材料断裂韧性高于机械混合所得原料制备的复合材料断裂韧性,在原料处理方式相同的情况下,含有YAG-Al_2O_3相的复合材料断裂韧性高于只含有YAG相的复合材料断裂韧性。通过引入YAG或YAG-Al_2O_3制备的复合材料与纯ZrB_2陶瓷相比,氧化层厚度都有所变薄,这也说明通过引入YAG或YAG-Al_2O_3可以改善ZrB_2陶瓷基复合材料的高温抗氧化性能。     

富磷熔体中生长的φ100 mm掺硫InP单晶研究

采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟 (In P)熔体 ,并利用液封直拉法 (LEC)生长出了 1 0 0 mm In P掺硫单晶材料。对富磷单晶分别用快速扫描光荧光谱技术、腐蚀金相法和扫描电镜进行了研究。结果表明在富磷量足够大的情况下 ,晶片上会出现孔洞 ,并对孔洞周围位错的形成原因及分布进行了分析。 1 0 0 mm In P单晶的平均位错密度也没有明显的增加 ,为今后生长更大尺寸的完整 In P单晶奠定了良好的基础